
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
При термодинамическом равновесии населенность данного вращательно-колебательного уровня, принадлежащего данному
электронному состоянию, можно записать в виде
(2.176)
где Ее, EVf ^—соответственно электронная, колебательная и вращательная энергии уровня, a ge. gv. gr — соответствующие кратности вырождения уровней [см! соотношение (2.156Ц. Согласно оценкам, сделанным в предыдущем разделе, Ev/hc ж « 1000 см-1, в то время как отношение Ee/hc превосходит эту величину более чем па порядок. Поскольку kTfhc& 209 см~» (Т = 300 К), энергии Ее и Ev значительно больше, чем kT. Таким образом, можно утверждать, что в состоянии термодинамического равновесия молекула находится на самом нижнем ко-
40
р (/) ~ (2/ + 1) ехр [~ BJ (I + \)jkTl
(2.177)
и Хотя этот вывод обычно справедлив для двухатомных молекул, он, вообще говоря, неприменим к многоатомным молекулам. В последнем случае (например, молекула SFe) расстояние между колебательными уровнями часто значительно меньше, чем 1000 см-1 (вплоть до ~ 100 см~4), и многие колебательные уровни основного электронного состояния могут быть достаточно хорошо заселены при комнатной температуре.
Множитель (2/+ О перед экспонентом возникает вследствие вырождения уровня, поскольку вращательный уровень с квантовым числом / имеет (2/ + 1)-кратное вырождение. Рассматривая в качестве примера В = 0,5 см-1 и полагая кТ — 209 см~] (комнатная температура), можно показать, что распределение населенности между различными вращательными подуровнями данного колебательного уровня (скажем, основного состояния) соответствует рис, 2.27. Заметим, что благодаря наличию в выражении (2.177) множителя (2/ -J-1) более всего заселен не основной уровень (/=0), а тот, вращательное квантовое число / которого, как нетрудно показать из выражения (2.177), удовлетворяет условию 2 J + 1 = (2kT/B) lK
Основной вывод, который можно сделать из этого раздела, состоит в том, что для простых молекул при комнатной температуре энергия распределена между многими вращательными подуровнями основного колебательного уровня.
2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
В соответствии с вышеизложенным переходы между энергетическими уровнями можно разделить на три типа: 1) Переходы между двумя вращательно-колебательными уровнями различных электронных состояний, которые называются виб-ронными переходами от сокращения английских слов vibrational (колебательный) и electronic (электронный). В делом все они попадают в ближний УФ диапазон спектра. 2) Переходы между двумя вращательно-колебательными уровнями одного и того же электронного состояния (вращательно-колебательные переходы)—в большинстве своем они попадают в ближний и средний диапазоны спектра. 3) Переходы между двумя вращательными уровнями одного колебательного состояния
[например, состояния с квантовым колебательным числом v = 0, основного электронного состояния (чисто вращательные переходы)], которые приходятся на дальнюю ИК-область
спектра. В дальнейшем мы рассмотрим колебательные и вра-
щательно-колебательные переходы, поскольку в наиболее широко применяемых молекулярных газовых лазерах генерация
именно на этих двух типах переходов. Существуют также лазеры, работающие на чисто вращательных переходах и при этом генерирующие в дальнем ИК диапазоне спектра, но область их использования относительно ограничена (спектроскопическими приложениями).
Рассмотрим сначала вибронные переходы (рис. 2.23). Прежде всего сделаем замечание о том, что, если энергия фотона больше ДЕ,, то молекула диссоциирует вследствие поглощения фотона (это явление называется фотолизом). Если энергия падающего фотона АЕ2 меньше, чем Д£ь и имеет соответствующее значение, то произойдет виброиный переход, причем молекула перейдет с самого нижнего колебательного уровня основного электронного состояния 1). Если предположить, что электронный переход происходит за время, много меньшее периода колебаний, то мы придем к так называемому принципу Франка — Коидона. Согласно этому принципу, в течение процесса поглощения расстояние между ядрами не изменяется, поэтому переход на рис, 2.23 является вертикальным. Таким образом, если молекула первоначально находилась на уровне с v" = О основного электронного состояния, то переходы будут происходить преимущественно в заштрихованной области рис. 2.23. Поскольку минимум кривой потенциальной энергии возбужденного состояния, как правило, смещен в сторону больших значений межъядерного расстояния R, два атома молекулы, после того как произойдет поглощение, будут испытывать отталкивание и молекула, таким образом, окажется в возбужденном колебательном состоянии. Это колебание во многих случаях ре-лаксирует безызлучательным путем, обычно через столкновения с окружающими молекулами. В результате молекула скатывается на нижний колебательный уровень верхнего электронного состояния 2К С этого уровня за счет спонтанного излучения (люминесценции) молекула обычно релаксирует на один из колебательных уровней основного состояния. Поскольку принцип Франка — Кондона остается справедливым, межъядерное расстояние не изменится за время перехода и на рис. 2.23 переход будет вертикальным (например, переход С->£>). Снова видим, что молекула остается на возбужденном колебательном уровне, на этот раз принадлежащем уже основному электронному состоянию. Наконец, благодаря столкновениям молекула с большой скоростью возвращается на уровень с v" = 0 основного электронного состояния (точнее, опять устанавливается термодинамическое равновесие в основном электронном состоянии).
