
- •Isbn 5-03-001053-х (русск.) isbn 0-306-42967-5 (англ.)
- •1.1. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение
- •1.1.1. Спонтанное излучение (рис. L.Lf а)
- •1.1.2. Вынужденное излучение (рис. 1л?б)
- •1.2. Принцип работы лазера
- •1.3. Схемы накачки.
- •БН&лиогека вшшгездячшсогв институт з
- •1.4. Свойства лазерных пучков
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Направленность
- •Электромагнитная Волна
- •1*4.4. Яркость
- •1.4.5. Импульсы малой длительности
- •1.5. Структура книги
- •2.1. Введение
- •2.2. Теория излучения черного тела [1]
- •2.3. Поглощение и вынужденное излучение
- •2,3.1. Вероятности поглощения и вынужденного излучения
- •2.3.3. Механизм уширения линии
- •2.3.3.1. Однородное ушарение
- •2.3.3.2. Неоднородное уширение
- •2.3,3.3. Выводы и примеры
- •2.3.4. Сечение перехода, коэффициенты поглощения и усиления
- •2.4, Спонтанное излучение
- •2.4 Л. Полуклассический подход
- •2.4.2. Квантовоэлектродинамический подход
- •2.4.3. Термодинамический подход Эйнштейна
- •2.4.4. Связь между спонтанным временем жизни
- •Ол *споит
- •2.4.5, Заключительные замечания
- •2.5. Безызлучательная релаксация [11]
- •2.6. Насыщение
- •2.6.1. Насыщение поглощения; однородно уширенная линия
- •2.6.3. Неоднородно уширенная линия
- •2.7. Релаксация многоатомной системы
- •2.7.1. Захват излучения
- •2.7.2. Сверхизлучение и суперлюминесценция
- •2,8. Вырожденные уровни
- •2.9. Молекулярные системы
- •2,9,1. Энергетические уровни молекул
- •2.9.2. Заселенность уровней при тепловом равновесии
- •2.9.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •2.9.4. Квантовомеханический расчет вероятностей
- •Литература
- •3.1. Введение
- •3.2. Оптическая накачка [1, 2]
- •3.2.1. Кпд накачки
- •3,2.2. Излучательная эффективность и эффективность передачи1)
- •3,2.5. Заключительные замечания
- •3.3. Электрическая накачка
- •3.3.1. Физические свойства газовых разрядов [10—12]
- •3.3.2. Возбуждение электронным ударом
- •3.3.2.1. Сечение электронного удара [13]
- •3.3.2.2. Распределение энергии электронов
- •3.3.2.4. Уравнение ионизационного равновесия
- •3.3.2.5. Вычисление скорости накачки
- •3.3.3. Возбуждение посредством (около)резонансной
- •3J1. Покажите, что упругие столкновения встречаются значительно более
- •3.12. Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой т„ и произведением pD:
- •Литература
- •4.1. Введение
- •4.2. Некоторые разделы геометрической и волновой оптики
- •4.2.1. Матричная формулировка геометрической оптики [1]
- •4.2.2. Интерферометр Фабри—Перо [2]
- •4.2.3. Многослойные диэлектрические покрытия [3, 4]
- •Падают пучок
- •Отраженный
- •4.3. Время жизни фотона и добротность резонатора
- •4.4. Плоскопараллельный резонатор
- •4.4.1. Приближенная теория
- •4.4.2. Теория Фокса и Ли
- •4,5, Конфокальный резонатор [8]
- •4.6. Распространение гауссова пучка
- •Волны (б).
