40.Кристалл емес жартылай өткізгіштер негізінде жасалған резистер мен оптикалық ақпарат тасушылар.

Кристаллдық емес жартылайөткізгіштерінің негізгі күйде магнит моменті нөлге тең, сәйкесінше олар диамагниттер болып табылады. Кристаллдық емес жартылайөткізгіштер кристаллды жартылайөткізгішті маериалдағыдай көптеген қасиеттерге ие. Осымен қатар олар спецификалық қасиеттерге ие. Мысалы, тек КЕДО-да оптикалық, электрлік және фотоэлектрлік қасиетінің фотоиндуцирленген өзгерістер байқалады. Бұл өзгерістерді негізінен фотоқұрылымдық түрленуімен байланыстырады.Күшті электрлік өрістерде(≥10⁴ В/см) КЕБ-ң өткізгіштігі көр ретке және тез өзгеруі мүмкін(10^-4-10^-9 c уақыт аралығында). Бұл құбылысты Лебедев пен Овшинс байқаған және ол қайтақосу эффектісі деп аталған. Реттелмеген құрылым теориясына сәйкес,осы және басқа КЕДО­ ң спецификалық қасиеті оның өзгеше құрылымдық дефектісінің болуында КЕБ те мұндай құрылымдық дефектінің болуының себебі,онда қатқыл кристаллдық құрылымының болмауында. Кристаллдық емес жартылай өткізгіштегі құйрықтарының локалданған электрондық күйін өткізгіш зоналарда бар екені көптеген зерттеушілер айтқан болатын. Мотт, Коуэн, Фрицше және Овшински теорияны қорыта отырып, кейбір КЕДО-да электронның күйінің тығыздығы 12.1(в) суреттей болады деп болжан.

Осы модель бойынша (осы модельді тапқан адам атымен аталған-КФО), КЕДО-ң зонадағы күй тығыздығының құйрығы қозғалғыштық саңылауы арқылы толығымен өтеді және оны центрінде жауып қалады да, бұл Ферми деңгейінің нығаюына әкеп соғады. Көп жылдар бойы бұл модель негізгі болып саналып келеді, бірақ оның авторлары бұл модельдің көпкомпонентті халькогенидті шыны үшін орындалғаны дұрыс деп санады.Соңғы кезде, өріс эффектісін оқып үйрену нәтижесінде секірмелі өткізгіштік және фотоөткізгіштің экспериментальды дәләлдеушілерінің саны көбейіп келеді, НДС-тегі тасымалдаушы тасымалдануы локаьдық емес күймен анықталады, ол Ферми деңгейінен немесе соған жақын жерден табылады. Мысалы, As₂Te₃ ;және шыны құрамды Si Te As Ge-де ұсақ центрлік қармау.0.13 эВ немесе 0.22 эВ төмен Ферми деңгейінде жатады. Маршалл мен Оуэн (12.1д)-суретте көрсетілген, шыныларды өріс эффектісін түсіндіретін модель ұсынды. Бұл модельдегі Ферми деңгейінің күй тығыздығы нөлге тең, бірақ оның айналасында дискретті деңгейлер болады, ол-Ферми деңгейінің орналасуын анықтайды. Кейбір зерттеулер зонадағы локальденген күйдің өтуін түсіндірмейді, бірақ экспериментальді нәтижелер негізінде, олардың айтарлықтайлылығымен анықталған тығыздығын есте ұстау керек.Кристаллдық емес жартылай өткізгішті фииканың негізгі мәселесі – қасиеттер мен құрылымдары арасындағы корреляцияны және осы қасиеттерді анықтау мүмкіндігі болып шыны синтезі процесіне ендірілген олардың электрлік қасиетіне қоспаның әсері аз деп санауға болатындығында. Мысалы, активті кристаллда As₂Se₃∙2As₂Te₃ және осы құрамды активті емес шыныға және сынуы жоқ шынының өткізгіштігінің температурадан тәуелділігінен қоспалық өкізгізгіштігі сипатталады.Бұл фактінің теориялық негізі Губановтың жұмыстарында берілген. Губановтың болжауымен, кристалдық емес жартылай өткізгіштердегі қоспалы өткізгіштің болиауынан, тыйым салынған зонада жоғары концентрациялы локальденген деңгейлер айтарлықтай болады, олар электрондар мен кемтіктерді тартып алып, қоспаның доноры мен акцепторын нейтральдейді.Кейін қоспалы атомдар шынытектес мышьяк селенидінде Sn,Au,Pt және Fe Моттың айтқаны Мессбауер спектроскопия әдісімен экперименталды түрде дәлелденген болатын.Ag және Cu сияқты легирленген қоспалы металдардың синтез процесі КЕДО өткізгіштігінің артуына алып келеді, ал шыны өткізгіштігінің өзгеруі енгізілген қоспаның концентрациясына байланысты болады ~0.1 атм %. Мұндай концентрацияға не қоспасы легирлеу кезінде шыныда қатты ерітінділі немесе ионды өткізгіштігі бар жаңа фаза пайда болуы мүмкін. Мысалы, As₂Se₃ легирленген күмісте.Электродиффузия, фотодиффузия немесе тозаңдату арқылы төменгі температурада қоспаға ендірілген КЕДО-ң қабыршақты үлгілері сол қоспаға өте сезімтал екендігі байқалды. 0.01-0.02 ат % Ag-ң шынытектес As₂Se₃-ке электродиффузия әдісімен ендірілуі оның өткізгіштігінің бірнеше ретке өсуін көрсетеді.Қоспаның КЕДО қабыршақтарына әсер ету механизмі осы күнге дейін белгісіз, бірақ әртүлі жолмен ендірілген қоспалар шыны дефектілерін компенсациялайды, сол арқылы НП қабыршақтар өткізгіштігін өзгерте алады.Сонымен кристалды емес жартылай өткізгішке қоспаның әсер етуі қоспаның ендірілуіне байланысты болады.