14 Билет

1) Вольт -амперные характеристики транзистора  2.4. Схема с общим коллектором

Для схемы включения транзистора с ОК обычно справочные данные, в том числе по ВАХ, не приводятся. Входными переменными являются базовый ток i_Б и напряжениеu_БК , выходные – ток эмиттера и напряжение эмиттер - коллектор. Входные ВАХ по форме мало отличаются от входных ВАХ схемы ОЭ, но диапазон изменения входного напряжения здесь практически такой же, как диапазон изменения выходного напряжения (см.рис.3.8,а, где пунктиром показана входная ВАХ транзистора с ОЭ). Поскольку выходное напряжение здесь отличается от выходного напряжения транзистора ОЭ на относительно малую величину u_БЭ , то и выходные ВАХ мало отличаются от ВАХ транзистора ОЭ, лишь для того же входного тока выходной ток несколько выше, поскольку i_Э = i_К + i_Б и i_Б << i_К (см.рис.3.8,б).

Рис. 3.8

Коэффициент передачи тока в этой схеме включения транзистора равен

Выходное напряжение чуть меньше выходного, так как  . Поэтому схемы с использованием транзистора с ОК называют повторителями напряжения или эмиттерными повторителями, поскольку нагрузка обычно подключаются к эмиттеру. Для анализа схем с ОК достаточно иметь ВАХ или параметры транзисторов с ОБ или ОЭ.

 

Рис. 3.8. Вольт-амперная характеристика транзистора:

а – входная характеристика; б – выходная характеристика

 

 

При   = 0 входная характеристика транзистора соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного p–n-перехода (рис. 3.8, а). С увеличением   ток базы   уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении   растет напряжение, приложенное к коллекторному p–n-переходу в обратном направлении. Из-за этого уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как большинство носителей быстро втягиваются в коллектор

Характер выходных характеристик тран­зистора (рис. 3.8, б) определяется величиной напряжения  , прикладываемого к коллекторному переходу  .  В схеме с ОЭ это напряжение определяется разностью напряжений выходной   и входной   цепи транзистора (рис. 3.9)   .           (3.26)   При этом входное напряжение   (см. рис. 3.3, б) прикладывается к коллекторному переходу   в прямом, а напряжение выходной цепи   – в обратном направлении. Поэтому при   напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от   до   велика.

При дальнейшем увеличении напряжения   крутизна выходных характеристик уменьшается, они располагаются почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит главным образом от величины тока базы  .

Если эмиттерный переход транзистора перевести в непроводящее состояние,  т. е. подать на эмиттерный переход   напряжение отрицательной полярности  , то ток коллектора снизится до величины   и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающего по цепи база–коллек­тор. Область коллекторных характеристик, лежащих ниже характеристики, соответствующей  , называют областью отсечки.