
- •Федеральное агентство по образованию рф
- •Основы рефлектометрии
- •1.1 Рэлеевское рассеяние в волоконных световодах
- •1.2 Бриллюэновское рассеяние в волоконных световодах
- •1.3 Рамановское рассеяние в волоконных световодах
- •1.4 Эффект антистоксова излучения
- •2.1 Рефлектометрия во временной области
- •2.1.1 Рефлектометрия во временной области – традиционный подход.
- •2.1.2 Когерентная временная рефлектометрия.
- •2.1.3 Корреляционная рефлектометрия с применением псевдослучайного сигнала.
- •2.1.4 Слабокорреляционная рефлектометрия.
- •2.1.5 Рефлектометрия на основе счета фотонов.
- •2.2 Рефлектометрия в частотной области
- •2.2.1 Рефлектометрия с частотным сканированием.
- •2.2.2 Рефлектометрия с синтезом функции когерентности.
- •2.3 Поляризационная рефлектометрия
- •2.4 Выводы по главе
- •3.1 Временной когерентный симметричный рефлектометр
- •3.2 Симметричный некогерентный рефлектометр
- •3.3 Симметричный рефлектометр с синтезом функции когерентности
- •3.4 Обсуждение результатов
- •4.1 Изгибные потери в оптических волокнах
- •4.2 Искажения формы контура волоконной решетки Брэгга
- •4.3 Симметричные методы контроля изгибных потерь в вс и искажений контура врб
- •4.3.1 Симметричное зондирование участков вс с изгибными потерями
- •4.3.2 Симметричное зондирование контура врб
- •4.3.3 Мониторинг профиля контуров нескольких врб в волп
- •5.1 Системы несимметричной бриллюэновской рефлектометрии
- •5.2 Симметричный бриллюэновский рефлектометр
- •5.2.1 Физические принципы работы системы с симметричным двухчастотным гетеродинированием.
- •5.2.2 Схема экспериментальной установки.
- •5.2.3 Выводы по разделу.
- •5.3 Вопросы применения бриллюэновского рефлектометра
- •5.3.1 Бриллюэновский датчик механического напряжения вс.
- •3.3.2 Бриллюэновский датчик температуры.
- •6.1 Лазерные диоды
- •6.1.1 Многомодовые (mlm) лазеры, или лазеры с резонаторами Фабри-Перо.
- •6.1.2 Одномодовые (slm) лазеры.
- •6.1.3 Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью (dfb).
- •6.1.5 Лазер с вертикальной резонаторной полостью и излучающей поверхностью (vcsel).
- •7.1 Амплитудно-фазовый метод преобразования одночастотного колебания в симметричное двухчастотное
- •7.2 Спектр выходного излучения амплитудно-фазовых электрооптических уфдли
- •7.3 Влияния параметров преобразования частоты на спектральный состав излучения на выходе аэм
- •7.4 Реализация симметричного уфдли
- •8.2 Конструкция детектора на основе кремниевого фотодиода
- •8.3 Обзор фотодиодных детекторов на основе InGaAs
- •8.4 Лавинные фотодиоды (apd)
- •8.4.1 Рабочие параметры apd.
- •8.4.2 Типы apd.
- •8.4.3 Apd с разделением процессов поглощения и умножения (sam apd).
- •8.5 Оптические приемники
- •Заключение
- •Список литературы
- •Глава 1 6
- •Глава 2 21
- •Глава 3 36
- •Глава 4 45
- •Глава 5 61
- •Глава 6 70
- •Глава 7 79
- •Глава 8 98
3.4 Обсуждение результатов
Оптическая рефлектометрия, используемая для исследования свойств многомодовых и одномодовых ВС и создания на их базе ВОЛП с высоким QoS, является высокочувствительным инструментом. Известно, что деформации ВС, определяемые внешними воздействиями, вызывают изменения трех его параметров: диаметра, диэлектрической проницаемости материала и длины (растяжение, удлинение при радиальном сжатии и укорочение при радиальном растяжении). В ряде работ показано, что изменение всех параметров ВС под воздействием внешних факторов приводит к изменению сигнала обратного рассеяния. Наибольшее влияние оказывает изменение числовой апертуры по длине ВС. Отмечается, что картина обратного рассеяния очень чувствительна к изменениям диаметра сердцевины ВС, хотя данная зависимость очень сложна и пока теоретически не рассчитана.
