35. Ретсіз құрылымды жартылай өткізгіштің жады мен айырып қосу эффектісі.

Электрондық өткізгіштігіне ие кристалдық емес диэлектрик орталар (КЕДО) кеңзоналы материалдар болып табылады. Құрамына байланысты КЕДО өткізгіші үлкен шекте өзгереді-10-3 нен 10-18 Ом ∙см-1 дейін. Бөлме температурасына жақын, тұрақты тоқта өткізгізгіштің температурасының тәуелділігі σ =С·exp(-E/kT) қатынасымен сипатталады.

Шынытәріздес жартылай өткізгіштердің маңызды ерекшеліктері болып бөлме температурасына, өткізгіштіктің активация энергиясының мәнінің екі еселенуі болып табылады. Валенттік зона мен өткізгіштік зоналарының біркелкі емес көмескі аймақтарының садарынан, КЕДО-да Ферми деңгейі тыйым салынған зонаның ортасынан біршама төменде жатыр. Кристаллдық жартылай өткізгішке қарама-қарсы, ~10-6 атмосфера % қоспа енгізгенде өткізгіштігі едәуіо өзгереді және КЕБ-ң (Кристаллдық емес беткі бөлік) қасиеті, оған 0.1 атмосфера % қоспа енгізгенде өзгереді.

Термо-ЭҚК-ң температуралық тәуелділігі өзіндік жартылайөткізгіштегі сияқты және электрондардың қозғалғыштығынан кемтіктерінің қозғалғыштығы артық болады. Заряд тасушылардың дрейфтік қозқғалғыштығы 0,1 cм2/(B∙c) аспайды, ал электрондардың қозғалғыштығы соншалықты аз, оларды өлшеу мүмкін емес. КЕДО-да заряд тасушылардың дрейфтік қозғалғыштығы дискретті қақпандарда шектеледі, және кемтіктер үшін концентрация 1017÷1018 см-3, ал залегания тереңдігі -0.17эВ болады. КЕДО-ғы Ферми деңгейінің маңындағы локальданған күйдің концентрациясы 1016 см-3∙эВ мәнін береді. Жеткілікті үлкен температуралық интервалда Ферми деңгейі, тиім салынған зонаның ортасына жақын маңайда жоғарғы тығыздықтағы локальданған күйді орнатады. КЕДО-ғы Холлдың ЭҚҚ і өте кіші, ал егер оны өлшеу мүмкін болса, онда оның таңбасы теріс болады. Көптеген КЕДО жақсы фотоөткізгіштер болып табылады, бірақ кристаллдық жартылайөткізгіштерге қарағанда КЕДО-дағы фотоөткізгіштік айқын спектрлік тәуелділікпен сипатталады. КЕДО-ң жұтылу коэффиценті, оптикалық жұтылуының маңайында экспоненталды өседі, және бұл кезде фотонның энергиясы ~103-104 см-1 дейін жоғарылайды. Шынытәріздес халькогенидті жартылайөткізгіштегі жұтылу процессінің ерекшеліктеріне таңдау ережесінің жоқтығы жатады. Кристаллдық емес жартылайөткізгіштерінің негізгі күйде магнит моменті нөлге тең, сәйкесінше олар диамагниттер болып табылады. Кристаллдық емес жартылайөткізгіштер кристаллды жартылайөткізгішті маериалдағыдай көптеген қасиеттерге ие. Осымен қатар олар спецификалық қасиеттерге ие. Мысалы, тек КЕДО-да оптикалық, электрлік және фотоэлектрлік қасиетінің фотоиндуцирленген өзгерістер байқалады. Бұл өзгерістерді негізінен фотоқұрылымдық түрленуімен байланыстырады. Күшті электрлік өрістерде(≥104 В/см) КЕБ-ң өткізгіштігі көр ретке және тез өзгеруі мүмкін(10-4-10-9 c уақыт аралығында). Бұл құбылысты Лебедев пен Овшинс байқаған және ол қайтақосу эффектісі деп аталған. Нағыз кристаллдық торда электрондардың энергетикалық спектрі зоналық құрылымға ие және онда тыйым салынған зонамен ажыратылған рұқсат етілген зоналар бар. Шынытәріздес жартылайөткізгіштердің оптикалық және электрлік қасиеті ұқсас, бұдан шығатыны, электроның ретсіз құрылымдағы көрінісінің кристаллдағы көрінісінен айырмашылығының жоқтығын көптеген эксперимент зерттеулерінің нәтижелері көрсеткен. Кристаллдық күйден кристаллдық емес күйге өткенде элекрондық энергетикалық спектрінің зоналық құрылымы айтарлықтай өзгермеуі керек.

Аморфты қатты денелердегі алыс реттіліктің болмауы зоналар шетінің комескілігіне және күй тығыздығына құйрықтың пайда болуына әкеп соғады(12.1 сурет).

0.13 эВ немесе 0.22 эВ төмен Ферми деңгейінде жатады. Маршалл мен Оуэн (12.1д)-суретте көрсетілген, шыныларды өріс эффектісін түсіндіретін модель ұсынды. Бұл модельдегі Ферми деңгейінің күй тығыздығы нөлге тең, бірақ оның айналасында дискретті деңгейлер болады, ол-Ферми деңгейінің орналасуын анықтайды. Реттелмеген құрылым теориясына сәйкес,осы және басқа КЕДО­ ң спецификалық қасиеті оның өзгеше құрылымдық дефектісінің болуында КЕБ те мұндай құрылымдық дефектінің болуының себебі,онда қатқыл кристаллдық құрылымының болмауында.