- •1.Аморфты және сұйық материалдарды алу және зерттеудің негізгі этаптары ( кезеңдері )
- •1) Газ тәріздес металдарда
- •2) Ионизацияланған металдарда
- •2.«Аморфты және сұйық материалдар» курсының анықтамасы, теориялық негіздері.
- •3.Вакуумдық техника
- •4.Форвакуумдық сорғыш
- •5Диффузиялық сорғыш.
- •6Вакуумдық лампалар жұмыс істеу принципі
- •7.Қатты денелердегі химиялық байланыстардың типтер
- •8.Аморфты және сұйық материалдар.
- •10Кристалдың және ретсіз заттардың энтальпиясы мен энергиясы
- •11Термиялық әдіспен жұқа қабықшаларды орналастыру
- •14.Тасымалдаушылардың потенциалдық энергиясындағы кездейсоқ және кездейсоқ емес ауытқулар
- •15.Магнетрондық әдіспен аморфты көміртек қабықшаларын алу
- •16. Аморфты металдарды алу жолдары.
- •Аморфты металдарды бірнеше әдістермен алу;
- •19. Рентген құрылымдық сараптау.
- •21.Нейтрондар дифракциясы
- •23. Аморфты қабатты күлгін разрядта орналастыру.
- •25.Газдық фазадан аморфты көміртек қабықшаларын алу.Булы фазада химиялық орналастыру. ( cvd)
- •26.Сутегі ендірілген аморфты кремнийді алу жолдары
- •27.Әртүрлі құрылымдық модификациада аморфты алмазтәріздес көміртегі қабықшаларын алу
- •28.Ретсіз орналасқан атомдық құрылымдағы алыс және жақын қатарлары туралы түсінік.
- •29.Бекітілген қатар.
- •33. Атомдар орналасуындағы жақын көршілер саны.
- •34. Жоғары жиілікте тозаңдату әдісімен алынған халькогенидті жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігін анықтау.
- •35. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштің жады мен айырып қосу эффектісі.
- •36.Шыны тәріздес заттар
- •38Тотыққан шынылардың химиялық байланысы, құрамы, құрылысы.
- •39.Көміртек ендірілген аморфты кремний қабықшаларын зерттеу
- •40.Кристалл емес жартылай өткізгіштер негізінде жасалған резистер мен оптикалық ақпарат тасушылар.
- •41Шыны тәріздес халькогенидті жартылай өткізгіштер. Аморфты германий, кремний, көміртегі
- •42Аморфты материалдардың оптикалық қасиеттерін зерттеу
- •43Аморфты және сұйық металдар және асқын өткізгіштер. Асқын өткiзгiштiк
- •44Аморфты металдар құрылысы. Меншікті кедергі. Орташа атомдық магнит моменті.
- •46.Андерсон бекітілуі. Бекітілген және бекітілмеген электрондық күйлер. Электрондық күйлердің тығыздығы
- •47.Аморфты материалдардың Раман спектрі.
- •48. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштердегі және диэлектриктердегі электрондардың энергетикалық спектрі. Зоналық модельдер.
- •49. Құрылымның өздік ақаулары.
- •51. Ығыспалы қозғалгыштыкты аныктау әдісі. Ти- жане вч- қабыкшалардағы As2Se3 и As2s3 заряд тасымалдаушыларының ығыспалы қозғалгыштығы.
- •52. Электрография
- •53. Ионды плазмалы тозаңдатумен алынған As-Se системалы аморфты қабыкшалардағы электрондардың энергетикалық спектрінің ерекшеліктері
- •54. Аморфты алмазтәріздес көміртекті (а-с:н) қабыкшаларының электрондық жане кұрылымдық қасиеттерін модификациалау.
- •60 Химиялық байланыс түріне тәуелді кристалдық материалдардың физикалық
11Термиялық әдіспен жұқа қабықшаларды орналастыру
Жұқа қабықшаларды орнату келесі операциялардан тұрады:
Өңделетін төсеніштерді ашық қақпа кезінде төсеніш ұстағышқа бекіту орнату
Жұмысшы камера тауып (герметика) керекті вакуумге дейін ау сору;
Отырғызылатын өнім жасаушы атом (молекула) ағынын қосу (жіберу)
Үздіксіз вакуумды жүйе мен бөлшек ағыны негізінде қажетті қалыңдықта пленканы қою (нанести);
Бөлшек ағынының источнигін өшіру, төсенішті суыту, жұмысшы камераға атмосфералық қысымға дейін ауа жіберу.
