- •1.Аморфты және сұйық материалдарды алу және зерттеудің негізгі этаптары ( кезеңдері )
- •1) Газ тәріздес металдарда
- •2) Ионизацияланған металдарда
- •2.«Аморфты және сұйық материалдар» курсының анықтамасы, теориялық негіздері.
- •3.Вакуумдық техника
- •4.Форвакуумдық сорғыш
- •5Диффузиялық сорғыш.
- •6Вакуумдық лампалар жұмыс істеу принципі
- •7.Қатты денелердегі химиялық байланыстардың типтер
- •8.Аморфты және сұйық материалдар.
- •10Кристалдың және ретсіз заттардың энтальпиясы мен энергиясы
- •11Термиялық әдіспен жұқа қабықшаларды орналастыру
- •14.Тасымалдаушылардың потенциалдық энергиясындағы кездейсоқ және кездейсоқ емес ауытқулар
- •15.Магнетрондық әдіспен аморфты көміртек қабықшаларын алу
- •16. Аморфты металдарды алу жолдары.
- •Аморфты металдарды бірнеше әдістермен алу;
- •19. Рентген құрылымдық сараптау.
- •21.Нейтрондар дифракциясы
- •23. Аморфты қабатты күлгін разрядта орналастыру.
- •25.Газдық фазадан аморфты көміртек қабықшаларын алу.Булы фазада химиялық орналастыру. ( cvd)
- •26.Сутегі ендірілген аморфты кремнийді алу жолдары
- •27.Әртүрлі құрылымдық модификациада аморфты алмазтәріздес көміртегі қабықшаларын алу
- •28.Ретсіз орналасқан атомдық құрылымдағы алыс және жақын қатарлары туралы түсінік.
- •29.Бекітілген қатар.
- •33. Атомдар орналасуындағы жақын көршілер саны.
- •34. Жоғары жиілікте тозаңдату әдісімен алынған халькогенидті жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігін анықтау.
- •35. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштің жады мен айырып қосу эффектісі.
- •36.Шыны тәріздес заттар
- •38Тотыққан шынылардың химиялық байланысы, құрамы, құрылысы.
- •39.Көміртек ендірілген аморфты кремний қабықшаларын зерттеу
- •40.Кристалл емес жартылай өткізгіштер негізінде жасалған резистер мен оптикалық ақпарат тасушылар.
- •41Шыны тәріздес халькогенидті жартылай өткізгіштер. Аморфты германий, кремний, көміртегі
- •42Аморфты материалдардың оптикалық қасиеттерін зерттеу
- •43Аморфты және сұйық металдар және асқын өткізгіштер. Асқын өткiзгiштiк
- •44Аморфты металдар құрылысы. Меншікті кедергі. Орташа атомдық магнит моменті.
- •46.Андерсон бекітілуі. Бекітілген және бекітілмеген электрондық күйлер. Электрондық күйлердің тығыздығы
- •47.Аморфты материалдардың Раман спектрі.
- •48. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштердегі және диэлектриктердегі электрондардың энергетикалық спектрі. Зоналық модельдер.
- •49. Құрылымның өздік ақаулары.
- •51. Ығыспалы қозғалгыштыкты аныктау әдісі. Ти- жане вч- қабыкшалардағы As2Se3 и As2s3 заряд тасымалдаушыларының ығыспалы қозғалгыштығы.
- •52. Электрография
- •53. Ионды плазмалы тозаңдатумен алынған As-Se системалы аморфты қабыкшалардағы электрондардың энергетикалық спектрінің ерекшеліктері
- •54. Аморфты алмазтәріздес көміртекті (а-с:н) қабыкшаларының электрондық жане кұрылымдық қасиеттерін модификациалау.
