- •Частина і. Базові визначення, параметри та характеристики електронних систем
- •Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем
- •Електронно-дірковий перехід - базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •Напівпровідникові діоди та їх використання
- •Біполярні транзистори
- •Польові транзистори
- •Інтегральні мікросхеми
- •Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем
- •Електронні підсилювачі
- •Генератори незатухаючих електричних коливань та формувачі імпульсів
- •Вторинні джерела живлення
- •Передмова
- •1.2 Компоненти електронних систем
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2 Пасивні компоненти
- •1.2.3 Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3 Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом,
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6 Типові схемні елементи електронних систем
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3 Генератори напруги та струму
- •1.6.4 Моделювання електронних пристроїв
- •1.6.5 Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
- •6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.6.6.2 Амплітудно-частотна характеристика інтегруючих схем
- •1.7 Радіотехніка, електроніка та радіоелектроніка
- •1.8 Аналогові та цифрові системи
- •1.9 Нова філософія сучасної техніки
- •1.10 Початкові засади електроніки та схемотехніки
- •1.11 Поточний самоконтроль
- •1.11.1 Завдання для дослідження схем в ms
- •1.11.2 Контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти електронних систем Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – базова напівпровідникова структура твердотілих компонентів
- •2.1 Класифікація речовин за провідністю
- •2.2 Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5 Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6 Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8 Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9 Пробій p-n переходу
- •2.10 Перехід метал-напівпровідник
- •2.11 Особливості р-n переходів та їх використання для побудови компонентів електронних систем
- •2.12 Поточний самоконтроль
- •2.12.1 Тестові контрольні запитання.
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1 Визначення, структура та класифікація
- •3.2 Вольт-амперна характеристика нд
- •3.3 Параметри нд
- •3.4 Електрична модель та частотні властивості нд
- •3.5 Основні види пробою нд
- •3.6 Основні типи діодів та електронні пристрої на їх основі
- •3.6.1 Випрямні діоди та випрямлячі
- •3.6.2 Високочастотні діоди
- •3.6.3 Імпульсні діоди та ключі
- •3.6.4 Напівпровідникові стабілітрони
- •3.6.5 Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6 Варикапи та пристрої електронного регулювання частоти
- •3.8 Діоди Шотткі
- •3.8 Поточний самоконтроль
- •3.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •3.8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1 Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2 Фізичні процеси в бт
- •4.3 Статичні характеристики бт
- •4.3.1 Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2 Статичні характеристики бт із сб
- •4.4 Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5 Підсилення потужності еіс за допомогою бт
- •4.6 Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку
- •4.7 Динамічні властивості бт
- •4.8 Ключовий режим бт
- •4.9 Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10 Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11 Температурний режим та пробій бт
- •4.12 Основні типи бт
- •4.13 Поточний самоконтроль
- •4.13.1 Завдання для моделювання та дослідження схем
- •4.13.2 Контрольні запитання
- •Розділ 5. Польові транзистори
- •5.1 Типи польових транзисторів
- •5.2 Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.3 Підсилювач з автоматичним зміщенням на пт
- •5.4 Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.5 Ключовий режим мдн-транзисторів
- •5.6 Температурні залежності та шуми пт
- •5.7 Класифікація та особливості використання пт
- •5.8 Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.9 Поточний самоконтроль
- •5.9.2 Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1 Особливості імс як активних компонентів
- •6.2 Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3 Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1 Основні типи аіс
- •6.3.2 Схеми стабілізації режиму а іс
- •6.3.3 Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4 Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5 Диференціальні підсилювачі
- •6.6 Операційні підсилювачі
- •6.6.1 Особливості оп
- •6.6.2 Інвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.3 Неінвертувальна схема вмикання оп
- •6.6.4 Імпульсний режим оп
- •6.7 Поточний самоконтроль
- •6.7.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •6.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1 Особливості оптоелектроніки
