
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
Эти лазеры используют переходы между энергетическими уровнями молекулы. В зависимости от типа участвующего в генерации перехода молекулярные лазеры можно разделить на следующие три класса. Во-первых, это лазеры на колебательно-вращательных переходах. В таких лазерах используются переходы между колебательными уровнями одного и того же электронного .состояния (основного состояния). Разница энергий между уровнями перехода такого типа (см. разд. 2,9) означает, что эти лазеры генерируют в среднем и далеком ИК-Диапазонах (5—300 мкм). В настоящее время наиболее важное значение из этого класса лазеров имеет С02-лазер, генерирующий на длине волны 10,6 или 9,5 мкм. Следует^омянуть и другие примеры: СО-лазер (Кж 5мкм) и химический HF-лазер (К» 2,7—
3,3 мкм). Во-вторых, лазеры на электронно-колебательных
(вибронных) переходах. В таких лазерах используются переходы между колебательными уровнями различных электронных состояний. В этом случае длина волны генерации обычно попадает в УФ-область спектра. Наиболее интересный пример этой категории лазеров — азотный (Я = 337 нм). Отдельный класс лазеров, который можно было бы отнести к вибронным лазерам, составляют эксимерные лазеры. В этих лазерах используются переходы между различными электронными состояниями специальных молекул (эксимеров) с длиной волны излучения, как правило, в УФ-диапазоне. Однако эксимерные лазеры используют не только переходы между связанными состояниями (связанно-связанные переходы), но и (на самом деле даже
чаще) переходы между связанным верхним состоянием и основным состоянием, в котором атомы отталкиваются друг от друга (связанно-свободные переходы). Поэтому целесообразно рассматривать эти лазеры как самостоятельную категорию. В-третьих, лазеры на чисто вращательных переходах. В них используются переходы между различными вращательными уровнями одного и того же колебательного состояния (как правило,
возбужденного колебательного уровня основного электронного состояния). Соответствующая длина волны генерации попадает
в дальний ИК-диапазон (25 мкм - 1 мм). Поскольку эти лазеры на чисто вращательных переходах играют менее важную роль, чем остальные категории, в последующих разделах не будем их рассматривать. В этой связи мы ограничимся тем замечанием, что в лазерах данного типа труднее получить генерацию, так как релаксация между вращательными уровнями происходит, как правило, с очень большой скоростью. Поэтому такие лазеры обычно накачивают оптически, используя выходное излучение другого лазера (как правило, С02-лазера). Оптическая накачка возбуждает данную молекулу (например, CH3F, 1 = 496 мкм) на вращательный уровень, принадлежащий некоторому колебательному состояиию выше основного уровня. По
еле этого генерация осуществляется на переходах между вращательными уровнями данного верхнего колебательного состоя-
ния.
6.3.3. L СОглазер [16, 17]
В этом лазере используется специальная смесь газов С02, N2 и Не. Генерация происходит на переходе между двумя колеба- тельными уровнями молекулы СОг, а азот и гелий, как мы пока- жем ниже, значительно повышают КПД лазера. СО яв- ляется одним из самых мощных лазеров (от газодинамического СОг-лазера получены выходные мощности порядка 80 кВт) и одним из наиболее эффективных (дифференциальный КПД 15— 20 %) • Лишь полупроводниковые и СО-лазеры имеют более вы- сокие КПД.
Симметричная Деформационная Асимметрична* ЛиктамОг мода ваттная мода
3000
3
?20ОО
ао'в)
то
о1-
V=0
На рис. 6.14 приведены схемы энергетических уровней основных электронных состояний молекул С02 и N2. Поскольку N2 -
двухатомная молекула, она имеет лишь одну колебательную
моду; на рисунке показаны два нижних уровня (v = 0, v= 1). Структура энергетических уровней молекулы С02 более сложная, поскольку эта молекула является трехатомной. Здесь мы имеем три невырожденные колебательные моды (рис. 6.15), а именно: I) симметричную валентную моду, 2) деформационную моду и 3) асимметричную .валентную моду. Поэтому колебания молекулы описываются тремя квантовыми числами п\% п% и п3, которые определяют число квантов в каждой колебательной моде. Таким образом, соответствующий уровень обозначается этими тремя квантовыми числами, записываемыми в последовательности щ, «2, Яз- Например, уровень Ol'O соответствует1) колебанию, деформационная мода (мода 2) которого имеет один колебательный квант. Поскольку из трех типов колебаний моде 2 соответствует наименьшая постоянная упругости (колебания являются поперечными), рассматриваемый уровень имеет наименьшую энергию. Генерация происходит на переходе
О С О
с ш о <|) О ^ о с о
Рис. 6.15. Три фундаментальные моды колебаний молекулы С02: v, — симметричная валентная мода, v2 — деформационная мода, v»— асимметричная
валентная мода.
между уровнями 00° 1 и 10°0 (Я, ~ 10,6 мкм), хотя можно получить генерацию также и на переходе между уровнями 00° 1 и 02°0(Х«9,6мкм).
Накачка на верхний лазерный уровень 00° 1 происходит очень эффективно благодаря следующим двум процессам.