- •4.7. Обобщенный сферический резонатор [8]
- •4.7.1. Амплитуды мод
- •4.7.2. Резонансные частоты и дифракционные потери
- •4.7.3. Условие устойчивости
- •1 Положительная
- •(Кпршщтщшт ветвь
- •Отрицательная йетвь
- •4.8. Неустойчивые резонаторы [14, 15]
- •4.8.1. Геометрическое описание
- •4.8.2. Описание с помощью волновой оптики
- •4.8.3. Достоинства и недостатки неустойчивых резонаторов
- •4.8.4. Неустойчивые резонаторы с переменным коэффициентом отражения
- •Литература
- •5Л. Введение
- •5.2. Скоростные уравнения [2, 3]
- •5.2.1. Четырехуровневый лазер
- •5.2.2. Трехуровневый лазер
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера
- •5.3.1. Четырехуровневый лазер
- •5.3.2. Трехуровневый лазер
- •5.3.3. Оптимальная связь на выходе лазера [7]
- •5.3.4. Перестройка частоты генерации лазера
- •5*3.5. Одномодовая и многомодовая генерация
- •5.3S.L Причины возникновения многоходовой генерации
- •5.3.5.2. Одномодовый режим генерации
- •5*3.6. Два числовых примера
- •5.3.8. Провал Лэмба и активная стабилизация
- •5.4, Нестационарный режим работы лазера
- •5.4Л, Релаксационные колебания в одномодовых лазерах
- •5.4.2, Пичковый режим многомодовых лазеров
- •5.4,3. Модуляция добротности [21]
- •5.4.3.1. Методы модуляции добротности
- •Дисррскшрозиитт пучок
- •5.4.3.2. Режимы генерации
- •5.4.3.4. Числовой пример
- •5.4.4. Модуляция усиления
- •5.4.5. Синхронизация мод [26, 27]
- •5.4Mj. Методы синхронизации мод
- •Машцштшйсн поглотитель
- •5.4.5.2. Лазерные системы с сихронизацией мод
- •5.4.6. Разгрузка резонатора
- •Выходной пучок
- •Ахтпшная среда
- •Дифрагированные пучки
- •5.5. Заключительные замечания
- •Литература
- •5. Непрерывный и нестационарный режимы работы лазеров
- •6.2. Твердотельные лазеры
- •6.2.1. Рубиновый лазер [1]
- •6.2.2. Неодимовые лазеры [4—6]
- •6.2.2.1. Nd : yag-лазер
- •6.2X2. Стекло с неодимом [7]
- •6.2.3. Лазер на александрите [8]
- •6.3.1. Лазеры на нейтральных атомах
- •6.Зал. Гелий-неоновые лазеры
- •6.3.1.2. Лазеры на парах меди и золота [12]
- •6.3,2. Ионные лазеры
- •6,3.2.1. Аргоновый лазер [13, 14]
- •Метастабитные уровни
- •6.3.3. Молекулярные газовые лазеры
- •6,3.3.3. Азотный лазер [21]
- •6.3.3.4. Эксимерные лазеры [22]
- •6.4. Жидкостные лазеры (лазеры на красителях) [23]
- •6.4.1. Фотофизические свойства органических красителей
- •Синметные Тршетные состояния состояния
- •6,4.2, Параметры лазеров на красителях
- •Модулированной добротностью.
- •Зеркало накачки
- •6.5. Химические лазеры [26f 27]
- •6.5.1. Лазер на hf
- •6.6. Полупроводниковые лазеры [28]
- •6.6.1.3. Излучательные и безызлучательные переходы
- •6.61.4. Квазиуровни Ферми
- •6.6.2.1. Лазер на гомопереходе
- •6.6.2.2. Лазер на двойном гетеропереходе
- •6*6.4. Применения полупроводниковых лазеров
- •6.6.5. Упрощенная теория полупроводникового лазера
- •6.7. Лазеры на центрах окраски [37]
- •3EpKpj7i? с „высокой
- •I V/ ospxcuw Сатрираше rtrtacmuxxti
- •6,8. Лазер на свободных электронах [3.8]
- •6.9. Рентгеновские лазеры
- •6.10. Сводка параметров
- •Назовите хотя бы четыре лазера, длины волн которых попадают в ик-область спектра.
- •Вычислите ширину лэмбовского провала для с02-лазера с продольной прокачкой и сравните ее с доплеровской шириной.
- •Литература
- •7.1. Введение
- •7.2. Монохроматичность
- •7.3. Комплексное представление полей
- •7,4. Статистические свойства лазерного излучения и излучения тепловых источников
- •7.5. Когерентность первого порядка [3]
- •7.5.1. Степень пространственной и временной когерентности
- •7.5.2. Измерение пространственной и временной когерентностей
- •Сзетазал волна
- •7.5.3. Соотношение между временной когерентностью и монохроматичностью
- •7.5.5. Пространственная и временная когерентность одномодовых и многомодовых лазеров
- •7.6. Направленность
- •7.6.1. Пучки с полной пространственной когерентностью
- •(Лампы).