4>
Когда населено большое число колебательных
уровней основного электронного
состояния,
переходы
могут начинаться с любого из этих
.уровней. Полосы поглощения, связанные
с переходом из состояния с v"
">
О,
называются «горячими».
2)
Действительно, эта быстрая релаксация
приводит к «термализации»
молекулы
в верхнем электронном состоянии.
Следовательно, вероятность заселенности
данного колебательного уровня этого
состояния определяется выражением
(2.176).
Поэтому в простых молекулах заселяется
преимущественно низший колебательный
уровень.
4
О, Звелто
В случае перехода между двумя колебательными уровнями одного и того же электронного состояния (например, основного) квантовомеханические правила отбора требуют, чтобы Да = ±1, где Av — изменение колебательного квантового числа. Таким образом, если исходным состоянием является основное с v" — О, то переход может произойти только в состояние с и"=1. в случае же когда исходным является уровень о"=1, переход может произойти на уровень и" = 2 (поглощение) или v" = 0 (вынужденное излучение) (см. рис. 2.24). Заметим, что правило Ди = ±1 не является абсолютно строгим для молекулы и могут также быть переходы с Ар = ±2, ±3, ..., , хотя и со значительно меньшей вероятностью {обер-тонные переходы).
До сих пор в нашем рассмотрении мы пренебрегали тем, что в действительности каждому колебательному уровню соответствует целый набор близко расположенных вращательных уровней. Если учесть это обстоятельство, то станет ясно, что поглощение происходит с переходом с вращательного уровня нижнего колебательного состояния на некоторый вращательный
уровень верхнего колебательного состояния. Правила отбора для двухатомных или линейных трехатомных молекул обычно требуют, чтобы Д/ = ± 1 (Д/ = Г — где I" и /'- вращательные квантовые числа нижнего и верхнего колебательных состояний). Например, в случае вращательно-колебательного перехода данный колебательный переход (скажем, переход v" = 0^v'=l на рис. 2.24), который в отсутствие вращения давал бы только одну линию на частоте vo, на самом деле состоит из двух групп линий (рис. 2.28). Первая группа, имеющая более низкие частоты, называется Я-ветвью и соответствует переходу с Д/= 1. Частоты переходов в этой ветви меньше vo, так как вращательная энергия на верхнем уровне ниже, чем на нижнем (см. рис. 2.26). Вторая группа с более высокими частотами называется /?-ветвью и соответствует Д/ = —1. Заметим, что с помощью выражения (2.175) нетрудно показать, что на рис. 2.28 линии расположены равномерно с расстоянием между ними, равным 2В/1г. Заметим также, что амплитуды линий не соответствуют тем, которые получились бы в результате учета различной населенности вращательных уровней основного состояния
R-BmSb
(1
(1
Рис. 2.28. Переходы- между двумя колебательными уровнями с учетом вращательной структуры. В отсутствие вращательной энергии этот переход должен был бы давать одну линию с центром в точке vp. На самом деле он состоит из двух групп линий: одной, называемой Р-ветвью и соответствующей переходам с изменением вращательного квантового числа на Д/ = +1, и другой, называемой Я-ветвыо, соответствующей изменению вращательного
квантового числа на Д/ = —1,
(см. рис. 2.27). И наконец, отметим, что для более сложных молекул выполняется также правило отбора Д/ = 0. Когда это правило имеет место, переходы со всех вращательных уровней данного колебательного состояния дают одну линию с центральной частотой vo (Q-ветвь).