
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
Поверхности высокоотражающих лазерных зеркал или делителей пучка обычно изготавливают методом нанесения многослойного диэлектрического покрытия на плоскую или сферическую оптическую поверхность материала подложки, например
стекла. Тот же прием может быть использован и для того, чтобы сильно ослабить отражение от поверхности оптических элементов (просветляющее покрытие) или изготовить другие оптические элементы, такие, как интерференционные фильтры или
поляризаторы. Покрытие обычно наносится в вакуумной камере путем испарения соответствующих диэлектрических материалов, которые затем осаждаются в виде слоя на подложку. Широко распространенное применение многослойных диэлектриков для лазерных оптических компонентов связано с тем, что слои делаются из прозрачных материалов и поэтому могут выдерживать высокую интенсивность лазерных пучков. Этим они сильно отличаются от свойств тонких металлических пленок (например, из серебра или золота), также изготавливаемых методами напыления в вакууме и нередко используемых для традицион-
1н = А* /*пн
Отраженный лучок гш
Падающий пучок
л
н
1*
Отраженный пучок ~-
tin rhl Ihl*
Рис. 4.16, Первые два отражения на двух границах раздела слоя с высоким коэффициентом преломления. Как и в случае интерферометра Фабри — Перо, здесь также происходят многократные отражения, не* па рисунке мы
их не показали.
ных оптических компонентов. Вследствие высокого поглощения эти пленки обычно не выдерживают высокую интенсивность лазерного излучения.
Рассмотрим оптическую подложку, например стекло, покрытую рядом слоев с попеременно высоким пн и низким Пь показателями преломления по сравнению с показателем преломления ns подложки. В качестве материалов с высоким и низким показателями преломления можно рассмотреть соответственно ТЮ2 и SiCb. Если толщина слоев 1н и U такова, что Пн1н — = iilIl = %о/49 где Яо — длина падающей волны в вакууме, то электрические поля от всех отражений на границах слоев будут складываться в фазе. Рассмотрим, например, две границы раздела слоя с высоким показателем преломления (рис. 4.16). Коэффициент отражения для электрического поля на границе раздела при переходе от среды с низким показателем преломления к высокому записывается в виде
rLH = (*L - nH)l{nL + ПН)
(4.50)
и, следовательно, является отрицательной величиной. Это означает, что при отражении электрическое поле претерпевает скачок фазы на п. Наоборот, коэффициент отражения при переходе от среды с высоким показателем преломления к среде с низким показателем преломления равен rHL = {пн — Пь)/(##+ Пь)> т. е. без сдвига фазы отраженной волны. Коэффициент пропускания iLti при переходе от среды с низким к среде с высоким показателем преломления тот же, что и коэффициент пропускания Ihl Для перехода от высокого к низкому показателю преломления. При этом мы имеем
кн = Ы = • (4-51)
Если оптическая толщина слоя Пн1н равна Яо/4, то нетрудно видеть, что оба отраженных пучка на рис. 4.16 сложатся в одной и той же фазе. Этот результат будет справедлив также для всех многократных отражений между двумя границами раздела на рис. 4.16, как и в случае интерферометра Фабри — Перо. Следовательно, если нанесено достаточное число четвертьволновых слоев с попеременно низким и высоким показателем преломления, то полная отражательная способность вследствие всех многочисленных отражений может достигать весьма больших значений. Если многослойное покрытие начинается и заканчивается слоями с высоким показателем преломления, так что число слоев / нечетно, то результирующий коэффициент отражения по мощности (при Я = Ко) запишется в виде
*(Ао)
(*н -"ГЧЛ (А мх
= I —у г—j— I ф (4.52)
\пу >-4-nJLln$J
Пусть, например, п$ « 1,54 (стекло ВК-7), пн = 2,28 (ТЮ2 при Яо » 1 мкм), tt£= 1,45 (Si02 при U ж- 1 мкм) и / = 15. В этом случае мы получим R = 99,8 %. Заметим, что коэффициент отражения по мощности на отдельной границе раздела в соответствии с (4.50) равен Rlh = Rhl = \гнь]2 = [{пн — tii)/(яя+ + nL)]2 = 4,9%.