а) Непосредственные столкновения с электронами. Очевидно, основной тип непосредственного столкновения, который следует рассмотреть, имеет вид е + СОг(ООО) -*-е + СОо(001). Сечение столкновения с электроном для данного процесса очень велико и намного превышает соответствующее сечение возбуждения уровней 100 и 020. Возможно, это связано с тем, что переход 000 —>- 001 оптически разрешен, в то время как переход, например 000-►••100, не является таковым. Заметим, кроме того, что прямой электронный удар может приводить также к возбуждению верхних (О, О, п) колебательных уровней молекулы С02. Однако молекула С02 быстро релаксирует с этих верхних состояний в состояние (001) посредством околорезонансных столкновений типа 2>
*>
Верхний индекс, стоящий справа при
квантовом числе,
соответствующем
деформационной моде (будем обозначать
этот индекс через /), возникает из-за"
того, что в рассматриваемом случае
деформационная мода
является дважды вырожденной;
колебание может происходить как в
плоскости
рис. 6.15,
так и в плоскости, перпендикулярной
ей. Следовательно,
деформационное
колебание
представляет
собой "определенную
комбинацию
этих двух колебаний,
которая
описывается верхним индексбм /; точнее
говоря, lh
и
представляет собой угловой момент
этого колебания относительно оси
молекулы
С02.
Например,
в
состоянии 02°0 (I
=
0)
два вырожденных колебания
комбинируются таким образом, что
угловой момент Ш
=
0.
2)
Процесс релаксации, в котором
колебательная энергия отдается в виде
колебательной энергии другой молекуле
того же или иного сорта, обычно называется
«VV-релакгандтеп»
С02 (0, 0, п) + СО* (0, 0, 0) -»С02 (0, 0, п - 1) + С02 (О, О, 1). (6.6)
Данный процесс приводит к релаксации всех возбужденных молекул в состояние (О, О, 1). Действительно, благодаря этому процессу сразу достигается термализация колебательной энергии между состоянием (О, О, 1) и верхними колебательными состояниями, и колебательную систему можно характеризовать колебательной температурой Тг. Заметим, что наиболее вероятным является столкновение возбужденной и невозбужденной молекулы, поскольку большинство молекул С02 в газовой смеси все же находятся в Основном состоянии,
б) Резонансная передача энергии от молекулы N2. Этот процесс имеет также большую эффективность благодаря тому, что разница энергий между возбужденными уровнями двух молекул невелика (Д£=18 си-1). Кроме того, очень эффективным является процесс возбуждения молекулы N2 из основного состояния на уровень v = 1 при столкновениях с электронами, причем уровень v. = 1 является метастабильным. В самом деле, переход 1-кО запрещен для электродипольнрго излучения, поскольку I? силу симметрии молекула N—N не может обладать полным ди-польным моментом. Наконец, более высокие колебательные уровни молекулы N2 находятся почти в резонансе (А£ < kT) с соответствующими уровнями молекулы С02 (вплоть до уровня <Ю°4), а переходы между возбужденными уровнями ООя и 001 молекулы С02 происходят с очень большой скоростью за счет процесса (6.6).
Рассмотрим теперь следующий вопрос, а именно релаксацию верхнего и нижнего лазерных уровней. С этой целью заметим, что, хотя переходы 00° 1 10°0, 00° 1 ->02°0, 10°0 —01°0 и 02°0-*01°0 оптически разрешены, соответствующие времена релаксации Тспонт Для спонтанного излучения очень велики (напомним, что Тспонт ~ 1/v3). Поэтому релаксация различных указанных уровней в большей мере определяется столкновениями. В соответствии с этим время релаксации верхнего лазерного уровня %s можно определить по формуле типа
l/is—^L atPif (6.7)
где — парциальные давления, а д.—постоянные, характеризующие каждую компоненту газовой смеси в разряде. Рассматривая, например, случай, когда полное давление смеси равно 15 мм рт. ст. (при парциальных давлениях С02: N2: Не в отношении 1:1:8), мы находим, что время жизни верхнего лазерного уровня %$ & 0,4 мс. Что касается скорости релаксации нижнего уровня, то прежде всего заметим, что вероятность перехода 100-* 020 очень велика и этот переход происходит даже в изолированной молекуле. Действительно, разность энергий этих двух уровней много меньше kT. Кроме того, эти состояния взаимодействуют друг с другом {резонанс Ферми), поскольку деформационное колебание стремится изменить расстояние между атомами кислорода (т. е. вызывает симметричное растяжение). При этом за счет околорезонансных процессов столкновения с молекулами со, в основном состоянии уровни 10°0 и 02°0 эффективно взаимодействуют с уровнем 01Ю (W-релаксация):
СО2(10°0) + С02 (00°0)^ С02 (01 '0) + С02(0110) + АЕ, (6.8а) С02 (02%) + СО^ОСЮ) ->■ С02 (01'0) + 00^(01 '0) + АЕ'. (6.86)
