3.3 Задание

3.3.1 Собрать схему в соответствии с рисунком 3.5, использованное оборудование и приборы занести в таблицу 3.1.

С

З

И

ВТК-400

I_c

+ Б5-46

–

Б5-46 +

–

БТП-78

Рисунок 3.5 Схема для снятия статических вольтамперных характеристик (ВАХ)полевого транзистора с p-n переходом и каналом p-типа.

Таблица 3.1

Наименование	Тип	Технические характеристики
Источник постоянного напряжения (2шт)	Б5-46	Диапазон напряжений 0...10 В, диапазон токов 0...5А
Термокамера Терморегулятор	ВТК-400 БТП-78	Диапазон термостатирования от комнатной до 400˚С
Цифровой измеритель температуры с платиновым резистивным термопреобразо-вателем	макет	Диапазон измерений от минус 100˚С до плюс 400˚С
Полевой транзистор
Цифровой вольтметр	В7-40, №	Пределы измерений постоянного напряжения 0,01 мВ – 1000 В UК=(0,2; 2; 200; 2000) В. Пределы основной погрешности при UК=(0,2; 2) В. % при UК=20; 200; 2000 В: , где U – результат измерения

У становить полевой транзистор в термокамеру и задать последовательно требуемую температуру от комнатной до предельной эксплутационной для данного типа транзистора.

3.3.2 Выписать из справочника параметры исследуемого транзистора и его предельные эксплуатационные данные.

3.3.3 Снять при комнатной температуре семейство передаточных (стоко-затворных) ВАХ полевого транзистора с p-n переходом I_c=f(Е_зи) при Е_си=const , изменяя напряжение на затворе от 0 до 5В при постоянном напряжении Е_си=const. Данные эксперимента занести в таблицу 3.2

Таблица 3.2

Тип транзис-тора	Экспериментальные данные				Расчетные данные
	t, ºC	Eси,B	Eзи,В	Ic,mA	S=
1	2	3	4	5	6

3.3.4 Снять при комнатной температуре семейство входных (стоковых)ВАХ I_c=F(Е_си) при Е_зи=const, изменяя Е_си от 0 до 10 В при заданном Е_зи. Данные эксперимента занести в таблицу 3.3 .

Таблица 3.3

Тип транзис-тора	Экспериментальные данные				Расчетные данные
	t, ºC	Eси,B	Eзи,В	Ic,mA	μ = -	Ri=
1	2	3	4	5	6	7

3.3.5 Повторить операции по п. 3.3.4. п.3.3.5. для нескольких значений температуры в рабочем диапазоне температур.

3.3.6 Построить передаточные и выходные ВАХ при всех температурах. Определить расчетные параметры S, , Ri по графикам. Данные расчета занести в таблицу 3.2 и 3.3.

3.3.7 Построить зависимость от температуры расчетных значений параметров S, , Ri. Объяснить характер этих зависимостей.

3.3.8 Построить зависимость сопротивления канала в функции от Е_зи при Е_си=const, при t=const.

Приложение А

Кремниевый полевой планарный транзистор с p-n переходом и каналом p-типа

Сток

КП103Н

Ток стока I_c=0,4-4 mA U_зи=0В U_си=10В

Крутизна характеристики тока =0,6...2,9mA/B

U_зи=0

Напряжение отсечки при U_си=10В

0,8 – 3,0В I_c=10mkA

Ток затвора I_з<20mA U_зи=10 U_cи=0

Предельные эксплуатационные данные :

Суммарное напряжение сток- затвор 15В

U_си=10В