Учитывая полученные в настоящей главе выражения можно сказать, что определение координаты x места приложения внешнего воздействия при симметричной ЛЧМ-модуляции сводится к измерению приращения частоты зондирующего излучения за время распространения сигнала от входного торца по входному волокну до точки x и от точки x по выходному волокну до выходного торца. Более сложным представляется определение интенсивности внешнего воздействия для чего необходимо решить многофакторную задачу с учетом текущих коэффициентов поглощения и рассеяния в прямом и обратном направлении во входном и выходном волокнах.
Выше
речь шла о локальных неоднородностях
в ВС, однако рефлектомтерия дает
уникальную возможность исследовать и
распределенные неоднородности, то есть
флуктуации параметров ВС по его длине.
При этом получение обратно рассеянного
сигнала с обоих концов ВС позволяет
решить задачу локализации последовательно
расположенных распределенных
неоднородностей. Если предположить,
что фактор
обратного рассеяния
и эффективный коэффициент рассеяния
не зависят от направления распространения
света, то для распределений, эквивалентных
,
можно получить:
,
(3.15)
.
(3.16)
Первое из этих
выражений включает зависимость от x
только через члены
и, таким образом, описывает флуктуации
параметров ВС по длине. Второе зависит
от
и определяет среднее затухание света
на участке [0, x]
ВС. Совместное решение (3.15) и (3.16) позволяет
эффективно разделить вклад общего
затухания и вклад зон потерь в сигнал
обратного рассеяния.
Последовательно расположенные изгибные участки ВС практически не оказывают влияния на показания друг друга. Причем в ряде работ приведено строгое теоретическое обоснование этого факта с точки зрения описания модового континииума для распространяющего в ВС излучения. Показано, что использование двухчастотного излучения, сдвинутого на ячейке Брэгга, позволяет на порядок повысить чувствительность непрерывного частотного рефлектометра, и соответственно расширить динамический диапазон измерений. Проблема повышения точности ограничивалась нестабильностью работы частотно-сдвигающей ячейки. Применение симметричных амплитудно-фазовых волоконных УФДЛИ может решить эту проблему.
Кроме требования спектральной стабильности для УФДЛИ, применяемых в НРС, существуют достаточно жесткие пространственные требования при смешении референтного и сигнального излучений. Эффективный прием сигналов осуществляется при выполнении известного условия
,
(3.17)
где – угол между опорным и сигнальным пучками при фотосмешении на фотоприемнике, l – длина фоточувствительной поверхности приемника.
Для
м,
l
= 103
м
и
соответственно
рад.
Невыполнение этих жестких геометрических
требований, характерное для фазовых
УФДЛИ с разделенными частотами, приводят
к серьезным практическим проблемам при
построении фотоприемной системы НРС.
В случае использования симметричной амплитудно-фазовой модуляции техника регистрации излучения значительно упрощается, не требуется опорного луча, к источнику излучения не предъявляются требования по когерентности, весь оптический тракт менее сложен, хотя вводится анализатор и поляризатор.
Таким образом, преимущества реализации симметричного режима зондирования ВС с помощью симметричных волоконных УФДЛИ позволяют высоко оценить перспективы разработки на их основе СРС.
ГЛАВА 4 |
ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ СИММЕТРИЧНЫХ систем РЭЛЕЕВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ |
Важными факторами применимости тех или иных ВС в задачах телекоммуникаций являются изгибные и микроизгибные потери, обратное рэлеевское рассеяние, а также долговременная стабильность собственно ВС и его элементов (ответвителей, волоконных решеток Брэгга (ВРБ) и т.д.) и их параметров (затухание, коэффициент разветвления, широкополосность, полоса пропускания, форма контура и т.д.).