Вероятность этих двух процессов очень большая, поскольку АЕ и АЕ' много меньше kT. Следовательно, населенности трех уровней 10°0, 02°0 и 01*0 достигают теплового равновесия за очень короткое время. Это равносильно утверждению, что населенности этих уровней можно описать колебательной температурой Т2. В общем случае температура Т2 отличается от Т[. Поэтому нам остается найти скорость релаксации с уровня (НЮ на основное состояние 00°0. Если бы она была небольшой, то это вызвало бы накопление молекул на уровне 01*0 во время генерации лазера, а затем накопление населенности на уровнях 10°0 и 02°0, поскольку уровень 01Ю находится с последними в тепловом равновесии. Таким образом, произошло бы замедление процесса релаксации всех тлзех уровней, т. е, в общем процессе релаксации переход 01*0 —^ 00°0 представлял бы собой «узкое сто». В связи с этим важно изучить вопрос о времени жизни уровня OV0. Заметим, что, поскольку переход 0110 —^00°0 обладает наименьшей энергией среди всех молекул, присутствующих в разряде, релаксация с уровня 014) может происходить только путем передачи этой энергии в энергию поступательного движения сталкивающихся частиц (VT-релаксация). Из теории столкновений нам известно, что энергия с большей вероятностью передается более легким атомам, т. е. в нашем случае гелию. Это означает, что время жизни уровня снова определяется выражением типа (6.7), причем коэффициент at для Не много больше, чем для остальных частиц. При тех же парциальных давлениях, что и в рассмотренном выше примере, время жизни составляет около 20 мкс. Из только что проведенного обсуждения следует, что это же значение времени жизни имеет и нижний лазерный уровень. За счет того, что время жизни верхнего лазерного состояния намного больше, населенность будет накапливаться на верхнем лазерном уровне и условие непрерывной генерации также выполняется. Заметим, что наличие гелия приводит и к другому важному эффекту; за счет своей высокой теплопроводности гелий способствует поддержанию низкой температуры С02 за счет отвода теплоты к стенкам газоразрядной трубки. Низкая температура поступательного движения С02 необходима для того, чтобы избежать заселения нижнего лазерного уровня за счет теплового возбуждения, поскольку разность энергий между уровнями в действительности сравнима с kl. Таким образом, благоприятное воздействие, которое оказывают на лазер N2 и Не, объясняется тем, что N2 способствует заселению верхнего лазерного уровня, а Не — обеднению нижнего.
Из представленного выше рассмотрения ясно, что генерация в С02-лазере может осуществляться на переходе либо (00°1) -+ ->(10°0) (Х= 10,6 мкм), либо (00°1)->(02°0) (К=9,6 мкм). Поскольку сечение первого перехода больше, а верхний уровень один и тот же, генерация, как правило, происходит на переходе 00°1-^10°0. Для получения генерации на линии 9,6 мкм в резонатор для подавления генерации на линии с-наибольшим усилением помещается соответствующее частотно-селективное устройство (часто применяется система, изображенная на рис. 5.4,6).
До сих пор в нашем обсуждении мы пренебрегали тем фактом, что как верхний, так и нижний лазерный уровни на самом деле
состоят из многих близко расположенных вращательных уровней. Соответственно и лазерный переход может состоять из нескольких равноотстоящих колебательно-вращательных переходов, принадлежащих Р- или /?-ветвям (см. рис. 2.28), причем Р-ветвь дает наибольшее лазерное усиление. Для полноты картины следует также учесть тот факт, что благодаря больцмаиов-скому распределению населенности между вращательными уровнями наибольшую населенность имеет вращательный уровень У = 21 верхнего 00°1 состояния (рис. 6.16) !). На самом деле
генерация фактически будет происходить на колебательно-вращательном переходе с наибольшим усилением, т. е. начинающемся с самого населенного уровня. Это происходит потому, что скорость термализации вращательных уровней в С02-лазере Г~ 107 с-1 • (мм рт. ст.)—Ч больше, чем скорость уменьшения
населенности (за счет спонтанного и вынужденного излучения)
того вращательного уровня, с которого происходит лазерная генерация. Поэтому в генерации лазера на вращательном переходе с максимальным усилением будет принимать участие полная населенность всех вращательных уровней. Следовательно, подытоживая наше обсуждение, можно сказать, что генерация в С02-
!)
Заметим, что в силу симметрии заселяются
лишь
уровни с нечетными
значениями
/.
переходу (00°1)~~>(02°0), можно выделить с помощью схемы, приведенной, например, на рис. 5.4,6 (расстояние между генерирующими вращательными линиями в С02-лазере составляет около 2 см-1).
Основной вклад в ширину линии С02-лазсра дает эффект Доплера. Однако по сравнению с лазером, скажем, видимого диапазона из-за низкой частоты VQ лазерного перехода допле-ровская ширина линии довольно мала (около 50 МГц) [см. (2.78)]. Однако теперь уже нельзя пренебречь столкновитель-
А
4^
-J'-St
т
1
Г «11
Г =21
[ U'=21)-»(J"=22)1
Генерация I /
[ линия Р(22) J
Населенность
Рис. 6.16. Относительная населенность вращательных подуровней верхнего
лазерного уровня молекулы СО*.
