Часть II. Экспериментальное исследование температурных зависимостей электропроводности полупроводников Методика эксперимента

В качестве полупроводникового образца в стенде С3-ТТ01 установлен терморезистор. Для нахождения сопротивления терморезистора можно воспользоваться методом амперметра-вольтметра по закону Ома

(4.8)

Для проведения измерений электрическая схема представлена на рис. 4.9. Так как измеряемое сопротивление R намного меньше внутреннего сопротивления вольтметра, то вольтметр подключен параллельно измеряемому сопротивлению.

Рис. 4.9 Схема измерительной установки

Т.к. при нагревании сопротивление полупроводникового образца может уменьшиться в несколько раз, то необходимо в схеме использовать ограничивающее сопротивление R_огр .

Порядок выполнения работы

1. Соберите схему, показанную на рис.4.9.

2. Снимите вольт-амперную характеристику U=f(I) полупроводникового образца при двух различных температурах образца. Рекомендуемые значения температуры Т=300К и Т=360К. Рекомендуемый диапазон изменения тока 0 – 5 мА. Полученные значения занесите в таблицу 4.4. Постройте графики ВАХ U=f(I).

3. Снимите зависимость сопротивления полупроводникового образца от температуры R=f(T) при постоянном токе I=const. Рекомендуемое значение 1 мА. Полученные значения занесите в таблицу 4.5. Постройте график зависимости R=f(T). Так как схема питается от генератора напряжения, то при нагреве образца ток может изменяться. Поэтому необходимо перед каждым измерением установить требуемое значение тока. Для уменьшения влияния изменяющейся нагрузки на величину выходного тока можно в генераторе ГН1 включить внутреннее сопротивление (680 Ом).

4. Постройте зависимость lnR=f(1/T) и по формуле 4.6 рассчитайте значение коэффициента температурной чувствительности B.

Примечание: Для быстрого охлаждения образца воспользуйтесь вентилятором.

Таблица 4.4

№ п/п		0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Т=300К	U, В
	I, мА
Т=360К	U, В
	I, мА

Таблица 4.5

№ п/п	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Т, К
1/Т, К-1
U, В
I, мА
R, Ом
lnR