- •1.Аморфты және сұйық материалдарды алу және зерттеудің негізгі этаптары ( кезеңдері )
- •1) Газ тәріздес металдарда
- •2) Ионизацияланған металдарда
- •2.«Аморфты және сұйық материалдар» курсының анықтамасы, теориялық негіздері.
- •3.Вакуумдық техника
- •4.Форвакуумдық сорғыш
- •5Диффузиялық сорғыш.
- •6Вакуумдық лампалар жұмыс істеу принципі
- •7.Қатты денелердегі химиялық байланыстардың типтер
- •8.Аморфты және сұйық материалдар.
- •10Кристалдың және ретсіз заттардың энтальпиясы мен энергиясы
- •11Термиялық әдіспен жұқа қабықшаларды орналастыру
- •14.Тасымалдаушылардың потенциалдық энергиясындағы кездейсоқ және кездейсоқ емес ауытқулар
- •15.Магнетрондық әдіспен аморфты көміртек қабықшаларын алу
- •16. Аморфты металдарды алу жолдары.
- •Аморфты металдарды бірнеше әдістермен алу;
- •19. Рентген құрылымдық сараптау.
- •21.Нейтрондар дифракциясы
- •23. Аморфты қабатты күлгін разрядта орналастыру.
- •25.Газдық фазадан аморфты көміртек қабықшаларын алу.Булы фазада химиялық орналастыру. ( cvd)
- •26.Сутегі ендірілген аморфты кремнийді алу жолдары
- •27.Әртүрлі құрылымдық модификациада аморфты алмазтәріздес көміртегі қабықшаларын алу
- •28.Ретсіз орналасқан атомдық құрылымдағы алыс және жақын қатарлары туралы түсінік.
- •29.Бекітілген қатар.
- •33. Атомдар орналасуындағы жақын көршілер саны.
- •34. Жоғары жиілікте тозаңдату әдісімен алынған халькогенидті жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігін анықтау.
- •35. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштің жады мен айырып қосу эффектісі.
- •36.Шыны тәріздес заттар
- •38Тотыққан шынылардың химиялық байланысы, құрамы, құрылысы.
- •39.Көміртек ендірілген аморфты кремний қабықшаларын зерттеу
- •40.Кристалл емес жартылай өткізгіштер негізінде жасалған резистер мен оптикалық ақпарат тасушылар.
- •41Шыны тәріздес халькогенидті жартылай өткізгіштер. Аморфты германий, кремний, көміртегі
- •42Аморфты материалдардың оптикалық қасиеттерін зерттеу
- •43Аморфты және сұйық металдар және асқын өткізгіштер. Асқын өткiзгiштiк
- •44Аморфты металдар құрылысы. Меншікті кедергі. Орташа атомдық магнит моменті.
- •46.Андерсон бекітілуі. Бекітілген және бекітілмеген электрондық күйлер. Электрондық күйлердің тығыздығы
- •47.Аморфты материалдардың Раман спектрі.
- •48. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштердегі және диэлектриктердегі электрондардың энергетикалық спектрі. Зоналық модельдер.
- •49. Құрылымның өздік ақаулары.
- •51. Ығыспалы қозғалгыштыкты аныктау әдісі. Ти- жане вч- қабыкшалардағы As2Se3 и As2s3 заряд тасымалдаушыларының ығыспалы қозғалгыштығы.
- •52. Электрография
- •53. Ионды плазмалы тозаңдатумен алынған As-Se системалы аморфты қабыкшалардағы электрондардың энергетикалық спектрінің ерекшеліктері
- •54. Аморфты алмазтәріздес көміртекті (а-с:н) қабыкшаларының электрондық жане кұрылымдық қасиеттерін модификациалау.
- •60 Химиялық байланыс түріне тәуелді кристалдық материалдардың физикалық
19. Рентген құрылымдық сараптау.
Қатты денелердіңатомдық құрылымы рентгендік, электрондық және нейтрондық дифракция әдісімен зерттеледі. Қалыңдығы бірнеше микрон қабықша үшін рентгендік дифракция әдісі ең тиімді болып табылады.Төсеніштегі аморфты қабықшалардың (АҚ) атомдық құрылымынының параметрлерін анықтау үшін рентгендік дифракция әдісін қарастырамыз. аморфты қабықшалардың атомдық құрылымының жақын және орта қатарларының параметрлерін анықтау 2 (тұрақты сырғанау бұрышы) режімінде рентгендік дифрактометрді және монохроматтық сәулеленуді (қарапайым мыс катодының сәулеленуін К1,5418 Å) пайдаланады. Рентгендік сәулеленудің сырғанау бұрышы бірнеше градустан тұрады.(8.1.-сурет) Рентгендік сәулелердің дифрациясының интесивтілігінің шашырау бұрышына тәуелділігі мүмкіндігінше шашырау бұрышының ( 5-тан 136-қа) үлкен аумағында тіркеледі.
