
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
Литература
1. Kuizenga D. J.r Siegman А Е.г IEEE J. Quantum Electron., QE-6, 694
(1970).
2. Siegman JI, Lasers, University Science Books, Hill Valley, California, 1978. sec. 7.4,
ПРИЛОЖЕНИЕ Г
Физические постоянные
кТ
энергию
Постоянная Планка h ft = й/2я Заряд электрона в Масса покоя электрона т Скорость света в вакууме с$ Постоянная Больцмана к Магнетон Бора Р Электрическая постоянная и Магнитная постоянная щ Энергия, соответствующая 1 эВ Частота излучения, имеющего
(/ = 300 К) Энергия фотона, имеющего длину волны X-
= 0,5 мкм
Отношение массы протона к массе электрона Число Авогадро (число молекул в грамм-молекуле)
Радиус первой боровской орбиты а= Постояная Стефана — Больцмана 0SB
6;6256- ю-34 Дж-с 1,054-Ю-34 Дж-с 1,60210-10-19 Кл 9,1091 • Ю-31 кг 2.99792458-108 м/с 1,38054* 10-23 Дж/К 9,2732-Ю-24 А-м2 8,854* Ю-12 Ф/м 4я • 10-7 Гн/м 1,60210-10-19 Дж 208,5 см-1
3,973- Ю-19 Дж
1836,13
6,0248-1023 моль-1
0,529175-10"8 см
5,679-Ю-12 Вт-см-2-К"4
1
Ответы к некоторым задачам
Глава 1
1.3. Будем считать, что середине видимого участка спектра соответствует длина волны X = 0,55 мкм. Отвечающая этой длине волны частота (в об- ратных сантиметрах) w = 1Д - 18181 см-1. Поскольку кТ = 208 см~- (см.
Приложение Г), то (£2 - Ex)jkT —87,4 и N\j N\= 1,1 • 10~38.
Е2- Ех = кТ- 208" см-- (К = 48 мкм - средний ИК-диапазон спектра).
(Nz—Ni) = 1.3-1017 см-3.
D ^ 500 м.
Глава 2
«VAv = 8яУДА,Д4 = 1,9- 1012 мод!
Лд| = 0,48 мкм (зеленый участок видимого света).
2.3. Тспонт = 4,78 мс, 0 = 0.63.
Поскольку молекулярная масса YAG равна 594, на основном уровне 4h,n находится около 1,38-1020 ионов Nd3+/cM3. Из этого числа ионов лишь около 46 % находится на нижнем штарковском уровне мультиплета 4/э/2-
аР » 8-10~iS см2.
2.7. Тспонт = 5,75 НС, Тбезыал = T/( 1 - ф) = 38,3 НС.
Согласно выражению (2.170а), эффективное сечение вынужденного излучения равно 021 = z21o = 3,5 • Ю-19 см2, где z11 = ехр(—AE/kT)/[\ + + ехр(—АЕ/кТ)] = 0,4-функция распределения для подуровня Д2.
В процессе усиления спонтанного излучения коэффициент усиления за один проход равен G = 547. Предполагая, что эффективное сечение кристалла Nd : YAG 0 = 3,5*10~19 см2 (см. предыдущую задачу), получаем Nc я* 6,03- 1018 ионов Nd3+/cM8 и запасенная энергия Е ж 2,51 Дж.
В — 0,3 см"1 = 9 ГГц.
Av = 4В= 36 ГГц. 2.19. р = 1/с.
2.23. Д\'.ыР:<а « 2/лТс = 2/Avo.
Глава 3
Если спиральную лампу накачки представить приближенно в виде кольцеобразной импульсной лампы с диаметром Di и предположить, что цилиндрический отражатель вокруг лампы в первом приближении имеет такой же, как и лампа, диаметр, то можно применить выражение (3.11), положив в нем S^ = nD^ltS =пВ^1ж SL— 2nD^l (объясните появление множителя 2 в последнем выражении), где DR — диаметр стержня, а I — его длина, равная примерно длине лампы. Тогда , из выражения (3.11) получаем
Эксцентриситет эллипса равен с « 0,3. Из выражения (3.17) получаем Км — 3,71 мм, Rm = 1,67 мм. Эти числа надо разделить на значение показателя преломления среды для стержня с полированной боковой поверхностью.
3.8. kTe = (2/3) (тУ2ТСПЛ/2)\ поскольку тУ2Т&пл/2 — 10 эВ, то kTe = 6,67 эВ.
Имеем 6 = 2т/ М. Тогда из (3.37) и (3.37а) получаем искомый ответ.
Сечение упругого столкновения можно принять примерно равным сечению атома (газокинетическое сечение о* равно примерно нескольким единицам, умноженным на 10*~16 см2). Сечение возбуждения атома обычно много меньше этой величины; см., например, рис. 3.23,
pD = 4 (мм рт. ст.) - мм.
Грамм-молекула занимает объем V — 9,6 10е см3. Тогда плотность атомов N = Na/V= 6,27-1016 атомов Не/см8, где Na - число Авогадро. При этом средняя длина свободного пробега / = 319 мкм. Тепловая скорость равна Отепл = (2E/m)%'z = 1,87-108 см/с. Из выражения (3.36а) видно, что скорость дрейфа такова, что 0дрейф/#т*пл = еШ\2Е. Отсюда получаем
Удрейф/С'тепл « 4,8- Ю-2.
3.15. Из уравнения Пуассона находим, что V = 4,52 MB! Очевидно, это означает, что существует пренебрежимо малая вероятность того, что элек- троны отделятся от ионов, обладая отличной от них скоростью.
3.16. Плотность атомов Аг равна N- 1,07» 10,т ем~3, а средняя длина сво- бодного пробега I = 1/ЛГоупр= 467 мкм. Из (3.38) видно, что атектронная температура в электрон-вольтах равна kTele= (2/6) 1/2#^/3. Поскольку & = = 74 В/м, получаем kTe/e да 1,38 эВ.