Литература

Основная:

1. Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В. Электронные приборы: Учеб. пособие. – Ростов н/Д.: Феникс, 2012.

2. Мазора Ю.Л., Мачуского Е.А., Правды В.И. Радиотехника. Энциклопедия. – М.: Издательский дом «Додека-XXI», 2009.

3. Садыков М.Ф. Микроэлектроника: Учеб. пособие. – Казань.: Казан. Гос.энерг.ун-т, 2007.

Дополнительная:

4. Изумнов Д.В., Костюнина Г.П. Основы полупроводниковой электроники: Учеб. пособие. – М.: Горячая линия-телеком, 2005.

5. Росадо Л., Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991.

6. Розанов Ю.К., Соколова Е.М. Электронные устройства электро-механических систем: Учеб. пособие для студентов высших учебных заведений. – М.: Издательский центр «Академия», 2004.

7. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: Учебник для вузов. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 2005.

8. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: Учебник для вузов. – 2-е изд., перераб. – М.: Высшая школа, 2005.

9. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники – М.: Сов. Радио, 1980.

10. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987.

11. Жеребцов И.П. Основы электроники – Л.: Энергоатомиздат, 1989.

12. Морозова И.Г. Физика электронных приборов. – М.: Атомиздат, 1980

13. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. – М.: Радио и связь, 1982.

14. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1987.

Содержание лекций

1. «Классификация интегральных микросхем: полупроводниковые и гибридные, на биполярных и МДП-элементах; цифровые и аналоговые; малой и средней, большой и сверхбольшой степени интеграции» (2 ч.)

2. «Активные и пассивные элементы интегральных микросхем. Планарная технология. П/п интегральные микросхемы: материалы, транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, проводники, контактные площадки» (2 ч.)

3. «Гибридные интегральные микросхемы. Тонкопленочные интегральные микросхемы. Толстопленочные интегральные микросхемы. Дискретные навесные элементы. Схемотехнические структуры интегральной микроэлектроники. ДТЛ, КМОП-логика, ТТЛ, ЭСЛ, И2Л» (2 ч.)

Содержание практических занятий

1. «Расчет пассивных элементов интегральных микросхем» (3 ч.)

2. «Расчет биполярных транзисторов Расчет МДП-транзисторов» (3 ч.)

Общие рекомендации по работе над курсом «основы технологии электронной компонентной базы»

Освоение курса следует начинать с уяснения его целей и задач. При первом чтении изучаемой темы необходимо получить общее представление об излагаемых вопросах, выделить основные понятия и отметить непонятные места. Затем отыскать в соответствующих справочных материалах ответы на появившиеся вопросы. При повторном чтении следует законспектировать рассмотренную тему с необходимыми пояснениями и ссылками.

Переходить к изучению новой темы следует только после полного изучения теоретических вопросов и выполнения самопроверки.

САМОПРОВЕРКА

Закончив изучение темы, ответьте на вопросы для самопроверки, внесите коррективы в конспект, который впоследствии поможет при повторении материала в период подготовки к экзамену.

КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ

В процессе изучения курса «основы технологии электронной компонентной базы» студент самостоятельно выполняет контрольную работу, которая является формой методической помощи при изучении курса. Преподаватель-рецензент указывает студенту на недостатки в усвоении материала курса, что позволяет устранить их.

ЛЕКЦИИ

В период установочной, экзаменационной сессии студентам читаются лекции обзорного характера на наиболее важные темы курса, а также рассматриваются вопросы, недостаточно полно освещенные в учебной литературе или вызывающие затруднения у большого числа студентов.

ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ

Целью практических занятий – привить студентам навыки в решении задач, в пользовании справочной и методической литературой.

КОНСУЛЬТАЦИИ

При возникновении затруднений в изучении теоретической части курса следует обращаться за консультацией к преподавателю в университет. При этом необходимо точно указать вопрос, вызывающий затруднения, место в учебнике, где он разбирается.

ЗАЧЕТ

Студенты сдают зачет после выполнения лабораторных работ. При сдаче зачета студент предъявляет лабораторный журнал с пометкой преподавателя о выполнении работ, предусмотренных планом. Для сдачи зачета необходимо изложить ход лабораторной работы, объяснить экспериментальные результаты.

ЭКЗАМЕН

К сдаче экзамена по основам технологии электронной компонентной базы допускаются студенты, имеющие одну зачтенную контрольную работу и зачет по практическим занятиям.

САМОСТОЯТЕЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ КУРСА

«ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ»

Основной материал курса изложен в приведенной выше литературе. По каждой теме приводятся ссылки с указанием страниц, где излагается данная тема. Номер учебника, указанный в квадратных скобках, соответствует его номеру в списке литературы. Далее приводятся вопросы для самопроверки, на которые следует отвечать после изучения каждой темы.

ВВЕДЕНИЕ

Литература: [1], с. 3 - 7;

[3], с. 3 - 5;

[5], с. 9 - 17;

[9], с. 5 - 6;

[10], с. 5 - 7;

[11], с. 5 - 6;

[12], с. 5 - 6;

[13], с. 6 - 8;

[14], с. 5 - 10.