- •60 Химиялық байланыс түріне тәуелді кристалдық материалдардың физикалық
42Аморфты материалдардың оптикалық қасиеттерін зерттеу
Оптикалық талшық (световод) – өзінің бойымен жарықты таситын, кристалл емес жартылай өткізгіш, әйнек немесе пластмассадан жасалған талшық. Оптикалық талшықтың жіптері, ішкі толық шағылу құбылысының көмегімен ақпаратты жарық импульстері түрінде тасиды. Оптикалық ақпарат тасушы талшық екі негізгі элементтен тұрады: ортасы және қабығы. Ортасының сыну көрсеткіші, қабығының сыну көрсеткішінен көп болғандықтан жарық екі ортаның шегарасында шағылып, талшықтың ортасымен ғана жүреді.Көбінесе қолданатын оптикалық передатчиктер – жартылайөткізгішті құрылғылар, светодиодтар мен лазерлі диодтар. Олар электролюминисциенция құбылысына негізделген, яғни р-n ауысуынан ток өткенде фотондар нұрланады. Светодиодтар көбінесе галий арсениді (GaAs) немесе галий арсенид фосфидінің (GaAsP) негізінде жасалады. Светодиодтардың артықшылығы: құрылысы қарапайым және өте берік болып келеді.Халькогенидті шынылардың ИҚ – облысында оптикалық мөлдір және электрондық өткізгіштігі бар жартылай өткізгіштің қасиеттеріне ие екені анықталған. Оксидсіз (оттегісі жоқ) шынылар – бұл ең алдымен сульфидтер, селенидтер және теллуридтер периодтық жүйенің IV және V негізгі топшасының элементтері (Si, Ge, Р, As, Sb) және олардың өзара комбинациясы, сондай-ақ галогендер, халькогендер және ауыр металдардың халькогенидтері (Hg, Ga, In, Tl, Sn, Pb). Шынытәріздес жартылайөткізгіштердің оптикалық және электрлік қасиеті ұқсас, бұдан шығатыны, электроның ретсіз құрылымдағы көрінісінің кристаллдағы көрінісінен айырмашылығының жоқтығын көптеген эксперимент зерттеулерінің нәтижелері көрсеткен. Осындай факторға негізделе отырып, Иоффе мен Регель электрондардың энергетикалық спектрінің зоналық құрылымын, атомдық жүйеде, алыс емес жақын ретпен анықталатындығын болжаған. Бұл дегеніміз, кристаллдық күйден кристаллдық емес күйге өткенде элекрондық энергетикалық спектрінің зоналық құрылымы айтарлықтай өзгермеуі керек.Кристаллдық емес жартылайөткізгіштерінің негізгі күйде магнит моменті нөлге тең, сәйкесінше олар диамагниттер болып табылады. Кристаллдық емес жартылайөткізгіштер кристаллды жартылайөткізгішті маериалдағыдай көптеген қасиеттерге ие. Осымен қатар олар спецификалық қасиеттерге ие. Мысалы, тек КЕДО-да оптикалық, электрлік және фотоэлектрлік қасиетінің фотоиндуцирленген өзгерістер байқалады. Бұл өзгерістерді негізінен фотоқұрылымдық түрленуімен байланыстырады.Күшті электрлік өрістерде(≥104 В/см) КЕБ-ң өткізгіштігі көр ретке және тез өзгеруі мүмкін(10-4-10-9 c уақыт аралығында). Бұл құбылысты Лебедев пен Овшинс байқаған және ол қайтақосу эффектісі деп аталған. Реттелмеген құрылым теориясына сәйкес,осы және басқа КЕДО ң спецификалық қасиеті оның өзгеше құрылымдық дефектісінің болуында КЕБ те мұндай құрылымдық дефектінің болуының себебі,онда қатқыл кристаллдық құрылымының болмауында.
43Аморфты және сұйық металдар және асқын өткізгіштер. Асқын өткiзгiштiк
|
7.1-сурет |
(7.7)
мұндағы α - кедергiнiң температуралық коэффициентi, ол сан жағынын өткiзгiштi 1oК қыздырғандағы кедергiнiң салыстырмалы өзгерiсiне тең.(7.2)-i келесi түрде жазайық:
R = R0(1+αδT). (7.8)
Бұл тәуелдiлiк 7.1 суретте көрсетiлген.1911 жылы Камерлинг-Оннес сынапты бiртiндеп мұздатқанда, оның кедергiсi әуелi сызықты заңдылықпен азайып, ал температура 4,15 К-ге жеткенде кенет 0-ге дейiн төмендейтiнiң ашты. Бұл құбылыс асқын өтгiзгiштiк деп аталады. 0-ге тең емес температурада асқын өткiзгiштiк күйге ауыса алатын материалды асқын өткiзгiштер дейдi.Асқын өткiзгiштен ток өткенде энергия шығыны болмайды, өткенi асқын өткiзгiштiк күйдегi сақинада бiр қоздырылған электр тогы барынша ұзақ уақыт өзгермейдi.
|
7.2-сурет |
Асқын өткiзгiш магниттер магнитогидродинамикалық генераторларда, элементар бөлшектердi үдеткiш құрылығыларда пайдалынады. Асқын өткiзгiштi электiрлiк берiлiс жолдарын құрылуы зерттелiп жатыр.
Жоғарғы температурадағы асқын өткiзгiштiң ашылуы бүкiл электротехника, радиотехника және ЭВМ – дi конструкциялауда жаңа техникалық төнкерiске жеткiзу мүмкiн.