- •7.2 Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1 Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3 Випромінювальні діоди
- •7.3 Фотоелектричні напівпровідникові
- •7.3.1 Внутрішній фотоефект
- •7.3.2 Фоторезистори
- •7.3.3 Фотодіоди
- •7.3.4 Фототранзистори
- •7.4 Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5 Поточний самоконтроль
- •7.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •7.5.2 Контрольні запитання
- •Частина ііі. Функціональні пристрої електронних систем Розділ 8. Електронні підсилювачі
- •8.1 Визначення, структурні схеми
- •8.2 Основні характеристики та параметри еп
- •8.3 Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1 Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.2.2 Амплітудно-частотна та перехідна характеристики
- •8.3.3 Корекція лінійних та нелінійних спотворень
- •8.4 Зворотний зв`язок та його використання
- •8.4.1 Визначення та класифікація
- •8.4.2 Вплив зворотного зв`язку на основні параметри еп
- •8.4.3 Паразитні зворотні звязки в підсилювачах
- •8.5 Підсилювачі постійного струму
- •8.5.1 Визначення та класифікація
- •8.5.2 Підсилювачі постійного струму з безпосереднім зв`язком
- •8.5.3 Підсилювачі постійного струму
- •8.6 Вибірні (селективні) підсилювачі
- •8.6.1 Визначення та класифікація
- •8.6.2 Резонансні підсилювачі
- •8.6.3 Підсилювачі з частотно–залежним зворотним зв'язком
- •8.7 Підсилювачі потужності
- •8.7.1 Особливості побудови та класифікація
- •8.7.2 Безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •8.8 Завдання для самоконтролю
- •8.8.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •8 .8.2 Контрольні запитання
- •Розділ 9. Генератори незатухачих електичних коливань та формувачі імпульсів
- •9.1 Визначення, умови самозбудження
- •9.2 Генератори гармонічних коливань
- •9.2.2 Низькочастотні rс –генератори
- •9.2.3 Стабілізація частоти коливань в автогенераторах
- •9.3 Автоколивальні мультивібратори
- •9.4 Загальмовані мультивібратори
- •9.5 Формувачі лінійно-змінної напруги
- •9.6 Завдання для самоконтролю
- •9.6.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •9.6.2 Контрольні запитання
- •Розділ 10. Вторинні джерела живлення електронних систем
- •10.1 Особливості енергетичної (силової) електроніки
- •10.2 Основні типи випрямлячів
- •10.3 Згладжувальні фільтри
- •10.3.1 Пасивні фільтри
- •10.3.2 Активні фільтри
- •10.4 Стабілізатори напруги
- •10.4.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •10.4.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •10.5 Завдання для самоконтролю
- •10.5.1 Завдання для моделювання та дослідження схем в ms
- •10.5.2 Контрольні запинтання
- •Список рекомендованої літератури
1.6.5.2 Амплітудно-частотна характеристика диференціюючих схем
Для вивчення процесів в таких схемах знову звернемось до схеми подільника напруги, коефіцієнт передачі якого залежить від співвідношення опорів R2/(R1+ R2). Якщо резистор R1 замінити конденсатором, опір якого буде зростати зі зменшенням частоти (1/ωС), співвідношення опорів буде змінюватись, що викличе зміну коефіцієнта передачі.
У результаті в області малих частот коефіцієнт передачі зменшується і за умови ω =0 (1/wC >> R2 )досягає Кu = 0. В області середніх та великих частот опір конденсатора суттєво зменшується (ним можна знехтувати 1/wC << R2 ), а тому Кu = 1.
Властивості схеми в частотній області оцінюють за допомогою АЧХ, яка відображає залежність модуля коефіцієнта передачі від частоти. Для одержання такої характеристики в формулу 1.1 замість резистора R1 підставляємо комплексний опір конденсатора. Одержуємо вираз для комплексного коефіцієнта передачі. Залежність модуля цього коефіцієнта від частоти визначають за формулою:
Це є АЧХ диференціюючої схеми.
Звідки
видно, що межова частота ДС, тобто
частота, на якій модуль коефіцієнта
передачі спадає до рівня 0.707 (зменшується
у
рази) фіксується на рівні Н
=1/τН
,
де τН
=
RC
– стала
часу ДС. Для
області середніх на високих частот, ,
коли впливом конденсатора вже можна
знехтувати (через його малий опір) KU
=1.
Таким чином, диференціюючі RC-схеми пропускають сигнали і частотою н, тобто є фільтрами верхніх частот (рис. 1.14 .).
В області нижніх часто, де < н, конденсатор суттєво впливає на процес формування вихідних сигналів та забезпечує процес диференціювання.
Для
експериментального визначення АЧХ як
тестовий сигнал використовують
гармонічний сигнал (сінусоїду) постійної
амплітуди та змінної частоти. Це дає
можливість визначити
,
на якій коефіцієнт передачі зменшується
до рівня 0.707 К
0,
а
при використанні логарифмічних одиниць
на -3 дБ. Для оперативної оцінки смуги
пропускання при налагодженні ЕС
використовують спеціальні прилади –
вимірювачі АЧХ, в яких характеристика
висвічується на екрані осцилографа.
При дослідженнях в середовищі MS для одержання АЧХ використовують Bode-Ploter(рис. 1.23).