- •7.7. Лазерная спекл-картина [6, 7]
- •7.8. Яркость
- •7.9. Сравнение лазерного и теплового излучений
- •Литература
- •Преобразование лазерного пучка: распространение, усиление, преобразование частоты, сжатие импульса
- •8.1. Введение
- •8.2. Преобразование в пространстве; распространение гауссова Пучка
- •8.3. Преобразование амплитуды: лазерное усиление [6—8]
- •8.4. Преобразование частоты; генерация второй гармоники и параметрическая генерация [9-11]
- •8.4.1. Физическая картина
- •Химическая формула
- •8.4,1.2, Параметрическая генерация
- •8*4,2. Аналитическое рассмотрение
- •8.4.2.1. Параметрическая генерация
- •2Ш ф exp[/(aJte)l (8.90а)
- •8.5. Временное преобразование; сжатие импульса
- •6;Ic Дифракаматая решетка Сжатый импульс " о, г т д ифрякцаонноя решетки Одн&уюдззсе оптическое волокно
- •6 Пс примерно в 10 раз.
- •Литература
- •Полуклассическая теория взаимодействия излучения с веществом
- •Пространственно-зависимые скоростные уравнения
- •Теория активной синхронизации мод для однородно уширенной линии
- •Литература
- •Глава 1
- •Глава 2
- •Глава 3
- •Глава 4
- •Глава 5
- •Периодическая последова-
- •При замене суммы интегралом получается не тельность импульсов, а одиночный импульс.
- •Глава 6
- •Глава 7
- •Только в 2 раза. .
- •Глава 8
- •Введение
- •5.3. Непрерывный режим работы лазера 245 .
- •6. F Полупроводниковые лазеры г28м
2.3.3.2. Неоднородное уширение
Предположим, что некий механизм уширения распределяет резонансные частоты атомов в некоторой полосе частот с центром в Vo и что относительная плотность распределения этих частот равна g*(v'0— v0)> Согласно этому, g* (v^ — v0) dvf0 есть
вероятность того, что резонансная частота атома попадает в интервал между и Vq+^Vq. Тогда из выражения (2.36а) или,
в более общем случае, из (2.47), если действует также какой-
либо другой механизм уширения (например, столкновительное
уширение), можно получить среднее значение коэффициентов
вынужденного излучения или поглощения. Таким образом,
2"8 I ц ?№ (v - v0); (2.68)
3/г8в0А8
здесь через gt (v — v0) обозначена функция
St — £* Wg [(v — v0) — х/ dfx,
(2.69)
—оо
причем x =v'0 — v0. Отсюда следует, что формула (2.39) остает- ся справедливой и в том когда присутствуют два меха- низма уширения: один однородный с формой линии g и другой неоднородной с формой линии g\ причем функция gt представ- ляет собой свертку этих двух функций. Если однородное уши- рение, описываемое функцией g (v — v'0), много меньше неодно- родного уширения g* (y'Q— v), то функцию g (v — v^) можно аппроксимировать б-функцией Дирака, и тогда
(2.70)
рассматривают
как полностью неоднород-
Этот случай иногда ное уширение.
