
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
8.4.2.1. Параметрическая генерация
Рассмотрим теперь три волны с частотами ©ь 6)2 и ©з (причем ©з = ©1 + а>2), взаимодействующие в кристалле. Общее поле E(z, t) этих волн можно записать в виде следующей суммы:
E(z, t) — E*h(z9 t) +£(,)2(;г, /) + Ё1* (2, 0, (8.68)
где каждое из полей определяется выражением (8.66а). Подставляя (8.68) в соотношение (8.41) и используя (8,66а), получаем выражение для компонент Р"елн" (z) [аналогичное выражению (8.666)] нелинейной поляризации на различных частотах ©/. Выполнив утомительные, но несложные алгебраические преоб
разования,
находим,
что,
например,
компонента
р?ел|Ш
на
ча.
стоте
coi
дастся
выражением
риелин
=
d^
^
£*
ф
ехр
[t
^
+
k2_
fa) (8
69)
Компоненты
нелинейной
поляризации
па
частотах
ш2
и
ш3
вычисляются
аналогичным
образом.
Подставляя
в
уравнение
(8.67)
компоненты
величины
Рнелин,
соответствующие
трем
частотам,
получаем
следующие
три
уравнения:
1
т~\
££!_..
——•
.
1
Et
i
riz
\
2п{в^~)
i-
v
rti^o
/
3
z
F
L
\
з
2
D
г
(8.70a)
■#
=
-(l^)^-4-&)^3^exp[-/(^-^-^)e],
(8.706)
<1Еъ (
Oi
dz
(8.70в)
Это
основные
уравнения,
описывающие
нелинейное
параметрическое
взаимодействие.
Заметим,
что
они
связаны
между
собой
посредством
нелинейного
коэффициента
d.
На
данном
этапе
удобно
определить
новую
полевую
переменную
Af.
At
=
(n,lia,)mEt. (8.71)
Поскольку
интенсивность
волны
равна
//
=
n,&oCo
ЕА2/2,
соответствующий
поток
фотонов
F,
можно
записать
в
виде
FI
=
—(г0са/2П)\АА2.
Таким
образом,
величина
\А,\2
пропорциональна
потоку
фотонов
на
частоте
причем
коэффициент
пропорциональности
не
зависит
от
щ
и
ох/.
В
этих
новых
полевых
переменных
уравнения
(8.70)
принимают
вид■
?-5-
fl
LrfL
£!п"го
Г—(k!z
—/L
—
fe'rii
dAx
_
Mt
dz
2
dA2
dz
2
dAs
dz
г
— iXA3Aloxp[—
Г
; (8.72a)
-аЛ3Л;
exp[—
*
(Ate)], (8.726)
— iXA\ Aj ехр [i (Mz)], (8.72b) где мы положили ay = Of/fifac0, Afe = &3 — &2 — &{ и
Преимущество использования Л/ вместо Ef очевидно, поскольку в противоположность уравнениям (8.70) в уравнения (8,72) входит единственный параметр связи я!
Пренебрегая потерями (т. е. полагая ш=0), умножая обе части уравнения (8.72а) на А], а обе части уравнения (8.726)
на Л* и сравнивая полученные выражения, приходим к следующему соотношению; d\А\\2/dz= d\A2\2/dz. Выполняя аналогичные преобразования уравнений (8.726) и (8.72в), получаем d A2\ydz=~d\A3\*/dz. Следовательно, можно написать следующие равенства:
dz ~ dz ~ dz ' [ ' v
которые называются соотношениями Мэнли — Роу. Поскольку величина |Л|2 пропорциональна соответствующему потоку фотонов, из этих соотношений следует, что всякий раз, когда уничтожается фотон с частотой со3, образуются фотоны с частотами
и Это согласуется с фотонной моделью параметрического процесса, обсуждавшейся в разд. 8.4.1.2. Следует заметить, что из соотношений (8.74) вытекает, например, следующее равен- ство: dP\/dz= — (dPz/dz), где Р\ и Рз — мощности со- ответствующих волн. Таким образом, в излучение с частотой о>, может быть преобразована лишь часть щ/шъ мощности излуче- ния с частотой (Оз.