Перехідна та частотна характеристики пов`язані між собою. Для покращення характеристик пристрою (підсилювача) необхідно розширити діапазон в області нижніх частот. Для цього збільшують н, що забезпечить зменшення н, а водночас зменшить спад вершини імпульсу.
6.6 Дослідження інтегруючих rc-схем
1.6.6.1 Перехідна характеристика інтегруючих схем
В таких колах за відповідних умов вихідна напруга пропорційна інтегралу за часом від вхідної напруги:
Uвих = a Uвх dt .
В
ідмінності
кіл, що інтегрують, від тих, що диференціюють,
полягає в тому, що вихідна напруга
знімається з конденсатора (рис.1.17, в).
Використовують ці кола для отримання
лінійно змінюваних пилоподібних напруг,
а також для реалізації операцій
інтегрування. Для виконання такої
операції необхідно, щоб стала часу кола
була
значно більшою від тривалості вхідного
імпульсу
>>
tі
вх,
а для синусоїдального сигналу – RC
>> 1/.
В електронних пристроях завжди
проявляються дії паразитних конденсаторів
(індуктивностей), ємностей навантаження
та інерційність активних і пасивних
компонентів, що також моделюється
вмиканням конденсаторів та індуктивностей.
Тобто, у вихідному колі пристроїв
принципово не можливо виключити наявність
інтегруючих кіл, які обмежують граничні
частоти в області великих частот та
спотворюють форму вихідних сигналів..
Вивчення та аналіз таких схем дозволить
грамотно оцінювати їх вплив на формування
та передачу ЕІС.
При подачі на вхід ІС східчастої напруги (рис.1.17.а) у початковий момент (t = 0) вся вхідна напруга прикладена до резистора (рис.1.17б), а напруга на виході ( на конденсаторі) дорівнює нулю (рис.1.17в). Конденсатор починає заряджатись зі сталою часу = RC. Струм поступово зменшується, що обумовлює зменшення спаду напруги на резисторі, а на виході напруга (Uвих = Uс) зростає до значення Uвих = Uвх. Перехідна характеристика інтегруючого кола подана на рис.1.17 в.
Тривалість перехідного процесу в даному випадку так само, як і у диференціюючих колах оцінюють за 3 при фіксаціях на рівня (0,05 0,95) Uвих. Таким чином визначають тривалість перемикання електронних ключів, пристроїв та систем в цілому. Цей параметр визначає, тривалість переднього фронту tф, а відтак – і швидкодію пристрою, що широко використовується при аналізі імпульсних та цифрових ЕС.
Коли на вхід ІС поступає послідовність імпульсів прямокутної форми тривалістю tі, то для їх передачі без суттєвого спотворення необхідно, щоб стала часу була мала ( << tі). У цьому випадку вихідна напруга майже відтворює форму вхідних імпульсів, оскільки конденсатор встигає повністю зарядитись за час, який становить дуже малу частку тривалості імпульсу. Зазвичай вважають допустимими спотворення імпульсів, якщо tф ≤ 0.1 tі . Цим співвідношенням будемо широко користуватись в подальших розділах, зокрема при вивчені підсилювачів.
Якщо >> tі форма імпульсів на виході суттєво спотворюється. Віддбувається процес інтегрування.
За час дії імпульсу конденсатор повільно заряджається, а напруга на ньому не встигає досягти напруги Uвх. По закінченні вхідного імпульсу конденсатор так само повільно розряджається. Таким чином, на ємнісному виході формуються розтягнуті імпульси, які мають форму експоненціальної пилки. Такі спотворення вхідних імпульсів не завжди допустимі. У цьому випадку тривалість переднього фронту вихідного імпульсу дорівнює тривалості інформаційного імпульсу ti.
Зрозуміло, що час заряду та розряду конденсатора визначає також мінімальний період вхідних імпульсів і швидкодію.
Форма
вихідних імпульсів за різних співвідношень
подана на рис.1.18.
Аналіз наведених осцилограм показує, яким чином співвідношення
ti
/τ
впливає на форму вихідних імпульсів.
Верхні три випадки демонструють процес
інтегрування вхідних імпульсів. Зверніть
увагу на те, що чим більше співвідношення
ti
/τ
тим точніше відбувається процес
інтегрування, тим ближче вихідний сигнал
наближається до лінійної пилоподібної
напруги (1-ша та 2-га осцилограми). На
третій осцилограмі вже помітний
експоненціальний закон зміни вихідної
напруги. Нижня осцилограма свідчить
щодо передачі імпульсів з допустимими
спотвореннями (
<<
).
