- •1.1 Зонная теория твёрдого тела. Простая модель энергетических зон. Электропроводность твёрдых тел. Собственные полупроводники.
- •1.2 Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках. Примесные полупроводники.
- •1.3 Уравнение электронейтральности. Явление дрейфа и диффузии в полупроводниках. Эффект Холла.
- •1.4 Неравновесные процессы в полупроводниках. Межзонные процессы рекомбинации и генерации. Математическая модель энергетических зон Кронига-Пенни.
- •1.5 Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности. Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми. Явление переноса. Основные уравнения полупроводников.
- •2.1 Структура р-п перехода в состоянии термодинамического равновесия. Зонная диаграмма р-п перехода. Высота потенциального барьера, толщина области р-п перехода.
- •2.2 Работа р-п перехода при внешнем воздействии. Прямое и обратное смещение р-п перехода. Ширина р-п перехода. Барьерная ёмкость обратно смещённого р-п перехода.
- •2.3 Методы создания электронно-дырочных переходов. Технология изготовления полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону:
- •Типы диодов по размеру перехода:
- •Типы диодов по конструкции:
- •2.4 Вольт- амперная характеристика р-п перехода. Математическая модель диода. Уравнение Шокли. Вах реального р-п перехода. Пробой р-п перехода.
- •3.1 Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки. Разновидности и классификация полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по конструкции:
- •Переходные процессы в диодах с р-п переходом. Импульсные диоды.
- •4.1 Структура и принцип работы бт. Режимы работы биполярного транзистора и схемы включения. Распределение стационарных потоков носителей.
- •4.2 Статическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3 Параметры биполярного транзистора. Модели транзистора в режиме малого сигнала. Эквивалентные схемы (четырёхполюсника и физические).
- •4.4 Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6 Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7 Квазистатический режим работы транзистора. Определение усилительных параметров транзистора через r и h-параметры четырёхполюсника.
- •4.8 Типы биполярных транзисторов. Конструкции и технологии производства.
- •Классификация полевых транзисторов.
- •5.2 Основные параметры полевых транзисторов. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (птуп). Структура птуп и основные особенности. Сравнение мдп и биполярных транзисторов.
- •6.1 Основные особенности конструкции и классификация тиристоров. Динисторы. Вах динистора, внутренняя положительная обратная связь в р-п-р-п структурах. Статические параметры динисторов.
- •6.2 Тринистор - управляемый тиристор. Вах тринистора, зависимость параметров от тока управления. Симисторы, конструкция и вах.
- •7.1 Механизм генерации излучения в полупроводниках. Некогерентные излучатели - излучающие диоды.
- •7.2 Сид и ик-диоды. Световые и электрические параметры сид.
4.6 Работа транзистора на нагрузку.
При работе транзисторов в качестве усилительных элементов в их выходную цепь включают нагрузку, а во входную — источник сигнала. Наилучшими усилительными свойствами обладают транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером (рис. 1.27, а) и общим истоком (рис. 1.27, б). Режим работы транзистора с нагрузкой называют динамическим. В таком режиме напряжения и токи на электродах транзистора непрерывно изменяются.
Рисунок
1.26
Рисунок 1.27
В соответствии со вторым законом Кирхгофа для выходной цепи как БТ, так и ПТ справедливо уравнение:
UВЫХ = UП – IВЫХ RН.
Уравнение получило название уравнения динамического режима для выходной цепи. На семействах выходных характеристик эти уравнения имеют вид прямых линий, проходящих через точки с координатами 0, UП и UП/RH, 0. Эти линии часто называют динамической характеристикой, или нагрузочной прямой. Промежуточные положения точек на линии нагрузки характеризуют возможные напряжения и токи в соответствующих цепях транзистора при подаче сигнала (с учетом сопротивления нагрузки).
В случае БТ любому напряжению на входе соответствует определенный ток базы, которому, в свою очередь, соответствует определенный выходной ток коллектора и выходное напряжение «коллектор-эмиттер». Например, если до подачи напряжения сигнала UС к входу транзистора прикладывается постоянное напряжение UБЭ0, то во входной цепи будет протекать постоянный ток базы IБ. В этом случае через транзистор будет протекать выходной ток IК0, а на выходе транзистора будет напряжение UK0.
Этим токам и напряжению соответствует точка А на рис. 1.28, а, называемая рабочей.
В каскаде с ПТ (рис. 1.29, а) заданное положение рабочей точки А задается постоянным напряжением U3И 0. Так как к p-n переходу транзистора в рассматриваемом режиме прикладывается запирающее напряжение, то входной ток чрезвычайно мал и не оказывает существенного влияния на режим работы схемы. Важным достоинством каскада на ПТ является высокое входное сопротивление.
Рисунок
1.28
В схеме с БТ сопротивления нагрузки Rн и в цепи базы Rб существенно влияют на вид входной характеристики, называемой в этом случае динамической входной характеристикой.
Динамическая характеристика как зависимость выходного тока iк от входного тока iб строится по точкам пересечения нагрузочной линии с выходными характеристиками транзистора (рис. 1.28, б).
Используя входные характеристики транзистора IБ=f(UБЭ), нетрудно перестроить динамическую характеристику в координатах iк, uбэ. Динамическая характеристика как зависимость тока коллектора iк от входного напряжения uбэ показана на рис. 1.28, в.
Обращает на себя внимание худшая линейность характеристики iк = f(uбэ) по сравнению с характеристикой iк = f(iб), что типично для БТ.
В каскадах с ПТ имеет смысл только динамическая характеристика как зависимость выходного тока iс от входного напряжения u3И при сопротивлении нагрузки Rн. Она строится по точкам пересечения нагрузочной линии с выходными характеристиками транзистора и изображена на рис. 1.29, б.
Динамическая характеристика ПТ обладает существенно лучшей линейностью по сравнению с характеристикой БТ, что очевидно из рассмотрения рис 1.28, б и рис. 1.29, б.
Рисунок 1.29
