- •Введение
- •1 Расчет параметров полупроводниковых диодов
- •2 Определение h-параметров биполярных транзисторов
- •Определение параметров h11э
- •Определение параметров h12э
- •Определение параметров h21э
- •Определение параметров h22э
- •3 Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора
- •4 Расчет параметров и характеристик полевых транзтсторов
- •Определение параметра s
- •Определение параметра Ri
- •Определение параметра
- •Определение параметра Ro
- •Заключение
- •Список используемых источников
3 Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора
Задаемся исходными данными для расчета
транзистор |
EК, В |
RК, Ом |
I0Б, мА |
ImБ, мА |
КТ104В |
20 |
500 |
0,4 |
0,2 |
Расчет начинается с построения рабочей характеристики,называемой линией нагрузки.
Iк=-
Это уравнение первой степени,следовательно, линия нагрузки представляет собой прямую линию ,которую проще всего строить по двум точкам пересечения с осями координат:
Jк=0 Uкэ=Е2
Uкэ=0 Jк=E2/Rк
Для заданных исходных данных строим выходную рабочую характеристику(pисунок 3.1).
Jк=0 Uкэ=Е2=20В точка N
Uкэ=0 Jк=Е2/Rк=20В/500м=40мА точка M.
Рабочую точку ИРТ наносим на пересечении линии нагрузки со статистической характеристикой,соответствующей заданному режиму Iбо=300мкА=const. После этого определяем состояния выходной цепи в режиме покоя(при отсутствии входного сигнала),
Iко=25мА Uкэо=8В.
и мощность Рко,выделяющуюся в транзисторе в режиме покоя,
Рко=IкоUкэо
Pкmax.
которая должна быть меньше максимально допустимой рассеиваемой мощности.
Для рассматриваемого примера :
Рко=IкоUкэо=25мА*8В=200мВт.
Рисунок 3.1-Линия нагрузки биполярного транзистора.
По справочным данным определяем, что для транзистора КТ104В постоянная рассеиваемая мощность коллектора составляет Ркmax= 150. Следовательно, необходимо применять дополнительные меры теплоотвода.
Часто для проверки режима работы транзистора строят кривую Ркmax=const,ограничивающую область допустимых режимов транзистора.Эта кривая представляет собой г
иперболу .
Iко=
Построим кривую допустимых режимов работы транзистора для Ркmax=150 мВт(Рисунок 3.1) Видно ,что выбранный режим работы является недопустимым.
По заданной амплитуде входного сигнала Iмб находим точки А и В максимального отклонения от положения ИРТ(Рисунок 3.1). Эти точки находим на пересечении линии нагрузки со статистическими характеристиками .
Точка А: при Iба=Iбо+Iмб=800 мкА,
Точка В:при Iбв=Iбо-Iмб=400 мкА.
На проекции рабочего участка на оси координат определяются амплитуды переменных составляющих выходного тока и выходного напряжения.
Iмк=(Iка-Iкб)/2=(33мА-15мА)/2=9мА
Uмкэ=(Uкб-Uка)/2=(15В-7В)/2=4В.
Рисунок 3.2-Определение амплитуды выходного тока и напряжения.
После этого можно определить выходную мощность.
Рвых=0.5*Iмк*Uмкэ
Рвых=0.5* 9мА*4В=18мВт.
4 Расчет параметров и характеристик полевых транзтсторов
Задаем режим работы транзистора по постоянному току(задаем положение исходной рабочей точки).
транзистор |
UСИ =const, В |
Исходная рабочая точка |
|
UЗИ, В |
UСИ, В |
||
КП312Б |
5В |
-0.5В |
5В |
Наносим положение ИРТ на характеристику Uзи=-0,5В=const при Uси=5В и определяем ток стока (pисунок 4.1).
Iсо=1,3мА.
Рисунок 4.1-определение параметра S.