Строго говоря, уравнения (8.72) справедливы в случае «бегущей» волны, когда в кристалле произвольной длины распространяются три волны с частотами иь «2, ю3. Покажем теперь, каким образом эти уравнения можно применить к случаю оптического параметрического генератора, схематически показанного на рис. 8.8. Рассмотрим сначала этот генератор, работающий по схеме двойного резонатора. В этой схеме внутри резонатора в прямом и обратном направлениях распространяются две волны с частотами и Параметрический процесс имеет место здесь только тогда, когда направления распространения этих волн и волны накачки совпадают (поскольку лишь при данных
обстоятельствах удовлетворяется условие фазового синхронизма). Если «развернуть» оптический путь волны в резонаторе
так, как показано на рис. 8.9, а, то из рисунка очевидно, что
волны испытывают потери на любом участке пути, в то время
как параметрическое усиление имеет место лишь на одном из
двух отрезков пути. Эту ситуацию можно эквивалентно представить в виде схемы, приведенной на рис. 8.9, б, если соответствующим образом определить коэффициент эффективных потерь
а/ (/=1, 2). Потери, определяемые на рис. 8.9, б длиной кри
сталла
/, на самом деле должны быть равны потерям
при двойном проходе резонатора, как
показано на рис. 8.9,
а.
Последние представляют реальные
потери в кристалле, а также потери,
обусловленные дифракцией и отражением
на зеркалах. Следовательно, входящие
в уравнения (8.72) коэффициенты а\
и
аг должны быть определены таким
образом, чтобы они учитывали эти различные
потери. Из (8.72), пренебрегая параметрическим
взаимодействием (т. е. полагая Я = 0),
мы
видим, что после
прохождения пути равного
Потери зернам /
длине кристалла, мощность излучения на частоте ю/ (/== = 1,2) уменьшается до доли ехр(—ail) мощности излучения на входе в кристалл.
t
1 потери t усиление ^ 1
Рис 8.9 a — «развертка» оптического пути в резонаторе оптического пара-
!Ч2 ниеТотическогоГ путТпри двойномТр^-"
ходе в резонаторе, показанного иа рис. а, к одному проходу, причем потери на зеркалах включены в распределе-
потерь в кристалле.
При этом мы должны учитывать потери, которые испытывает излучение при
ДВОЙНОМ ПрОХОДе реЗОНатОра. Таким образом, мы
имеем следующее выражение:
ехр t—Щ1)—K\,KV \i—1)
(8.74а)
где /?н И Ra — коэффициенты отражения соответствующих зеркал, а Т—потери
в кристалле (с учетом дифракционных потерь) за один проход излучения с частотой % через резонатор. Определим теперь следующие величины [ср. с (5.7)]: уц = —In 72/ =—In i?2/»
Y — —In (I ■— Т) и Y/= [(Yi/ +¥2/)/^] +¥/* При этом выражение (8.74a) принимает вид
1-
(8.75)
где у/ — общие потери в резонаторе за один проход. Заметим,
что это равносильно замене потерь, обусловленных отражением
от зеркал, потерями, распределенными по кристаллу, и последующему включению их в эффективный коэффициент поглощения а/ (/— 1, 2) кристалла. Величина же аз учитывает лишь потери внутри кристалла, которыми, вообще говоря, можно пренебречь. Таким образом, на этом этапе мы можем утверждать, что в случае двухрезонаторной параметрической генерации уравнения (8.72) все еще справедливы при условии, что а\ и а>
i
ы
"i
6-й
I
i
определяются выражением (8.75). Чтобы получить пороговое условие параметрической генерации в двухрезоиаторной схеме, приведем уравнения (8.72) к более простому виду. Для этого предположим, что можно пренебречь «истощением» волны накачки за счет параметрического процесса. Используя это предположение, а также предположение о том, что аз = 0, мы можем положить Л3{z)~Л3(0),где Л3(0) — амплитуда падающей волны накачки, которая считается вещественной. Если предположить затем, что Ak =0 (идеальный фазовый синхронизм), то уравнения (8.72) принимают существенно более простой вид:
"ч
где I
g = 2ХА3 (0) = 2d (Ш. (8.77) |
i
Теперь нетрудно получить пороговое условие параметрической | генерации при двойном резонансе. Для этого в уравнениях ? (8.76) положим dA[/dz= dA2/dz = 0, В результате получим следующую систему однородных уравнений:
«Л + igAL— 0, igA] - cl4: = 0, (8.78а, б)