ным уширением, особенно при высоком полном давлении газовой смеси (р > 100 мм р.т. ст.). Действительно, его величина составляет _ Avc = 7,58 (ФС02 + 0,73*Nj + 0,6фНе) Р(300/Г),/2 МГц,
где if — относительные парциальные давления в газовой смеси, Т—температура, ар—полное давление (в мм р.т. ст.). Выбирая в качестве примера рассмотренный выше случай низкого давления (р — 15 мм рт. ст. для смеси С02: N2: Не в отношении 1:1:8) при Г= 400 К, получаем Avc ~ 43 МГц. Таким образом, при низких давлениях полная ширина линии, определяемая совместным действием доплеровского и столкновительного уши-рений, довольно мала (< 100 МГц). В этом случае лазерная генерация будет сосредоточена в одной продольной моде, если длина резонатора меньше 1 м. При этом нам, возможно, пришлось бы произвести точную настройку длины резонатора, чтобы обеспечить точное попадание частоты моды в центр контура усиления. Частоту лазеров данного типа можно стабилизировать с высокой степенью точности (Av/v < Ю-11) при помощи провала Лэмба или (что еще лучше) обращенного провала Лэмба (с использованием метановой ячейки). Лазеры с большей длиной и (или) с более высоким давлением смеси генерируют несколько продольных мод, и необходимость в точной подстройке длины лазерного резонатора отпадает.
С точки зрения конструкции СОг-лазеры можно подразделить на семь типов: 1) лазеры с медленной продольной про-
Жидкость
Впусн газа
1
KL
awavav
■о о
Ми
Зерка/ю
t
Охлаждающая жидкость
Выпуск газа
Рис. 6,17. Схематическое представление вол новодного СОг-лазера с продольной прокачкой газа.
качкой, 2) лазеры с быстрой продольной прокачкой, 3) отпаянные лазеры; 4) волноводныс лазеры, 5) лазеры с поперечной прокачкой, 6) лазеры с поперечным возбуждением при атмосферном давлении (ТЕА-лазеры) и 7) газодинамические лазеры. Прежде чем рассматривать эти лазеры, следует указать на то, что, хотя они и отличаются друг от друга по многим своим рабочим параметрам (например, выходной мощности), все они имеют общую важную особенность, а именно высокий дифференциальный КПД (15—25%). Столь высокий КПД является следствием большого квантового выхода (~40°/о; см. рис. 6.14) и очень высокоэффективного процесса накачки, который имеет место в С02-лазере при оптимальной электронной температуре разряда (см. рис. 3.25).
qX Лазеры с медленной продольной прокачкой. Впервые ге-нерадия в С02-лазере была получена в лазере именно такого типа (Ч. Пател, 1964 г. [18]). Газовая смесь медленно прокачивается вдоль лазерной трубки (см. рис. 6.17) просто для того, чтобы удалить продукты диссоциации, в частности СО, которые в противном случае загрязняют лазерную среду. Отвод тепла обеспечивается теплопередачей в радиальном направлении к стенкам трубки (обычно которые охлаждаются
извне подходящим теплоносителем (как правило, водой). Часто применяется конструкция с внутренним зеркалом, и, по крайней мере в конфигурации рис. 6.17, один из металлических держателей, который включает в себя зеркало резонатора, должен находиться при высоком напряжении. Одно из главных ограничений этого лазера состоит в том, что независимо от диаметра трубки в нем имеется верхний предел выходной мощности с единицы длины разряда (50—60 Вт/м). Это можно объяснить следующим образом. При данной плотности тока / число молекул, накачиваемых па вср.хний лазерный уровень в единицу времени, можно записать в виде [см. (3.32) и (3.39) ]
(dN*Jdt)p ~ (IceNgfe) дрейф) >
(6.9)
где ое — соответствующее сечение возбуждения электронным ударом, в которое входит как прямое возбуждение, так и возбуждение посредством передачи энергии, Ne — полная населенность основного состояния СО*, а е - заряд электрона. Для скоростей накачки, намного превышающих пороговое значение, выходная мощность Р пропорциональна величине (dN,/dt)lllo-этому можно записать, что
Р
JNaVa^ JpDH;
(6.10)
здесь Va— объем активной среды, D — ее диаметр, I— ее длина, ар — давление газа. При оптимальных рабочих условиях мы имеем теперь следующее: 1) для поддержания оптимальной электронной температуры разряда должно быть постоянным произведение pD [ ~22,5 (мм рт. ст.) - см; например, 15 мм рт. ст. при D = l,5 см]; 2) из-за ограничений на тепловыделение,
связанных с необходимостью отвода тепла к стенкам трубки,
существует оптимальное значение плотности тока, причем оно обратно пропорционально диаметру трубки D. То, что оптимальное значение / должно существовать, можно понять, если заметить, что избыточная плотность тока приводит к избыточному нагреву смеси (даже если КПД = 20 %, около 80 % электрической мощности рассеивается в разряде в виде тепла), вследствие чего мы имеем тепловое заселение нижних лазерных уровней. Обратно пропорциональную же зависимость оптимального значения / от D можно объяснить, если принять во внимание то, что чем больше диаметр трубки, тем более затруднена передача выделяющегося тепла к стенкам *>. Из этих рассуждений мы заключаем, что при оптимальных условиях / и р обратно пропорциональны величине D и, следовательно, в соответствии с выражением (6Л0) оптимальное значение Р определяется лишь длиной трубки I С02-лазеры с медленной продольной прокачкой относительно низкой мощности (50—100 Вт) широко используются в лазерной хирургии, для подгонки резисторов, для резки керамических пластин в электронной промышленности и сварки тонких металлических листов (толщиной меньше I мм).
