1.2. Компонент кп201а.

Компонент КП201А відноситься до класу транзисторів.

Система позначення сучасних транзисторів встановлена галузевим стандартом ОСТ 11.336.919-82 і базується на ряді класифікаційних при знаків цих приладів. В основному системи позначення покладено буквено-цифровий код.

Перший елемент означає напівпровідниковий матеріал, на базі кого виготовлений прилад. Для позначення вихідного матеріалу використовуються букв або цифри Зокрема буква К або цифра 2 позначає кремній. Другий елемент позначення – це буква, що визначає підклас приладів (Т – транзистор біполярний П- польовий транзистор). Третій елемент – являється цифрою, яка визначає основні функ­ціональні можливості транзистора (значення розсіюваної потужності і його максимальну частоту). Для позначення експлуатаційних ознак транзисторів малої потужності (не більше 0,3 Вт) застосовуються наступні цифри: 

1 – з граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною робочою частотою (далі граничною часто­тою) не більше 3 Мгц;

2 – з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц;

3 – з граничною частотою більше 30 Мгц.

Для транзисторів середньої потужності, максимальна потужність, розсіювання яких, більша 0,3 Вт, але менша 1,5 Вт:

4 – з граничною частотою не більше 3 Мгц;

5 – з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц;

6 – з граничною частотою більше 30 Мгц.

Для транзисторів більшої потужності, максимальна потужність, розсіювання яких більша 1,5 Вт:

7 – сторінковою частотою не більше 3 Мгц;

8 – з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц;

9 – з граничною частотою більше 30 Мгц.

Четвертий елемент – це число, яке позначає порядковий номер розробки технологічного типу транзисторів. Для позначення порядкового номера використовують двохзначні чис­ла від 01 до 99. Якщо порядковий номер розробки перевищує число 99, то застосовують тризначні числа від 101 до 999.

П’ятий елемент – це буква, умовно визначаюча класифікацію по параметрах транзисторів, виготовлених за одиничною технологією. Як класифікаційна літера застосовуюсь букви російського алфавіту.

Стандарт передбачає також введення в позначення ряду додаткових знаків при необхідності відзначити окремі конструктивно-технологічні особливості приладів.

1 – з гнучкими виводами без кристалотримача

2 – з гнучкими виводами на кристалотримачі

3 – з жорсткими виводами без кристалотримача

4 – з жорсткими виводами на кристалотримачі

5 – з контактними майданчиками без кристалотримача і без виводів

6 – з контактними площадками на кристалотримачі без виводів

Отже, компонент КП201А кремнієвий польовий транзистор з керюучим р-н.р-к , малої потужності з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц, високочастотний, номер розробки 01, група А.

Польовий транзистор — напівпровідниковий пристрій, переважно із трьома виводами, в якому сила струму, що протікає між двома електродами (витоком і стоком) регулюється напругою, прикладеною до третього електрода (затвора).

На рис.7 схематично зображена будова польового транзистора. Струм в транзисторі протікає через канал, що утворено легованою областю напівпровідника, розташованою між підкладкою і затвором. До каналу під'єднані два електроди — витік, що є джерелом носіїв заряду й стік, до якого носії заряду стікаються. Контакти між витоком та стоком і каналом робляться омічними. Для цього приконтактні області сильно легують. Ці області позначені на рисунку n⁺.

Рис.7. Будова польового транзистора

За принципом дії польовий транзистор дуже схожий на водопровідний кран. Носії заряду протікають через канал, обмежений з одного боку підкладкою, в якій не може протікати струм, бо в ній немає носіїв заряду, та областю збіднення, яка утворюється під затвором завдяки контактній різниці потенціалів. Шириною області збіднення можна керувати, прикладаючи до затвора напругу. При прикладенні зворотної напруги область збіднення розширюється і перекриває більшу частину каналу. В канал наче висувається заслінка. При певному значенні зворотної напруги область збіднення повністю перекриває канал. Струм через канал зменшується. В цьому випадку говорять, що транзистор закритий. Відповідне значення напруги називається напругою запирання. При прикладенні до затвора прямої напруги, канал розширюється, пропускаючи більший струм.

Серед різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді p-n переходу та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об'єму діелектриком. Прилади цього класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал - діелектрик - напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал - оксид - напівпровідник), оскільки в якості діелектрика найчастіше використовується діоксид кремнію. В свою чергу транзистори з ізольованим каналом поділяються на транзистори з вбудованим каналом та індукованим каналом.

Також польові транзистори підрозділяються на транзистори з каналом провідності n-типу або p-типу.

Тип транзисто­ра, рабо­тающего на средних и СВЧ частотах

Коэффи­циент передача тока (не менее)

Модуль коэффи­циента передачи тока

Граничная частота передачи тока гр (не менее), МГц

постоян- ный 'к

импульс • ный 7к-

КП302А

5,0 (7)

5,0

20

8

2,75

3—24

0,3

20

20

10

_o0-i+100

Із розробкою технології інтегральних схем польові транзистори майже витіснили біполярні транзистори з більшості галузей електроніки. Понад 100 млн транзисторів у процесорі комп'ютера, є польовими транзисторами. Вони використовуються також у мікросхемах, які входять до складу більшості радіоелектронних приладів: мобільних телефонів, телевізорів, пральних машин, холодильників тощо.