1 – аморфты қабықша; 2 – төсеніш; 3 – рентген сәулелер көзі; 4 – монохроматор; 5 – детектор; 6 – күшейту жүйесі, рентгендік сәулелердің интенсивтілігін өлшеу және тіркеу; = 4,52– сырғанау бұрышы, d – қабықша қалыңдығы.8.1.-сурет. Рентгендік дифрактометрдің блоктық-сүлбесі және 2 режімінде I(2) спектралдық тәуелділікті алудағы қабықша үлгілерінің орналасу геометриясы.Аморфты материалдардағы рентгендік сәулелердің дифрациясы туралы теориялық жұмыстардан, атом аралық радиалды функция W(R) және атомдық тығыздықтың радиалдық функциясы ρ(R)=<ρ>W(R) шашыраған сәулелердің интенсивтіліктің бұрыштық таралуы I(S) байланыстары мына қатынастарымен беріледі:
,
(8.1)Мұндағы N
–көлем бірлігіндегі атомдар саны, <>
-орташа атомдық тығыздық,
S =
(4π·sinθ)/λ
– шашыраудың бұрыштық факторы, ,
F2
– шашыраудың атомдық факторы
Атомдардың радиалдық таралу функциясы мына қатынас бойынша есептеледі:
,
(8.2)Мұндағы a(S)
= I(S)/NF2
– құрылымдық фактор, a(S)
= I(S)/NF2
– шашырау бұрышы,λ
–сәулеленудің толқын ұзындығы. J(S)-тің
тәжірибелік мәндерінен W(R)
және ρ(R)
функцияларын табу рентген сәулелерінің
интенсивтілік қисықтарын интегралдық
сараптау әдісі деген атау алды.
Аморфты
қабықшадан шашыраған сәулелер
жарым-жартылай поляризацияланады,ол
интенсивтіліктің азаюына алып келеді.
Рентген сәулелері затпен әсерлескенде
энергияның бір бөлігі заттың әртүрлі
ішкі энергиясына ауысады. Бұл жарым-жартылай
үлгіге түсетін сәуленің жұтылуына
әкеледі. Сондықтан тәжірибелік рентген
сәулелерінің шашырау интенсивтілік
қисығына түзетулер поляризациялануға
P(θ)
және сәуленің жұтылуына А енгізіледі.
,
|
|
20. Электрондық микроскопия. Электронды микроскоптың көрсеткіштік қабілеті өте жоғары. Қазіргі электронды микроскоптың көрсеткіштік қабілеттілігі 0,1-0,3 нм-ге дейін жетеді. Электрондық микроскоптың құрылыс принципі жарық микроскопына ұқсас, сәулелерінің рөлін электртоғымен қыздырылған вакуумда орналасқан V пішінді фольфрам жібі электрондар тасқынының қызметін атқарады, әйнек линзалардың орнында электромагниттік линзалар орналасқан. Жарық микроскопының объективі мен окулярының орнына электрондық микроскоптың магниттіккатушкаларысәйкескеледі. Электронды микроскопта (ЭМ) міндеттітүрде ваккум болуы қажет, себебі ауада электрондар алысқа кетеа лмайды, оттегі, азот немесе көмірқышқылгазы молекулалармен кездессе, олар бөгеліп өз жолын өзгертіп шашырай кетеді. Электрондар тасқынының бағытын қажетіне қарай қуатты электрөрісі немесе магнит өрісімен өзгертуге болады. Электрондардың жылдамдығы үдесе, электрондық микроскоптың шешуші кабілеті артады.Электронды микроскоптың экраны мен фотопластинкада 50 000 есе үлкейтуге, фотошығаруда одан да көп есе үлкейтуге (10) болады. Қазіргі уақытта флуоресценцияланатын экраннан электронды-микроскопиялық суреттерді сандық телекамерамен компьютерге беріледі. Принтерді пайдалана отырып, суреттерді шығара алады. Электронды микроскоптың көмегімен металл мен кристалды торларда зерттеуге қолданады. Электронды микроскоптарда жарықтың орнына электрон сәулелері қолданылады, осыған байланысты қолданылатын қуаттың күші 50—100 кВ-қа дейін барады, ал толқын ұзындығы 0,056—0,035 А°-ге жетеді. Толқын ұзындығы неғұрлым қысқа болса, микроскоптың көрсеткіштік қабілеттілігі сорғұрлым артатынын физика курсынан жақсы білеміз. Осыған байланысты электронды микроскоптардың көрсеткіштік қабілеттілігі —1—7 А°-ға, ал үлкейткіштік қабілеттілігі 600 000-ға дейін жетеді. Электронды микроскоптың көмегімен қарайтын заттың қалыңдығы 400—600А° препаратты көруге болады, өйткені приборды ультрамикротом деп атайды. Осы прибордың көмегімен жұқа кесінді жасап, оны объекті торына бекітіп, арнайы бояулармен бояп, электронды микроскоппен қарайды. Электрон сәулелері препарат арқылы өткенде объектінің үлкейтілген қалың препараттан электрондар өте алмайды, олардың өткізгіштік қасиеті нашар. Электронды микроскопқа препарат дайындайтын «көлеңкесі» экранға түседі.[1]
