34. Жоғары жиілікте тозаңдату әдісімен алынған халькогенидті жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігін анықтау.

Тозаңдату процесі – нысананы жоғарғы энергиялы иондармен атқылағанда, нысана материалдың бетінен атымдардың ұшып шығу процесі болып келеді. Сонымен қатар, жоғарыдағы анықтамаға сәйкес, тозаңдату процесі улау (травление) процесі ретінде қарастырылып, бетті тазалау және оны профильдеу үшін қолданылады. Тозаңдату кезінде нысана материалдың жойылуы және орын ауыстыруы (транспортировка) болатындықтан, бұл әдіс жұқа қабықшаларды алу әдісі ретінде де қолданылады.

Электрлік қасиеттері. Электрлік қасиеттері. Электрлік өткізгіштігі.Берілген барлық модельдердің жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ ) заряд өткізгіштігі өте үлкен температурада локальдық емес жағдайда орындалады және кристалдық емес жартылай өткізгіштер мынадай ұғымда сипатталады:

(13.3)

Локальдық күй аумағында заряд тасушылардың көшуі термиялық активті секірмелер жолымен жүзеге асады және мынадай тәуелділікпен сипатталады:

(13.4)

м/ғы: секірменің активация энергиясы, локальдық күй тығыздығындағы құйрық шетінің энергиясы (сәйкесінше Мотт моделімен).

Одан басқа секірмелі тасымалдаушының көшуі Ферми деңгейіне жақын локальды күйде жүзеге асады. Бұл жағдайда өткізгіштік мына қатынаспен сипатталады:

(13.5)

мұндағы: Т→∞ ұмтылғандағы өткізгіштер;

Төменгі температурада жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ) өткізгіштігі Мотт заңымен сипатталады:

(13.6)

мұндағы: А, В- тұрақты өлшемдер.

13.4-суретте келтірілген заряд тасымалдаушылардың көшу механизмі ескерілгендегі өткізгіштіктің температуралық тәуелділігі келтірілген. Экспонента алдындағы С көбейткішіне назар аударайық, яғни Т→∞ ұмтылғанда өткізгішке жалпылама өрнекте

(13.7)

13.4-сурет. Жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ ) өткізгіштігінің температураға тәуелділігі (11.3-11.6). Мотт бойынша, мынадай мәнде С~ өткізгіштік локальдық емес күйде жүзеге асады, локальдық күйде – келесі мәнде С~10 , ал С~ өткізгіштік Ферми деңгейіне жақын орналасады.13.5-суретте әр түрлі жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ ) -дар үшін өткізгіштің температураға тәуелділігі көрсетілген. 11.7-суретте 1 Т→0 жоғарғы температуралық аймақта С-ң интервалындағы мәндері сәйкес келетіні көрініп тұр, яғни Моттқа сәйкес температураның бұл аймағында өткізгіштік заряд тасымалдаушылардың делокализация күйіне дейін көшуі арқылы жүреді. 13.5-сурет. Жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ ) өткізгіштігінің температураға тәуелділігі:

а- үшін С өлшемі мынадай ~10 , ол «құйрық» зонадағы локальдық күйдегі заряд тасымалдаушылар көшуінің секірмелі механизмін көрсетеді. Активация энергиясының өткізгіштігі да көбінесе жасалған қабықша 0.3 эВ-тан 1.2 эВ интервал аралығында жатады және ол шамамен тыйым салынған зонаның жарты оптикалық енін құрайды.

Термо-ЭҚКті зерттеу барысында жасалған диэлектрдік құрылымның (ЖДҚ) құрылған, төмендеткіш кристалдық емес жартылай өткізгіштердің көбі кемтіктік өткізгіштікке ие.