б) Лазеры с быстрой продольной прокачкой. Одним из воз- можных и практически очень интересных решений, позволяю- щим преодолеть ограничения на выходную мощность лазеров рассмотренного выше типа, является прокачка газовой смеси вдоль трубки с очень высокой сверхзвуковой скоростью (около 50 м/с). В этом случае теплота уносится просто путем удаления
разогретой которая, прежде чем вернуться в трубку, охлаждается вне ее пределов в.соответствующем теплообменнике. При этом плотность тока не имеет оптимального значения, мощность фактически возрастает линейно с увеличением /, и можно достичь значительно более высокой выходной мощности на единицу длины разряда (~1 кВт/м и даже больше). Помимо охлаждения смесь за пределами трубки пропускается через катализатор, чтобы газ СО прореагировал с 02 (некоторое количество 02 уже имеется в смеси благодаря диссоциации С02 в области разряда). Это обеспечивает необходимую регенерацию молекул С02. В этом режиме необходимая подпитка смеси крайне мала и можно добиться работы в полностью запаянном режиме. В настоящее время СО^-лазеры с быстрой продольной прокачкой высокой мощности (1—3 кВт) нашли широкое применение во многих операциях по обработке материалов и, в частности, для лазерной резки металлов (с толщиной до нескольких миллиметров).
в) Отпаянные лазеры. Если в устройстве, показанном на рис. 6.17, остановить прокачку газовой смеси, то через несколько минут генерация прекратится, поскольку продукты химической реакции (в частности, молекулы СО), образующиеся в разряде, уже не удаляются, а поглощаются стенками трубки или начи- нают взаимодействовать с электродами, нарушая таким обра- зом равновесие в смеси С02—СО—02. В конечном счете это привело бы к диссоциации молекул С02. Чтобы обеспечить
!) Иными словами» количество теплоты пропорционально JD2, о площадь стенок пропорциональна D. Поэтому в первом приближении можно считать, что температура пропорциональна Я). Отсюда /ОПт ~ MB, — Прим. перев.
регенерацию молекул СО2 из СО, в газоразрядной трубке отпаянного лазера должен находиться определенный катализатор.
Для этого в газовую смесь можно просто добавить небольшое количество паров воды (около 1 %). В данном случае регенерация молекул С02 осуществляется, по-видимому, благодаря еле-дующей реакции:
со'+он^еог + н, (6.П)
в которой участвуют колебательно-возбужденные молекулы СО и С02. Требуемое сравнительно небольшое количество паров воды можно получить, добавляя в разряд газообразный водород и кислород. В действительности ' оказывается, что в ' смесь необходимо добавлять только водород, поскольку кислород образуется в процессе диссоциации молекул С02. Другая возможность инициирования реакции релаксации основана на использовании горячего (300°С) никелевого катода, который выполняет роль катализатора. Применение этих методов привело к созданию отпаянных трубок с долговечностью более 10000 ч.
Выходная мощность отпаянных лазеров с единицы длины со- ставляет около 60 Вт/м, т. е. значение которое дают и лазеры с продольной прокачкой газа. Маломощные (порядка 1 Вт) от- паянные лазеры с коротким резонатором и поэтому работающие в одномодовом режиме нередко применяются в качестве гете- родинов в экспериментах по оптическому гетеродинированию. Отпаянные С02-лазеры несколько более высокой мощности (по- рядка 10 Вт) привлекают внимание с точки их исполь- зования в лазерной микрохирургии и для механической обра- ботки микрорезанием.
г) Волноеодные лазеры. Если диаметр лазерной трубки на рис. 6.17 уменьшить до нескольких миллиметров (2—4 мм), то лазерное излучение в трубке распространяется как в волноводе. Такие волноводиые СОглазеры имеют низкие дифракционные потери. Было показано, что наилучшие характеристики получаются с трубками, изготовленными из ВеО или Si02. Главным преимуществом волноводного С02-лазера является то, что благодаря небольшому диаметру отверстия давление смеси должно быть высоким (100—200 мм рт. ст.). Возрастание давления приводит к увеличению усиления на единицу длины. Это означает, что можно изготавливать короткие С02-лазеры (L <С 50 см), не сталкиваясь с трудной задачей уменьшения потерь в Однако мощность, которую можно снять с единицы длины разряда, подвержена тому же ограничению, что и мощность рассмотренного выше лазера с медленной продольной прокачкой / — 50 Вт/м). Поэтому волноводные СОо-лазеры играют особенно важную роль, когда имеется необходимость в коротких компактных С02-лазерах низкой мощности (Р < 30 Вт) (например, для лазерной микрохирургии). Чтобы полностью реализовать возможности, связанные с компактностью этих лазеров, они работают, как правило, в отпаянном режиме. Конструкция лазера может быть такой, как на рис. 6.17, когда ток разряда протекает вдоль лазерной трубки, либо такой, как на рис. 6.18, когда электрический ток (обычно от высокочастотного источника) течет поперек трубки. При фиксированном значении электрического поля & (из-за того, что величина &/р должна быть постоянной) конструкция с поперечной накачкой имеет значительное преимущество перед продольной накачкой, поскольку она
Гурячии электрод
Рис. 6.18. Схематическое представление волноводного С02-лазера с накачкой ВЧ-полем.
