- •1.1 Зонная теория твёрдого тела. Простая модель энергетических зон. Электропроводность твёрдых тел. Собственные полупроводники.
- •1.2 Распределение носителей зарядов по энергетическим уровням в полупроводниках. Примесные полупроводники.
- •1.3 Уравнение электронейтральности. Явление дрейфа и диффузии в полупроводниках. Эффект Холла.
- •1.4 Неравновесные процессы в полупроводниках. Межзонные процессы рекомбинации и генерации. Математическая модель энергетических зон Кронига-Пенни.
- •1.5 Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности. Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми. Явление переноса. Основные уравнения полупроводников.
- •2.1 Структура р-п перехода в состоянии термодинамического равновесия. Зонная диаграмма р-п перехода. Высота потенциального барьера, толщина области р-п перехода.
- •2.2 Работа р-п перехода при внешнем воздействии. Прямое и обратное смещение р-п перехода. Ширина р-п перехода. Барьерная ёмкость обратно смещённого р-п перехода.
- •2.3 Методы создания электронно-дырочных переходов. Технология изготовления полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по частотному диапазону:
- •Типы диодов по размеру перехода:
- •Типы диодов по конструкции:
- •2.4 Вольт- амперная характеристика р-п перехода. Математическая модель диода. Уравнение Шокли. Вах реального р-п перехода. Пробой р-п перехода.
- •3.1 Выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки. Разновидности и классификация полупроводниковых диодов.
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по конструкции:
- •Переходные процессы в диодах с р-п переходом. Импульсные диоды.
- •4.1 Структура и принцип работы бт. Режимы работы биполярного транзистора и схемы включения. Распределение стационарных потоков носителей.
- •4.2 Статическая модель биполярного транзистора. Распределение концентрации носителей в области базы, эмиттера, коллектора. Математическая модель Эберса-Молла.
- •4.3 Параметры биполярного транзистора. Модели транзистора в режиме малого сигнала. Эквивалентные схемы (четырёхполюсника и физические).
- •4.4 Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •4.6 Работа транзистора на нагрузку.
- •4.7 Квазистатический режим работы транзистора. Определение усилительных параметров транзистора через r и h-параметры четырёхполюсника.
- •4.8 Типы биполярных транзисторов. Конструкции и технологии производства.
- •Классификация полевых транзисторов.
- •5.2 Основные параметры полевых транзисторов. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (птуп). Структура птуп и основные особенности. Сравнение мдп и биполярных транзисторов.
- •6.1 Основные особенности конструкции и классификация тиристоров. Динисторы. Вах динистора, внутренняя положительная обратная связь в р-п-р-п структурах. Статические параметры динисторов.
- •6.2 Тринистор - управляемый тиристор. Вах тринистора, зависимость параметров от тока управления. Симисторы, конструкция и вах.
- •7.1 Механизм генерации излучения в полупроводниках. Некогерентные излучатели - излучающие диоды.
- •7.2 Сид и ик-диоды. Световые и электрические параметры сид.
1.4 Неравновесные процессы в полупроводниках. Межзонные процессы рекомбинации и генерации. Математическая модель энергетических зон Кронига-Пенни.
Если нарушено состояние термодинамического равновесия, то n*p≠ni2.
Состояние неравномерности достигается под действием факторов приводящих к изменению концентрации носителей: механическое напряжение, свет, неоднородность нагрева, воздействие элементарными частицами, сильные электрические, магнитные поля, дефекты в структуре, разности потенциалов на контактах.
Межзонные процессы рекомбинации и генерации.
При движении носителей заряда происходит их столкновение. Электрон в результате столкновения с фононом займет место дырки – рекомбинация.
Генерация – процесс образования свободных носителей заряда …
- прямые процессы (межзонные)
- непрямые процессы.
1.5 Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности. Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми. Явление переноса. Основные уравнения полупроводников.
Имеют место во всех случаях, когда структура решетки мешают атомы. Центры рекомбинации при процессах, размещенных в зоне проводимости. Et=Ei – глубокий центр (золото, палладий, платина в кач-ве примесей).
Возможные переходы:
- эмиссия электрона занятым центром.
- захват электрона незанятым центром.
- эмиссия дырки незанятым центром.
- захват дырки занятым центром.
Центры, удаленные от Ei малоэффективны, так как увеличивается вероятность захвата одного знака другим.
Рассмотрим примесь, создан уровень Et , Nt – концентрация центров рекомбинации, ft – вероятность, что центр занят электроном.
Nt* ft – занят; Nt *(1-ft) – незанят.
;
–
скорость эмиссии.
Если
система возбуждена в результате
некоторого внешнего возбуждения, то
истинные скорости процессов оказываются
одинаковыми.
Свойства времени жизни неосновных носителей заряда:
- зависит от концентрации примесных атомов. Чем выше концентрация, тем меньше время жизни.
- зависит от концентрации примесных глубоких уровней.
- с повышением температуры время жизни растет.
Квазиуровень Ферми — энергия, используемая в квантовой механике и, особенно в физике твёрдого тела при описании изменения концентрации носителей заряда, которые вызваны приложением внешнего потенциала к полупроводнику.
Когда полупроводник находится в состоянии термодинамического равновесия, тогда функция распределения электронов на энергетических уровнях описывается распределением Ферми-Дирака. В этом случае уровень Ферми определяется как уровень, где вероятность нахождения электрона равна 1/2.
В случае отсутствия токов и внешнего освещения, то есть в термодинамическом равновесии, квазиуровни электронов и дырок совпадают.
Основные уравнения полупроводников.
(1)
(3D)
(2) Уравнения непрерывности:
(3)
Уравнения
позволяют, приняв во внимание начальные
и граничные условия, вычислить значения
в каждой точке среды и в любой момент
времени.
