- •Лабораторна робота № 4 Тема: Дослідження підсилювального режиму біполярного транзистора
- •1. Основні теоретичні положення
- •Значення параметрів простих підсилювачів в залежності від схеми
- •2. Експериментальна частина
- •2.1. Попередня підготовка до експериментів
- •Результати розрахунку параметрів підсилювача
- •2.2. Послідовність проведення експериментів
- •Робоча точка транзистора
- •Напруги підсилювача при підключеному навантаженні
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
Значення параметрів простих підсилювачів в залежності від схеми
вмикання транзистора
Схема вмикання транзистора |
KI |
KU |
KP |
Rвх, Ом |
Rвих, Ом |
зі спільною базою |
до 1 |
до 1000 |
до 1000 |
одиниці-десятки |
десятки тисяч |
зі спільним емітером |
10100 |
до 100 |
до 10000 |
сотні |
сотні-тисячі |
зі спільним колектором |
10100 |
до 1 |
до 100 |
десятки тисяч |
одиниці-десятки |
2. Експериментальна частина
2.1. Попередня підготовка до експериментів
1. Користуючись рекомендованою літературою та конспектом лекцій, вивчіть основні теоретичні положення з теми лабораторної роботи та дайте письмові відповіді на контрольні запитання, поміщені в кінці цих методичних вказівок.
2. Проведіть попередній розрахунок простою підсилювача на біполярному транзисторі, поданого на рис. 4.4,а. Для цього:
а) перерисуйте з довідника з напівпровідникових приладів вхідні та вихідні статичні ВАХ заданого типу транзистора та перепишіть його гранично допустимі параметри: IK max та UKE max. На вихідні характеристики транзистора нанесіть криву максимальної потужності;
б) виберіть значення RK та ЕK, виходячи з вимог, поставлених в основних теоретичних положеннях цих методичних вказівок;
в) нанесіть на вихідні статичні ВАХ БТ навантажувальну пряму, яка відповідатиме вибраним значенням RK та ЕK, і на її основі побудуйте передавальну характеристику транзистора ІK = f(IБ);
г) виберіть на побудованій передавальній характеристиці та статичних ВАХ БТ робочу точку транзистора, тобто визначте постійні струми і напруги IБ0, UБE0, IK0, UKE0, необхідні для того, щоб ввести транзистор в підсилювальний режим;
д) розрахуйте значення опору RБ, необхідного для забезпечення живлення базового кола, тобто для забезпечення зміщення бази транзистора;
е) на основі стичних ВАХ визначте в робочій точці h-параметри транзистора і на їх підставі розрахуйте вхідний і вихідний опори та коефіцієнти підсилення напруги, струму і потужності підсилювача. Для розрахунку скористайтеся формулами:
(4.10)
;
(4.11)
;
(4.12)
;
(4.13)
.
(4.14)
Опір навантаження RН виберіть таким же як RК. Результати розрахунків запишіть в табл. 4.2.
Таблиця 4.2
Результати розрахунку параметрів підсилювача
-
KI
KU
KP
Rвх, Ом
Rвих, Ом
3. Перепишіть та вивчіть послідовність та методику проведення експериментів, накресліть експериментальні схеми та заготуйте таблиці, необхідні для занесення результатів вимірювань.
