1. Учебный план по дисциплине

Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зачетных единицы, 108 часов.

Семестры	Экзамены	Часы учебных занятий
		Всего	Лекции	Лабораторные работы	КСР	Самостоятельная работа
7	7	108	6	4	1	97

2. Содержание разделов дисциплины

7 Семестр Раздел 1. Пассивные компоненты электронных схем

Резисторы и резистивные материалы. Конденсаторы и конденсаторные материалы. Магнитные элементы и материалы, дроссели и трансформаторы.

Раздел 2. Полупроводниковые компоненты электронных схем

Полупроводниковые диоды: диоды с p-n-переходом; p-i-n диоды; диоды Шоттки.

Силовые транзисторы: мощные биполярные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, статические индукционные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; мощные МДП-транзисторы с коротким каналом, принцип действия, базовые структуры; биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), принцип действия, базовые структуры.

Силовые тиристоры: однооперационные тиристоры, принцип действия, базовые структуры; двухоперационные (запираемые) тиристоры, принцип действия, базовые структуры; полевые тиристоры, принцип действия, базовые структуры.

Оптоэлектронные приборы: диодные оптроны; транзисторные оптроны; тиристорные оптроны; оптоэлектронные приборы повышенной яркости, светодиоды.

Раздел 3. Переходные процессы в полупроводниковых ключах

Переключение силовых диодов. Переключение силовых транзисторов на резистивную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на емкостную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на индуктивную нагрузку. Включение и выключение силовых тиристоров.

Раздел 4. Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах

Расчет потерь мощности в силовых ключах. Расчет температуры перегрева, тепловое сопротивление.

Содержание лекций

Лекция 1. Обзорная лекция по разделам 1 и 2 «Пассивные компоненты электронных схем», «Полупроводниковые компоненты электронных схем» (2 часа).

Лекция 2. Обзорная лекция по разделу 3 «Переходные процессы в полупроводниковых ключах» (2 часа).

Лекция 3. Обзорная лекция по разделу 4 «Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах» (2 часа).

Содержание лабораторных занятий

Лабораторное занятие 1. Расчет потерь мощности в диодном ключе, ключах на биполярном, МДП-транзисторе и IGBT (4 часа).

Литература

Основная

1. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. – 5-е изд., доп. – М.: Высш. шк., 2008. – 798 с.

2. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / В.П. Воронин. – 2-е изд., перераб. и доп. М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2005. – 384 с.

3. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. – 7-е изд., испр. СПб: Изд-во «Лань», 2003. – 480 с.

4. Калимуллин Р.И. Силовые полупроводниковые ключи: Учеб. пособие / Р.И. Калимуллин. – Казань: Казан. гос. энерг. ун-т, 2005. – 148 с.

5. Базовые компоненты электронных схем: Программа, методические указания и контрольная работа / Р.И. Калимуллин. – Казань: Казан. гос. энерг. ун-т, 2013. – 42 с.