В газах типичный механизм неоднородного уширения связан с движением атомов и называется доплеровским ушире-нием. Чтобы проиллюстрировать этот тип уширения, рассмотрим
молекулу, которая в поле электромагнитного излуче-
иия, имеющего частоту v (причем эта частота измеряется в лаб. системе координат). Обозначим через v составляющую скорости молекулы (измеряемую в той же лаб. системе координат)
в направлении распространения электромагнитной волны. Тогда частота волны v', измеряемая в системе координат движущегося атома, равна у' = v[l ±(vfc)] (эффект Доплера), причем
знак минус или плюс выбирается в зависимости от совпадают ли направления движения молекулы и распространения электромагнитной волны, или они направлены в противоположные стороны. Действительно, хорошо известно, что, если молекула движется навстречу волне, частота v', наблюдаемая в системе координат атома, всегда больше частоты v, наблюдаемой в лаб. системе координат. Разумеется, при этом поглощение будет происходить только тогда, когда частота v' электромагнитной волны в системе координат атома равна частоте атомного перехода vo, т. е. когда
v[l =fc (о/с)] «= v0. (2.71)
Если переписать это выражение в виде
у = V0/(l ± Vfc)y
(2.72)
то мы придем к иной интерпретации процесса. А именно при рассмотрении взаимодействия электромагнитного излучения с
атомом результат будет тем же самым, как если бы атом был неподвиЖен, но имел резонансную частоту определяемую
выражением
vJ-VOitr/c),
(2.73)
с
где vo — истинная частота атомного перехода. В самом деле, поглощение при такой интерпретации может происходить, когда частота v электромагнитной волны равна v' что согласуется
(2.72), если для vru использовать выражение (2.73). С этой точки зрения можно сказать, что данный механизм уширения
действительно является неоднородным в смысле определения,
данного в начале этого раздела. Чтобы вычислить соответствующую форму линииg* (y'Q — v0), достаточно вспомнить, что в газе,
находящемся при температуре Т, вероятность pv dv того, что атом массой М имеет составляющую скорости между v и v + dv, дается распределением Максвелла
А ( М У/2~ ( М**\й«
(2«74)
Поскольку из (2.73) следует, что
V —
К
(2.75)
v
О
то из выражений (2.74) и (2,75) получается искомое распределение, если мы договоримся, что ff*(vj — v0) dV0= pv dv. Таким
образом, мы получаем соотношение
v° Q/ J
(2.76)
v
2kT
О
£ (vo— vo)= — ( ) ехр —
так что в случае чисто уширения в
с (2,70) контур линии запишется в виде
g (v — v0) = — 1 1 ехр — - я I.
v0 ^ 2nkT ) L 2W v0 J
(2.77)
На рис. 2.8 изображена функция g*(v - v0) = g*(Av) в зависимости от Av. Как и в случае лоренцевой кривой, максимум достигается в точке Av = 0, а ширина контура (доплеровская ширина линии) теперь равна
Av; = 4(lrln2)'».
(2.78)
Такая кривая называется через ширину линии Av*
шется в виде гауссовой. Заметим, что выраженное максимальное значение g*(0) запи-
Avn V я /
0,939
о
(2.79)
в то время как для лоренцевой кривой максимальное значе ние равНо
= = (2.80)
Av<
Следовательно, при данной ширине линии гауссова кривая заострена сильнее лоренцевой.
Другим механизмом неоднородного уширения, приводящим опять-таки к гауссовой форме линии, может быть любое явление, которое вызывает
случайное
распределение JgCv-nM
частот атомных переходов. Например, если локальное электрическое поле кристалла случайным образом изменяется от точки к точке вследствие, скажем, дефектов кристаллической решетки, то благодаря эффекту
Штарка возникнут локальные сдвиги энергетических уровней, а вместе с ними и частот атомных переходов. Аналогичное явление имеет место также и в резупорядоченных
средах (таких, как стекло или жидкость), поскольку атомы,
окружающие рассматриваемый атом, распределены случайным
образом. Что касается ширины линии, то она определеляется теперь среднеквадратичным отклонением локального электрического поля.
По формуле (2.78) можно вычислить доплеровскую ширину линии AvJ = Дш*>/2я атома Ne при Т = 300 К на длине волны
К = 0,6328 мкм (одна из линий неона, на которой осуществляется лазерная генерация; см, гл. 6), которая оказывается равной
AvJ=l,7 ГГц. (2.81)
Сравнение этой величины с соответствующими значениями, вычисленными для столкновительного [см. (2.66)1 и естественного уширений, показывает, что в рассматриваемом примере доп-леровское уширение значительно больше естественного, которое в свою очередь существенно больше столкновительного. Это соотношение, впрочем, не всегда справедливо, поскольку при достаточно высоких давлениях газа столкновительное уширение преобладает над доплеровским (например, в С02-лазере при атмосферном давлении; см, гл. 6).