Подготовка к работе

Работа относится к темам: ″Проводимость металлов″, ″Проводимость полупроводников″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).

В "заготовке" к работе следует:

– описать метод измерения сопротивления мостом переменного тока, расчета удельного электрического сопротивления и проводимости, необходимые формулы;

– используя табличные данные записать значения ,  меди, B для полупроводников, используемых при изготовлении терморезисторов (табл. 2.1);

– изучить и зарисовать строение терморезисторов;

– описать теоретические зависимости (t), (t) для металлов и полупроводников;

– описать метод расчета E_з, В на основе экспериментальной зависимости R(t);

– описать особенности маркировки терморезисторов;

– изучить вопросы их применения.

Таблица 3.1

Материал	Медь	Полупроводник
	?	-
	?	-
	?	-
В	-	?
Размеры
l	23,2 м	0,1 мм
S	0,0068 мм2	0,01 мм2

Измерения и обработка результатов

1. Ознакомьтесь с работой моста переменного тока (частота 1 кГц).

2. Получите от преподавателя необходимые терморезисторы (резисторы № 1 и № 2). Опишите их форму, размеры, параметры и характеристики согласно справочникам.

3. Подсоедините мост переменного тока к блоку с резисторами. Определите параметры резисторов при комнатной температуре t₀ (табл. 3.2).

Таблица 3.2.

t0 = ? oC; f = 1 кГц
Позистор: металл, медь				Термистор: полупроводник
t, oC	R, Ом	, Омм	, Ом–1м-1	t, oC	Т, К	1/T, K–1	R, Ом	lnR	, Омм
t0	?	?	?	?	?	?	?	?	?
Через	?	?	?	?	?	?	?	?	?
3- 5 оС	?	?	?	?	?	?	?	?	?
…	?	?	?	?	?	?	?	?	?
…	?	?	?	?	?	?	?	?	?
60 оС	?	?	?	?	?	?	?	?	?
 ? К–1				Ез = ? эВ; В = ? К–1

4. Поместите терморезисторы в термостат. Поочередно подключая резисторы к мосту переменного тока, начиная от комнатной температуры t₀ до 60 ^оС, проведите измерения сопротивления резисторов от температуры (через 3-5 ^оС) (табл. 3.2).

5. Выключите установку.

6. Рассчитайте необходимые данные таблицы 3.2.

7. Постройте зависимости (t, ^oС) и (t, ^oС) для металла (на одном графике с разными осями). По данным графика рассчитайте значения ₂₀ и . Сравните полученные значения с табличными данными.

8. Постройте зависимости (t, ^oС) и (t, ^oС) для полупроводника (на одном графике с разными осями).

9. Постройте зависимости lnR(1/T, K^–1) для полупроводника. По данным графика рассчитайте значения Е_з и В. Сравните полученные значения с табличными данными.