Литература

[1] Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полу-

проводниках. Л.: Энергия, 1980;

(http://www.biblus.ru/Default.aspx?book=6m077s4).

[2] Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов (перевод с английско-

го под ред. Р. А. Суриса). М.: Мир, 1984. Кн. 1, 455 с.; Кн. 2, 455 с.

/ 13 февраля 2010:

(http://www.station.ru/community/blogs/catager/archive/2012/11/18/781735.aspx)

[3] ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ ультрафиолетовый,

видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра / Под ред.

В. И. Стафеева. М.: Радио и связь, 1984. 216 c.

(http://raremarket.ru/node/3474)

[4] Техника оптической связи: фотоприемники / Под ред. У. Тсанга. (пе-

ревод с английского под ред. М.А. Тришенкова) М.: Мир, 1988. 528 c.

(http://www.knigoprovod.ru/?book_id=3347;topic_id)

[5] Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазо-

нов спектра. М.: МФТИ, 1999. 320 с.

(http://school.itop7.com/index.php?newsid=10689)

[6] Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фо-

тоэлектроника (физическиеосновы). М.: Физматкнига, 2005. 384 с.

[7] Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фо

тоэлектроника. Фотодиоды. М.: Физматкнига, 2011. 448 с.

[8] Стафеев В. И. Введение в полупроводниковую микрофотоэлектронику

инфракрасного диапазона. М.: МФТИ, 2012. 92 с.

[9] Kholodnov V., Nikitin M. ″Physical design fundamentals of high perfor-

mance avalanche heterophotodiodes with separate absorption and multip-

lication regions″// in book ″Photodiodes - From Fundamentals to Applica-

tions″, edited by Ilgu Yun, section 1 Fundamental Physics and Physical

Design″, chapter 2, p. 27 - 101, InTech, Rijeka, Croatia, 2012, 368 pages

(www.intechopen.com).

[10] Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.:

Наука,1990. 688 c.; Last updated: march 2, 2013

(http://ebooksforstudy.com/pdf2753.html) .

[11] Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. М., Наука, 1978.

616 с.; Лань, 2008. 624 c.

[12] Артеменко С. Н. Электронные свойства твердых тел. МФТИ, 2007.

79 с.

[13] Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Том III. КАВНТО-

ВАЯ МЕХАНИКА НЕРЕЛЯТИ ВИСТСКАЯ ТЕОРИЯ . М.: Физматгиз,

1963. 704 с. / Под ред. Л. П. Питаевского. 2001. 803 с.

[14] Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Том V. Статисти- ческая физика. Часть 1. М.: Наука, 1976. 584 с.

[15] Ципинюк. Ю. М. Квантовая микро- и макрофизика. М., Физматкнига,

2006. 640 с.

[16] Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Том I. Механика.

М., Наука, 1988. 216 с.

[17] Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 c.

[18] Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотель-

ная фотоэлектроника. Фоторезисторы и фотоприемные

устройства. М., Физматкнига, 2012. 368 с.

[19] Туннельные явления в твердых телах / Под ред. Э. Бурштейна и

С. Лундквиста. М.: Мир, 1973. 424 с. - перевод с английского

Tunneling phenomena in solids, Ed. by E. Burstein and S. Lundqvist,

Plenum Press, NewYork, 1969.

[20] Арцис Н. Х., Холоднов В. А. Усиление фототока и отношение

шум/сигнал в лавинных фотодиодах. ж. Радиотехника и электроника РАН. т. 29, № 1, с.151-159, 1984.

[21] Холоднов В. А. Коэффициенты лавинного размножения носителей в

р-n структурах. ж. Физика и техника полупроводников РАН, т. 30,

в. 6, с.1051-1063, 1996.

48