допускает намного более низкие (на два порядка вели-
чины) напряжения на электродах. Высокочастотное (v « ж 30 МГц) возбуждение обладает многими преимуществами, среди которых наиболее существенными, возможно, являются следующие: 1) в этой схеме отсутствуют постоянные анод и катод, и поэтому исчезают трудности, связанные с химическими процессами в газе вблизи катода; 2) благодаря включению последовательно с разрядом простых элементов, не рассеивающих
энергии (например, диэлектрической пластины), обеспечивается
устойчивый разряд. В силу этих различных преимуществ высокочастотные разряды все больше применяются не только в вол-новодных лазерах, но и в лазерах как с быстрой продольной прокачкой, так и с поперечной прокачкой, к рассмотрению которых мы и перейдем непосредственно, В качестве последнего замечания укажем, что трубку волноводного СОг-лазера либо вообще не охлаждают, либо, если необходимо отбирать максимальную мощность, охлаждают воздушной струей.
д) Лазеры с продольной прокачкой. Другую возможность снять ограничения на мощность в лазере с медленной продольной прокачкой предоставляет прокачка газовой смеси перпендикулярно разряду (рис. 6.19). Если смесь прокачивать достаточно быстро, то, как и в случае лазера с быстрой продольной прокачкой, теплота уносится механически, а не путем переноса к стенкам. Поэтому насыщения выходной мощности при увеличении тока разряда не происходит, и можно достичь высоких выходных мощностей с единицы длины разряда (несколько
кВт/м;см.
также рис. 5.17),
теплообменник
как
и в лазерах с быстрой
продольной накачкой. Следует заметить, что в этом случае оптимальное общее давление смеси (порядка 100 мм рт. ст.) теперь примерно на порядок выше, чем давление в системах с продольной прокачкой и большим диаметром трубки. Увеличение общего давления р требует соответствующего увеличения электрического поля Ж разряда. Действительно, для реализации оптимальных условий работы необходимо, чтобы во всех случаях отношение &]р оставалось примерно одинаковым, поскольку это отношение определяет среднюю энергию электронов в разряде [см. (3.38)]. Однако при этом устройство с продольным разрядом типа показанного на рис. 6.17 оказалось бы непрактичным, поскольку оно потребовало бы очень высокого приложенного напряжения (100—500 кВ на длине разряда 1 м). Поэтому делают
так, чтобы разряд протекал в направлении, перпендикулярном
оси резонатора (эти лазеры называются ТЕ-лазеры, аббревиатура англ. transverse electric field). Одна из наиболее простых реализаций ТЕ-схемы рис. 6Л9 показана на рис. 6.20. В данной конструкции катод имеет форму металлического стержня, а анод, чтобы достичь однородности разряда, выполнен в виде многих отдельных электродов (сегментный анод).
ТЕ С02-лазеры с быстрой поперечной прокачкой высокой выходной мощности (1-20 кВт) широко применяются во многих приложениях, связанных с обработкой металла (резание, сварка, поверхностная закалка, поверхностное легирование металлов). По сравнению с лазерами с быстрой продольной прокачкой эти лазеры имеют более простую конструкцию, поскольку для поперечной прокачки не нужна большая скорость прокачки, как
в случае продольной. Однако лазеры с быстрой продольной прокачкой имеют значительно лучшее качество пучка, поскольку у них ток разряда имеет цилиндрическую симметрию, что делает
эти лазеры особенно привлекательными для механической обработки резанием.
е) СОглазеры атмосферного давления с поперечным возбуждением [18]. В непрерывных ТЕ СОг-лазерах нелегко поднять давление выше ~ 100 мм рт. ст. В тлеющем разряде выше этого
•Глухое зеркало Катод Р*£^т™
гт»
> \/
I -чудо*
\
\
х
Выходное
Теплообменник
/Х, \Х
зеркало
Поток
газа ^
, Вентилятор
давления и обычно используемых плотностях тока возникают неустойчивости, которые приводят к образованию дуги в
объеме разряда. Для преодоления этого осложнения к электродам, между которыми происходит поперечный разряд, прикладывают импульсное напряжение. Если длительность импульса достаточно мала (доля микросекунды), то неустойчивости в разряде не успеют развиться и, следовательно, рабочее давление газа можно повысить вплоть до атмосферного и выше. Эти лазеры называются ТЕА-лазерами (аббревиатура англ. слов transversely excited at atmospheric pressure). Таким образом, ТЕА-лазеры работают в импульсном режиме и позволяют получать большой энергосъем с единицы объема разряда (10—50 Дж/л).