где в последнем уравнении левая часть является комплексно-сопряженной относительно правой части уравнения (8.766). При решении этой однородной системы уравнений ненулевые значения А\ и А2 имеют место лишь при условии, что
g2 = ща2 ^ 4уху2/12. (8.79)
4
f
Последнее выражение мы записали с помощью соотношения (8.75). Из (8.77) мы видим, что g пропорциональна величине
£з(0), т. е. интенсивности волны накачки. Таким образом, ус- ловие (8.79) означает, что для возбуждения параметрической ге- нерации необходима определенная пороговая интенсивность вол- | ны накачки. Эта интенсивность пропорциональна произведению | потерь (по мощности) ух и 72 Двух волн с частотами a>i и ю2 за | один проход в резонаторе и обратно пропорциональна величи- | нам d2 и /2. j
Случай однорезонаторной параметрической генерации яв- ? ляется несколько более сложным. Если лазерный резонатор настроен лишь на частоту ©ь то c&i можно опять представить в виде (8.75). Поскольку волна на частоте со2 не отражается обратно в резонатор, а2 будет включать в себя только потери в кристалле, и, следовательно, эту величину можно не учитывать. Пренебрегая «истощением» волны накачки и предполагая, что
i
j
фазовый синхронизм является идеальным, уравнения (8.76) можно применить по-прежнему, но при условии» что аг = 0. В случае когда параметрическое преобразование невелико, в правой части уравнения (8.766) можно положить Л* (z) « Л* (0). Таким
образом, имеем следующее выражение:
А2(г) = - igA\ (0) 2/2, (8.80)
при получении которого мы предположили, что Лг(0) =0 (т.е. из
резонатора в кристалл волна на частоте обратно не поступает). Если в (8.76а) подставить выражение (8.80) и в правой части уравнения (8.76а) положить A\(z) ж А\(0), то мы получим
(8.81)
Интегрирование этого уравнения дает следующее выражение для амплитуды волны на частоте а>ь после того как она пройдет длину / кристалла:
Ах (0 = А{ (0) (1 — а,//2 + ёЧЩ. (8.82)
Пороговое условие достигается тогда, когда i4i(/) = Л[(0), т. е.
когда
g2^4a,// = 8vi//2- (8.83)
Поскольку величина g пропорциональна интенсивности / волны накачки, сравнение выражений (8.83) и (8.79) дает отношение пороговых значений интенсивности накачки:
/ОРГ//ДРГ = 2/ys
(8.84)
(здесь индексы ОРГ — однорезонансная генерация, ДРГ — двух-резонансная генерация). Если выбрать потери за проход равными, скажем, 72=2%, то из (8.84) находим, что пороговая мощность для однорезонансной генерации должна быть в 100 раз больше, чем для двухрезона йеной.
8.4.2.2. Генерация второй гармоники В случае ГВГ мы имеем: Е (2, /) = (1/2) {Еф ехр [* (ш* - k#)\
Р"елт (г, t) = (1/2) {Р™лт ехр [/(ю/ - k^z)] +
с.},
(8.85)
+ Рйлнн ехр [i(2(dt — k2<M + к. с.}. (8.86)
Подстановка (8.85) и (8.86) в (Ml) дает
«г е0 dElwp\ i (2кщ—£2й>) ^, /8.87а)
рнелин л- jn ^ ехр \ Л (&2 2fe )г/ ^ 876)
Затем, подставляя выражение (8.87) в (8.67) и пренебрегая потерями в кристалле (т. е. полагая о, = 0), получаем
в ~' 157 ехР<' <8-88а>
^=-1 -zikdE^ ехр (-' Ш)> <8-88б>
здесь Ak = &2(й Уравнения (8.88) являются основными для
описания генерации второй гармоники. Чтобы их решить, удобно определить новые полевые переменные Е^ и Е'ш следующим
образом:
= (л^ Рф7 = {п2^2 Еж (8.89а, б)
Отсюда мы видим, что, поскольку интенсивность /<» волны с частотой со пропорциональна произведению /гт|£ш|2, интенсивность | Е'т р также пропорциональна величине но теперь коэффициент пропорциональности не зависит от показателя преломления. Подстановка выражений (8,89) в (8.88) приводит к следующим уравнениям:
dE' i е'?
dz ZBr е'ы(0)
где £^(0) — значение Е'ф в точке 2—0, а /вг—характерная
длина взаимодействия второй гармоники, определяемая выражением
/вг- 2пёВЛ(0) ' (ЬМ1)
где Xn — длина волны, а Еф(0) — амплитуда поля основной волны на частоте Заметим снова, что преимущество использования новых полевых переменных Е'т и Е'ы с очевидностью
следует из выражений (8.90), так как они содержат один единственный параметр связи /вг. Кроме того, подчеркнем, что величины Еф (0), а следовательно, и Е'/л (0) являются веществен-