Если длина падающей волны Я отличается от Яо, то, разумеется, коэффициент отражения будет иметь меньшее значение, чем то, которое получится из вычисления по формуле (4.52). Для иллюстрации характерных примеров на рис. 4Л7 представлены зависимости коэффициента отражения от длины волны для /= 15 и / = 3. Заметим, что с ростом числа слоев максимальное значение коэффициента отражения явно увеличивается
и что при этом область высокой отражательной способности делается шире, а ее границы становятся более крутыми.
./+1 - - ^Л
Чтобы уменьшить отражение от оптической поверхности, можно использовать одиночный слой с низким показателем преломления. Нетрудно показать, что минимальное значение коэффициента отражения RMnn достигается тогда, когда nji. — ?.о/4;
при этом
Я*ин = (-^—Ц-] • (4.53)
V ns + nzLJ
Заметим, что отражение было бы равно нулю, если бы щ = ~(ns)]/2. Материал с наименьшим показателем преломления,
1,2
0
1,6
100
во
60
о
(V;
40
Z0
1 1 |
1 1 |
1 / ' |
— |
✓ \ |
— |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
д А Д1 |
|
1 [VЛ л |
|
1 |
1V \гЛ1'' |
Ofi 0,6 0,8
Рис. 4.17. Кривые зависимости коэффициента отражения от длины волны многослойной диэлектрической стопы (с толщиной каждого слоя Я/4), из готовленной из ТЮ2 и $\0% с общим числом слоев, равным 3 (штриховая кривая) и 15 (сплошная кривая). Подложка изготовлена из стекла ВК-7
I
который может быть получен в виде устойчивой пленки, представляет собой MgF2, у которого nL = 1,38. Выбирая ns = 1,54, из (4.53) получаем /?МИц ~ 1,1 %. Это значение, хотя и не равно нулю, все же намного меньше, чем у необработанной поверхности, для которой в соответствии с (4.50) получаем R = [ (rts— — 1) / (ns + 1) ]2 = 4,5 %. Если MgF2 используется в качестве просветляющего покрытия на торцевых поверхностях стержня из iNd: YAQ (п =1,82), то отражательная способность почти равна нулю. На самом деле из (4.53) следует, что RMun ж 5-10~4. Минимальное значение коэффициента отражения, разумеется, достигается при % — %о> но ширина области со слабым отражением очень велика (в первом из рассмотренных примеров, если Х0 соответствует середине видимого диапазона, отражательная способность не превышает 2 % для всего видимого диапазона). Для некоторых лазерных приложений может потребоваться даже более слабая отражательная способность (возможно, вплоть до 0» 1 % ) по сравнению с той, что указана выше для стекла. Этого можно достичь использованием более чем одного слоя в просветляющем покрытии. При этом для такого типа покрытий область со слабым отражением занимает весьма ограниченное пространство, причем форма кривой зависимости коэффициента отражения от длины волны имеет вид буквы V с острым минимумом. Такое покрытие обычно называют У-по-крытием.
Чтобы завершить данный раздел, укажем на то, что если падающий пучок линейно поляризован, то плоская поверхность данного оптического элемента может быть наклонена под таким углом, что отражение будет отсутствовать. То, что при этом происходит, можно описать с помощью рис. 4.18, я. Мы предполагаем, что плоскость поляризации электрического поля падающего пучка лежит в плоскости рисунка. Пусть угол падения 8в таков, что преломленный пучок перпендикулярен отраженному пучку. Следовательно, электрическое поле Е в оптической среде, а вместе с ним и его вектор поляризации будут параллельны направлению, в котором происходит отражение; Поскольку отраженный пучок порождается излучением, испускаемым вектором
поляризации среды, в которой происходит преломление, этот отраженный пучок будет в данном случае отсутствовать, так как дипольный момент не излучает вдоль собственного направления. Значение угла падения 8в, который называется углом Брюетера или поляризующим углом, можно вычислить непосредственно с помощью геометрической оптики. В соответствии с предыдущими рассуждениями имеем
#в + % = Ф* (4.54а)
где 6д — угол преломления. Кроме того, согласно закону Снел-лиуса
ns sin в; = sin Вв. (4.546)
Поскольку из (4.54а) мы имеем sin последнее со-
отношение дает следующее выражение для угла Брюетера:
tgBfl = ns. (4.55)
Заметим, что если поменять местами направления лучей (рис. 4.18,б), то отраженного пучка снова не будет, так как
преломленный и отраженный пучки взаимно перпендикулярны. Отсюда заключаем, что если на пути пучка, поляризованного в плоскости рисунка, поместить под углом Брюстера плоскопа-