Для предотвращения дугового разряда используется также тот или иной тип ионизации, которая предшествует возбуждающему импульсу напряжения (предыонизация). На рис. 6.21 приведена схема, которая часто применяется на практике и в которой ионизация обеспечивается сильным УФ-излучснием нескольких искр, которые пробегают параллельно оси" трубки. Излучение этих искр в дальней УФ-области приводит к необходимой ионизации посредством как фотоионизации составляющих смеси, так и благодаря индуцированной УФ-излучением эмиссии электронов из электродов {УФ-предыонизация). К другим методам
Газовая
Разрядный,
конденсатор
Искровой
источник
питания
+25
кВ
Искровой
источник &Ф
в перпендикулярном оси резонатора направлении и охлаждается в соответствующем теплообменнике. Другой интересной характеристикой этих лазеров являются их относительно широкие полосы генерации (~ 4 ГГц при р = 1 атм благодаря столкно-вительному уширению). Таким образом в ТЕА-лазерах в режиме синхронизации мод были получены оптические импульсы длительностью менее 1 не. Помимо широкого использования TEA С02-лазеров в научных приложениях они находят многочисленные применения в промышленности для обработки материалов в тех случаях, когда импульсный характер пучка дает некоторое преимущество (например, импульсная лазерная маркировка).
ж) Газодинамический С02~лазер [19], Газодинамический С02-лазер заслуживает особого внимания, поскольку инверсия населенностей в нем создается не электрическим разрядом, а за счет быстрого расширения газовой смеси (содержащей С02), предварительно нагретой до высокой температуры. Инверсия населенностей возникает в потоке в области расширения. В литературе имеются сообщения о том, что от газодинамических С02-лазеров были получены наиболее высокие мощности.
Принцип действия газодинамического лазера можно кратко описать следующим образом (рис. 6.22). Предположим, что вна- чале газовая смесь находится при высокой температуре (напри- мер, Т = 1400 К) и высоком давлении (например, р= 17 атм) в соответствующем резервуаре. Поскольку газ первоначально находится в термодинамическом равновесии, у молекулы С02 будет большой населенность уровня 00° 1 (порядка 10 % насе- ленности основного состояния; см. рис. 6.22,6). Разумеется, по сравнению с этой населенность нижнего уровня является более высокой (~25%), и, следовательно, инверсия населенностей отсутствует. Предположим теперь, что газовая смесь истекает через какие-то сопла (рис. 6.22, в). Поскольку расширение яв- ляется температура поступательного движения
смеси становится очень низкой. За счет VT-релаксации населен- ности как так и нижнего лазерных уровней будут
стремиться к новым равновесным значениям. Однако, поскольку
время жизни верхнего уровня больше времени жизни нижнего,
релаксация нижнего уровня произойдет на более ранней стадии процесса расширения (рис. 6.22,6). Таким образом, ниже по потоку от зоны расширения будет существовать достаточно ши- рокая область с инверсией населенностей. Протяженность этой области L приближенно определяется временем, необходимым для передачи возбуждения от молекулы No молекуле СО2. При этом оба лазерных зеркала выбирают прямоугольной формы и их располагают так, как показано на рис.. 6.22, е.. Такой способ \
создания инверсии населенностей будет эффективным лишь в
ОШсть дозВунодых тростей И >
Р=Пти'//Ш
Активная область Ц-10гЩ
a/a=f4
Область расширения
<
.
Лг *-|
Р=0,086 атм r=J54 К
ШШШШШ* Высота сама - Я* мм
Нижний
уробень
Верти
уробень
ю
20 30 Расстояние,
см
6
ЗерШй
Д
иффузоры
\
|
шшж. |
|
|
|
|
^-Зеркало |
б
Рис. 6,22, Схема, иллюстрирующая работу газодинамического С02-лазера. а — принцип действия устройства; б—пространственное распределение населенности .V* верхнего и нижнего лазерных уровней (нормированной на населенность основного уровня 2V00a); в - геометрия резонатора. (Рисунки а и б воспроизведены с разрешения редакции журнала IEE Spectrum, v. 7, № П, 51—58 (1970); Copyright 1970 by the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.) том случае, когда в процессе расширения температура и давление смеси понижаются за время, которое 1) мало по сравнению с временем жизни верхнего лазерного уровня и 2) велико по сравнению с временем жизни нижнего лазерного уровня. Чтобы удовлетворить этим условиям, расширение должно проходить со сверхзвуковыми скоростями (число Маха ~4). В заключение следует заметить, что начальную высокую температуру газовой смеси получают за счет сгорания специально подобранного топлива (например, сгорания СО и 02 или бензола СеН6 с закисью азота (N26), при этом автоматически образуется смесь С02/Н20 в отношении 2:1).
