2 Определение h-параметров биполярных транзисторов

Задаем режим работы транзистора по постоянному току (задаем положение исходной рабочей точки):

транзистор	Параметры h11, h12, ИРТ		Параметры h21, h22, ИРТ
	IБ, мА	UКЭ, В	IБ, мА	UКЭ, В
КТ3107В	0.6	5	0.6	4

Параметры h11э и h12э определяют по входным статистическим характеристикам(рисунок 2.1). Для того, что бы нанести положение ИРТ,возьмем характеристику U_кэ=5В и на ней отметим точку, соответствующую I_б=0,6мА. После этого можем для ИРТ найти

U_бэо=0,9В.

Рисунок 2.1-Определение параметров h11э.

Определение параметров h11э

Для выполнения условий U_кэ=const выбираем две точки на характеристики U_кэ=5В рядом с ИРТ(рисунок 2.1).

Для точки А: U_бэа=1В I_ба=0,8мА U_кэа=5В,

Для точки В: U_бэв=0.85В I_бв=0,4мА U_кэв=5В,

Для ИРТ: U_бэо=0,9В I_бо=0,6мА U_кэо=5В.

Как видно, для всех трех точек выполняется равенство U_кэ=5В=const по графикам (рисунок2.1) определяем приращение точками А и В находим параметры h11э:

h11э= (U_бэа-U_бэв)/(I_ба-I_бв)=(1В-0.85В)/(0,8мА-0,4мА)=375 Ом.

Определение параметров h12э

Для выполнения условий I_б=const на характеристике U_кэ=0В выбираем точку С, для которой I_б=0,6мА.(pисунок 2.2 ).

Для точки С: U_бэс=0,65В U_кэс=0В I_бс=0,6мА,

Для ИРТ: U_бэо=0.9В U_кэо=5В I_бо=0,6мА.

Рисунок 2.2 – Определение параметра h12э.

Как видно,для этих двух точек выполняется условие I_б=0,6мА=const. По графикам находим (рисунок2.2) определяем приращение между точками С и ИРТ находим параметры h12э:

h12э= (U_бэо-U_бэс)/(U_кэо-U_кэс)=(0.9В-0.65В)/(5В-0В)=0,05.

Параметры h21э и h22э определяют,по выходным статистическим вольт-амперным характеристикам (рисунок 2.3).Для того чтобы найти положение ИРТ :I_бо=600мА,U_кэо=4В ,выходную характеристику при I_б=20мА ,и на ней отметим точку ,соответствующую U_кэо=4В. После этого для заданной ИРТ найдем :

Iко=30мА.

Рисунок 2.3-определение параметров h21э.

Определение параметров h21э

Для выполнения условий U_кэ=const выберем две точки т.Д и т.Е выше и ниже ИРТ на характеристиках I_б=0,6 мА U_кэ=4В (рисунок 2.3).

Для точки Д: I_кд=40А I_бд=800мА U_кд=4В,

Для точки Е: I_ке=20А I_бе=400мА U_ке=4В,

Для ИРТ: I_ко=30А I_бо=600мА U_ко=4В.

Как видно ,для этих трех точек выполняется условие U_кэ=4В=const. По графикам (Рисунок2.3) определяем приращение между точками Д и Е находим параметры h21э:

h21э= (I_кд-I_ке)/(I_бд-I_бе)=(40мА-20мА)/(800мА-400мА)=50.

Определение параметров h22э

Для выполнения условия Iб=const выбираем на характеристике Iб=20мА две точки F и G (рисунок2.4).

Для точки G: I_кg=33мА U_кэg=6В I_бg=600мА,

Для точки F: I_кf=25мА U_кэf=2В I_бf=600мА,

Для ИРТ: I_ко=30А U_кэо=4В I_бо=600мА.

Рисунок 2.4-определение параметра h22э.

Как видно, для этих точек выполняется следующие условия I_б=600мА=const. По графикам (Рисунок2.4) определяем приращение между точками G и F находим параметры h22э:

h22э= (I_кg-I_кf)/(U_кэg-U_кэf)=(33мА-25мА)/(6В-2В)= =2мСм.

Отметим важную особенность,что приращение токов и напряжений при определении различных параметров находятся при разных условиях и поэтому не равны между собой . Например ,при расчете h21э и h22э используется приращение тока коллектора Однако ,в первом случае оно определяется при U_кэ=сonst,а во втором при I_б=const как было показано ранее,

.