Қақпаны ашып төсеніш ұстағыштан өңделген төсенішті алу. Кей-кезде қосымша операциялар жасалады (м/а, төсенішті алдын ала қоздыру).
Жұқа пленкалы вакуумды технология
Жұқа пленкаларды қоюда бөлшек ағынын генрациялау 2 әдіспен жүреді термиялық булану және иондық булану.
Термиялық булану Ионды қыздыру
Резистивті қыздыру
Электронды-сәулелі
қыздыру
Қарапайым диодты жүйе
Магнетронды жүйе
Вакуумда қабықшаны орнатудың негізгі технологиялық әдістерінің классификациясы.Термиялық буландыру әдісі арнайы буландырғыштағы заттарды қыздыруға негізделген. Қыздыру булану процесі басталған температураға дейін қыздыру және буландырғыштан белгілі бір қашықтықта орналасқан өңделетін беттегі жұқа қабықшалар түріндегі заттардың буларының конденсациясы арқылы жүзеге асады. Буланатын материалды қыздыру әдісінің маңызды факторы: резистивті және электронды –сәулелік.Термиялық вакуумдық тұндыру принципін 2-суретте көрсетілген вакуумдық тозаңдату құрылғыларын ішкі камералық қондырғысы орнатылатын қарапайым схемамен түсіндіруге болады. Тозаңдатуға қатысатын заттар қыздырғыш (буландырғыш) қондырғыға (5) кедергі жасайды. Камера ішінде (3) пайда болатын вакуумда заттың молекулалары қоршаған ортада подложка бетіне (2) жетіп еркін әрі жылдам таралады. Егер төсеніш температурасы критикалық мәннен аспаса төсеніште заттың конденсациясы жүреді. Буландырудың алғашқы сатысында пленканың ластануынан қорғау үшін буланатын заттың адсорбцияланған бетінің қоспасы есебінен заттың төсенішке ағынын уақытша жабатын (4) заслонка қолданылады. Қыздырғыштың (1) көмегімен тозаңдату алдындағы төсеніштің қызуы беттегі ластанулардың десорбциялануына әкеледі, ал тұндыру процесі кезінде өсетін пленканың құрылымының жақсаруына мүмкіндік туғызады: 1-қыздырғыш, 2- төсеніш беті, 3- камера іші, 4- заслонка, 5- буландырғыш
2-сурет Вакуумдык тозандату кондыргысынын ышкы камералык курылымынын карапайым схемасы
14.Тасымалдаушылардың потенциалдық энергиясындағы кездейсоқ және кездейсоқ емес ауытқулар
Реттелмеген конденсирленген жүйеде мысалдардың тізімін жалғастыруға болар еді, бірақ олардың анықтамалары маңызды. Күш өрісінің ауытқуы периотты және реттелмеген жүйеде айқын. Ауытқу үлгідегі әр түрлі нүктеде кездейсоқ болады, электрон энергиясының потенциалы кеңістікте хаосты, реттелген қозғалыста болады. Күш өрісінің сипаттамасы-статистикалық, өріс-кездейсоқ деп аталады. Реттелмеген жүйені анықтау арқылы кездейсоқ өрістерді сипаттай аламыз.
Реттелмеген
жүйеде күш өрісінің кездейсоқ компоненті
әр түрлі болуы мүмкін, заряд тасушылардың
реттелмеген жүйеде тәртібі пайда болады.
Ақаулы монокристалда бұл кездейсоқ
компонента аз болуы мүмкін. Жартылай
өткізгішті монокристалда қоспа атомының
бірнеше бөлшегі бар электронның
потенциалды энергиясын қарастырамыз.
Өрісте электрон энергиясы
(5.1)Бұнда V( )-өрістегі I қоспа центрінің координаты R электронның потенциалдық энергиясы. R ақаулар координаты кездейсоқ болғандықтан V кездейсоқ көлем. N – ақаулар концентрациясы, r –күш радиусы деп белгілейік. Еркін электронда сипаттамалық Бройл толқын ұзындығы (лямбда) тең деп алайық. 5.1 суретте r, (лямбда), орташа ақаулар ара-қашықтығы N арасында бағалылығы бірдей емес.