Согласно опубликованным данным, от газодинамических СОг-лазеров можно получить выходную мощность до 80 кВт, причем химический КПД » составляет 1 %. Непрерывный режим
работы такого лазера был получен лишь в течение короткого
времени (несколько секунд), что связано с сильным нагревом отдельных элементов (например, зеркал) лазерным Вследствие трудностей, возникающих при работе со сверхзвуковым истечением, промышленные применения для газодинамических лазеров пока не найдены. Наше короткое рассмотрение здесь имело целью подчеркнуть интерес к самой идее создания инверсии населенностей путем газодинамического расширения.
6.3.3.2. СО-лазер
Другим примером газового лазера на колебательно-вращательных переходах, который мы кратко рассмотрим, является СО-лазер. Этот лазер привлек значительный интерес в связи с тем, что он генерирует на более короткой, чем С02-лазер, длине волны (Я » 5 мкм), а также имеет высокий КПД и высокую выходную мощность. Экспериментально достигнутые [20] выходные мощности таких лазеров превышают 100 кВт, а КПД — 60 %. Однако, чтобы осуществить лазер с такими параметрами, газовую смесь приходится охлаждать до низких температур (77-100 К). В генерацию лазера при К ж 5 мкм дают вклад несколько вращательно-колебательных переходов [например, при температуре Т= 77 К, начиная с переходов v'(ll) v(10)
и кончая переходами %)' (7) (6)) сильно возбужденной молекулы СО.
Накачка колебательных уровней молекулы СО осуществляется возбуждением электронным ударом. По аналогии с изоэлек-тронной молекулой N2 молекула СО обладает необычно большим
»> Химический КПД определяется как отношение выходной энергии лазера к полной химической энергии, которая может быть получена при сгорании топлива,
сечением
возбуждения колебательного уровня
электронным ударом. При этом
почти
90
%
энергии электронов в разряде может быть
преобразовано в колебательную энергию
молекул СО. Другая важная особенность
молекул СО состоит в том, что скорость
W-релаксации
у них существенно больше,
чем
скорость
VT-pe-лаксации
(которая
необычно
мала).
Вследствие
этого населенность высоколежащйх
колебательных
уровней
не будет подчиняться
больцмановскому
распределению,
поскольку в данном случае очень большую
роль играет процесс» известный как
ангармоническая
накачка Хотя
данное явление не позволяет получить
полную инверсию населенностей
колебательных
уровней
молекулы СО, здесь возможна так называемая
частичная
инверсия. Это
иллюстрируется на рис. 6.23, на котором
показаны населенности вращательных
уровней двух
соседних
колебательных состояний. Хотя полные
населенности двух
колебательных состояний одинаковы, мы
видим, что инверсия существует для двух переходов Р-ветви [ (/'= 5)+(/= 6),
(/' Гетю^у'ктнных ^ ^жуикс* Тагам
одинаков^ 'по^ на-селешюсти.
при частичной инверсии может возникать генерация; в этом случае важ-
роль играет новое явление, называемое каскадной генерацией. Действительно, генерация вызывает уменьшение населенности вращательного уровня верхнего состояния и увеличение населенности вращательного уровня нижнего колебательного состояния, Последний из упомянутых уровней в процессе генерации может накопить достаточную населенность, чтобы образовалась инверсия по отношению к вращательному уровню более низкого колебательного состояния. В то же время населенность вращатель-
*> Ангармоническая накачка обусловлена процессом столкновения типа
по мере продвижения вверх по колебательным уровням (см. также рис. 2.23). Это означает, что при столкновении указанного выше типа при п 5» га суммарная колебательная энергия двух молекул СО после столкновения меньше, чем до него. Поэтому процесс столкновения в указанном направлении
колебательным уровням, что приводит к небольцмаиовскому распределению населенностей среди колебательных уровней.
7
ного уровня верхнего состояния может значительно уменьшиться, вследствие чего возникает инверсия населенностей между этим уровнем и вращательным уровнем более высокого колебательного состояния. Процесс каскадного взаимодействия с очень .низкой скоростью VT-релаксации приводит к тому, что большая часть колебательной энергии переходит в энергию выходного излучения лазера. Данное обстоятельство, а также очень высокая эффективность возбуждения обусловливают высокий КПД СО-лазера. Для того чтобы ангармоническая накачка была высокоэффективной, температура рабочей смеси должна быть низкой. Действительно, отклонение распределения населенностей от больцмановского. а следовательно, и степень частичной инверсии быстро увеличиваются с понижением температуры поступательного движения.
Как и в случае С02-лазера, СО-лазер работает с продольной
прокачкой газовой смеси, в импульсном поперечном электрическом разряде с предыонизацией электронным пучком, а также при газодинамическом возбуждении. Промышленное производство СО-лазеров пока сдерживается необходимостью его работы
при низких температурах. Однако недавно были построены СО-лазеры, работающие при температуре, близкой к комнатной, и сохраняющие высокий дифференциальный КПД (20—30 %), и теперь СО-лазеры всерьез рассматриваются в качестве реального источника для приложений в медицине и обработке материалов.