51. Ығыспалы қозғалгыштыкты аныктау әдісі. Ти- жане вч- қабыкшалардағы As2Se3 и As2s3 заряд тасымалдаушыларының ығыспалы қозғалгыштығы.

Вакуумда термиялық шашырау (ТШ-қабықшалары) әдісімен алынған халькогенитті шынылы As₂ Se₃ және артық мышьякты құрамды монолиттік үлгілер сияқты қабықшаларында қозғалғыш заряд тасымалдаушылар тек қана кемтіктер болып табылады. Бұл ХСП-дағы Фермий деңгейі тиым салынған зонаның ортасында орналасқан және электрондарды терең қармағыштардың қармауына байланысты. Ионды-плазмалық (жоғары жиілікпен тозаңдату әдісімен алынған ЖЖ-қабықша). Осы ХСП жүйесінің аморфты қабықшаларда қозғалғыш заряд тасымалдаушылары болып кемтіктер сияқты, электрондар да саналады. ХСП-дағы заряд тасымалдаушылардың дрейфі локальденген күйімен бақыланады, ТШ және ЖЖ-қабықшаларының электрондық күйлерінің спектрінде айтарлықтай айырмашылық бар, осы құблысты түсіндіретін сапалы модель ұсынылған болатын. ЖЖ-қабықшақтардағы қозғалғыш электрондардың пайда болуының және қабыршалардағы мышьяк атомдарының концентрациясының өсуімен (ұлғаюымен) электрондар мен кемтіктер қозғалғыштығының өзгеруі түсіндірілмей қалды. Сонымен қатар, ХСП локальденген күйден күрделі энергетикалық спектрге ие, қаыптастырудың айтарлықтай үлесін өзіндік деффекттер құрайды, ол корреляцияның теріс эффективті энергиясының ортасы U^- деп аталады. Бұл орта нүктелік зарядталған деффекттер (ақаулар) D⁺ және D^- күйінде болады, экзотермиялық реакцияда нейтральді исходный күйде D⁰ құрылған.

(14.2)

Қозғалғыш массалар заңына сәйкес концентрациялардың D⁺ және D^- сандық қатынасы мына түрде жазылады:

(14.3)

D⁺ және D^- ортасы ХСП-да тыйым салынған зонаның ортасына Фермий деңгейін бекітеді және электрондар мен кемтіктер үшін ловушка (қақпан) болып табылады, заряд тасымалдаушылардың тасымалдауын бақылайды.

Вакуумда ионды-плазмалық жоғары жиілікті тозаңдату және термиялық буландыру әдісімен алынған U^—ортасында модельді ұсынымдар бағдарынан заряд тасымалдаушылардың дрейфтік қозғалысын зерттеудің экспериментальді нәтижесін қарастырайық стехиометриялық құрамды As₂ S₃ қабықшаларында және артық құрамды мышьяктағы As₂ S₃, As₃ Se₂

14.10-суретте электрондар мен кемтіктердің дрейфтік қозғалғыштығының электр өрісі кернеуі E=10⁵B/см және температура T=300K кезіндегі мышьяк концентрациясынан тәуелділігі көрсетілген суреттен, ТИ-қабықшаларында қозғалғыш тасымалдаушылар тек кемтіктер екенін көруге болады. Стехиометриялық құрамды As₂ Se₃ қабыршақ үшін μ_p≈2×10^-5см²/(В×с) құрайды. Қабықшада мышьяк концентрациясының 40-тан 60 ат.%-ға ұлғаюынан кемтіктің дрейфтік қозғалғыштығы айтарлықтай азаяды, ал As₃ Se₂-де μ_p≈2×10^-7см²/(В×с) құрайды.

14.10-сурет Вакуумда ЖЖ-тозаңдату (1,2) және термиялық шашыратудан алынған As S жүйелі аморфты қабықшадағы кемтіктердің (1,3) және электрондардың (2) дрейфтік қозғалғыштығының мышьяк конструкциясынан тәуелділігі, F=10⁵ B/см, T=300K.

ЖЖ-қабықшалардың ТШ-қабықшалардан айырмашылығы, қозғалғыш заряд тасымалдаушылар кемтіктер мен қатар электрондар, оның үстіне As₂ S₃ құрамы үшін электрондар мен кемтіктер практикалық түрде сәйкес және μ_р≈μ_n≈10^-5см²/(В×с) құрайды, яғни бұл қабықшаларда биполярлық тасымалдау байқалады. Мышьяктың құрамы артқан сайын осы жүйедегі қабықшада μ_n айтарлықтай көбейеді және μ_р едәуір азаяды. Мысалы, As₃ Se₂ құрамы үшін электрондар мен кемтіктердің қозғалғыштығы μ_n≈2×10^-4 см²/(В×с) және

μ_р≈5×10^-7см²/(В×с), яғни монополярлы электрондық тасымалдау практикалық түрде байқалады.