Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Shporgalka_na_ekzamen_Elektronnye_pribory_za_4....docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
4.75 Mб
Скачать

1.4 Неравновесные процессы в полупроводниках. Межзонные процессы рекомбинации и генерации. Математическая модель энергетических зон Кронига-Пенни.

Если нарушено состояние термодинамического равновесия, то n*pni2.

Состояние неравномерности достигается под действием факторов приводящих к изменению концентрации носителей: механическое напряжение, свет, неоднородность нагрева, воздействие элементарными частицами, сильные электрические, магнитные поля, дефекты в структуре, разности потенциалов на контактах.

Межзонные процессы рекомбинации и генерации.

При движении носителей заряда происходит их столкновение. Электрон в результате столкновения с фононом займет место дырки – рекомбинация.

Генерация – процесс образования свободных носителей заряда …

- прямые процессы (межзонные)

- непрямые процессы.

1.5 Непрямые процессы в объёме и на поверхности полупроводника в условиях динамической неравновесности. Квазиуровни и квазипотенциалы Ферми. Явление переноса. Основные уравнения полупроводников.

Имеют место во всех случаях, когда структура решетки мешают атомы. Центры рекомбинации при процессах, размещенных в зоне проводимости. Et=Ei – глубокий центр (золото, палладий, платина в кач-ве примесей).

Возможные переходы:

- эмиссия электрона занятым центром.

- захват электрона незанятым центром.

- эмиссия дырки незанятым центром.

- захват дырки занятым центром.

Центры, удаленные от Ei малоэффективны, так как увеличивается вероятность захвата одного знака другим.

Рассмотрим примесь, создан уровень Et , Nt – концентрация центров рекомбинации, ft – вероятность, что центр занят электроном.

Nt* ft – занят; Nt *(1-ft) – незанят.

; – скорость эмиссии.

Если система возбуждена в результате некоторого внешнего возбуждения, то истинные скорости процессов оказываются одинаковыми.

Свойства времени жизни неосновных носителей заряда:

- зависит от концентрации примесных атомов. Чем выше концентрация, тем меньше время жизни.

- зависит от концентрации примесных глубоких уровней.

- с повышением температуры время жизни растет.

Квазиуровень Ферми — энергия, используемая в квантовой механике и, особенно в физике твёрдого тела при описании изменения концентрации носителей заряда, которые вызваны приложением внешнего потенциала к полупроводнику.

Когда полупроводник находится в состоянии термодинамического равновесия, тогда функция распределения электронов на энергетических уровнях описывается распределением Ферми-Дирака. В этом случае уровень Ферми определяется как уровень, где вероятность нахождения электрона равна 1/2.

В случае отсутствия токов и внешнего освещения, то есть в термодинамическом равновесии, квазиуровни электронов и дырок совпадают.

Основные уравнения полупроводников.

(1)

(3D)

(2) Уравнения непрерывности:

(3)

Уравнения позволяют, приняв во внимание начальные и граничные условия, вычислить значения в каждой точке среды и в любой момент времени.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]