Динамические озу.

Конденсатор может хранить информацию в виде логического нуля « » или « » (в зависимости от того, какое на нем напряжение – низкое или высокое).

Но, во время считывания данных конденсатор разряжается. Поэтому, если в первый раз мы считывали с него верные данные, то при следующем обращении к конденсатору считываемая информация будет уже неверна.

Кроме того, конденсатор обладает свойством саморазряжаться, поэтому, в конце концов, информация с него может пропасть.

К примеру, пусть емкость, образованная емкостью «затвор-сток» полевого транзистора равна , а ток утечки: . При таких условиях информацию нужно обновлять примерно раз за , то есть раз/с.

В динамических ОЗУ обновлением информации занимается встроенный контроллер.

Особенности динамических озу:

1. Отсутствует необходимость наличия источника питания для хранения информации у динамических ОЗУ малая потребляемая мощность.

2. Поскольку элемент памяти– один транзистор, то микросхемы динамической памяти имеют большой внутренний объем.

3. Хранение информации производится на крупных элементах динамические ОЗУ обладают более низким быстродействием, нежели другие ОЗУ.

4. Малая стоимость единицы хранимой информации.

ПЗУ.

Зиг-загом отмечены временные соединения (перемычки). Если перемычка присутствует, то на выходе получаем логическую единицу « ». Если же перемычка отсутствует, то на выходе получаем логический ноль « ».

Перемычки изготавливаются из нихрома (нихром обладает большим сопротивлением, а также, при пропускании через него электрического тока выделяется большое количество теплоты (поэтому нихром используется в обогревателях)). При большом номинале пропускаемого тока нихром расплавляется.

Следует отметить, что перемычка может самовосстанавливаться через некоторое время.

Восьмисегментные индикаторы:

РПЗУ.

РПЗУ УФ и EEPROM.

Полевой транзистор с изолированным затвором (затвор не имеет выводов из этой ячейки).

Если потенциал затвора равен нулю, то, допустим, ключ будет замкнут (соответственно, если потенциал затвора больше нуля, то ключ будет разомкнут).

Дополнительный затвор (стирающий затвор) предназначен для стирания информации. Данные стираются подачей на стирающий затвор дополнительного потенциала.

BIOS (Basic Input-Output System).

FLASH-память (полное название – Flash Erase EEPROM).

Свойства FLASH-памяти:

1. Большое количество циклов перезаписи (порядка , в то время, как у РПЗУ- ).

За равномерный износ всех ячеек памяти отвечает FLASH-контроллер, произвольно выбирающий адрес записи.

2. Увеличенная емкость.

3. Время хранения информации практически не ограничено.

4. Стойкость к внешним воздействиям (выдерживает перегрузки и вибрации ).

5. Малое время чтения.

6. Малое время записи.

Это справедливо только в случае записи больших файлов! Если файл малого объема, то время перед записью и время после записи существенно превышает время самой записи.