8. Кремний — материал наноэлектроники. /1, 9/

Кратко рассмотреть проблемы и возможности использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Рассмотреть наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур. Технологии микро- и наноэлектроники.

9. Этапы развития электроники от микро- до нано. /9, 10/

Проследить развитие от микро- к наносистемной технике, переход от “микро” к “нано” – не количественный, а качественный, означающий скачок от манипуляции с веществом к манипуляции отдельными атомами. Прогресс в области твердотельной электроники в первую очередь определяется развитием технологии структур, на основе которых производятся дискретные приборы и интегральные схемы.

10. Монокристаллы, пластины и эпитаксиальные структуры кремния, арсенида галлия и соединений а3в5 в технологии изготовления приборов электронной техники. /9/

Технология создания материалов для микроэлектроники включает следующие основные направления: монокристаллы, пластины и эпитаксиальные структуры кремния, арсенида галлия и других соединений А3В5; многослойные гетероэпитаксиальные структуры (в том числе квантово-размерные) на основе твердых растворов соединений А3В5, А2В6 и твердых растворов германий-кремний; монокристаллы и пленочные композиции на основе алмаза и карбида кремния.

11. Полупроводниковые соединения в микро- ,опто- и наноэлектронике. /9/

Кратко дать характеристику веществам с четко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Важнейшие представители этой группы: GaAs, InP, InAs, InSb, GaN, являющиеся прямозонными полупроводниками, и GaP, AlAs -- непрямозонные полупроводники. Многие полупроводниковые материалы типа АIIIВV образуют между собой непрерывный ряд твердых расплавов - тройных и более сложных (GaxAl1-xAs, GaAsxP1-x, GaxIn1-xP, GaxIn1-xAsyP1-y и т.п.), также являющихся важными.

12. Материаловедение и технология новых материалов. /11, 12/

Знание структуры и свойств материалов приводит к созданию принципиально новых продуктов и даже отраслей индустрии. Эта наука использует целый ряд методов, позволяющих исследовать структуру материалов. При изготовлении наукоёмких изделий в промышленности, особенно при работе с объектами микро- и наноразмеров необходимо детально знать характеристику, свойства и строение материалов. Решить эти задачи и призвана наука — материаловедение.

13. Полупроводниковые материалы – основа современной электроники. /13, 14/

Кратко рассмотреть твердотельные электронные приборы на базе полупроводниковых материалов, от которых они и получили свое наименование - полупроводниковые приборы.

14. Новые методы получения материалов для наноэлектроники. /14, 15/

Основу наноэлектроники составляют те же самые элементы, что и в микроэлектронике - транзисторы, но с нанометровым размером. Рассмотреть наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур. Технологии микро- и наноэлектроники.

15. Материалы и элементы электронной техники. /14, 15/

Рассмотреть физические процессы и явления, протекающие в активных диэлектриках и магнитных материалах в различных условиях их эксплуатации. Значительное внимание уделено новым перспективным материалам функциональной диэлектрической и магнитной электроники.

16. Солнечные элементы: физика, технология и электроника. /15, 16/

Рассмотреть основные физические процессы, протекающие в полупроводниковых солнечных элементах, при преобразовании солнечного излучения в электроэнергию.

17. Использование солнечных элементов. /15, 16/

Рассмотреть основные области применения солнечных элементов, при использовании энергия солнца напрямую преобразуется в электрическую.

18. Методы преобразования солнечной энергии. /15, 16/

Описать устройство полупроводниковых солнечных элементов, рассмотреть основные методы преобразования солнечной энергии в различные виды энергии и показывает, что каждый из них имеет определенные достоинства и недостатки.

19. Солнечные батареи на полупроводниковых структурах. /15, 16/

Теоретическая модель, объясняющая характерные особенности работы полупроводниковых фотопреобразователей.

20. Современная тенденция в развитии солнечных элементов. /15, 16/

Рассмотреть различные аспекты исследований, разработок и применения фотоэлектрического метода преобразования солнечной энергии, пути повышения их эффективности.

21. Оси симметрии в кристаллах. /17, 18/

Кратко рассмотреть основные сочетания имеющихся в кристаллической решётке поворотных осей симметрии и зеркальных плоскостей симметрии приводящих к делению кристаллов на 32 класса симметрии.

22. Жидкие кристаллы. /17, 18/

Рассмотреть свойства кристаллов, которые характеризуются жидкокристаллическим (мезоморфным) состоянием вещества называется такое состояние, свойства которого являются промежуточными между свойствами твердого кристалла и жидкости.

23. Природные и синтетические алмазы – уникальность областей применения. /17, 19/

Рассмотреть основные гипотезы происхождения природных алмазов, описать свойства и применение природных алмазов.

24. Алмаз – средоточие уникальных свойств среди природных материалов. /18, 19/

Рассмотреть свойства и параметры алмазов, которые делают эти кристаллы широко востребованными в промышленности.

25. Кристаллы в лазерной технике. /18, 19/

Рассмотреть области применения кристаллов использующихся в лазерной технике. Дать представление об основных направлениях применения лазеров в промышленности и космических исследованиях.