Измерения и обработка результатов

1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда

1.1. Подготовка к работе

Ознакомьтесь с устройством стенда, на котором находятся образцы, том числе, одиночные кристаллы определенного типа проводимости, а также составные кристаллы, имитирующие строение диода (два кристалла с разным типом проводимости) и биполярного транзистора (три кристалла, два из которых одного типа).

Термозондом (рис. 2.5, а) является нагретое медное жало паяльника, разогрев которого осуществляется постоянным нажатием на кнопку Нагрев. Температуру жала, контролируемую рукой, не следует разогревать выше 50…60 ^оС. Жало термозонда электрически связано с положительной + клеммой чувствительного гальванометра.

1.2. Определение типа носителей разных кристаллов

По разрешению преподавателя включите установку. Нагретым жалом термозонда кратковременно и осторожно касайтесь хрупкого кристалла во избежание его повреждения. Одновременно фиксируйте направление отклонения (отброс вправо или влево) стрелки гальванометра (табл. 2.6).

1.3. Проведя анализ схемы, заполните таблицу 2.6 и определите тип носителей кристалла для:

а) трех произвольных одиночных образцов, установленных на стенде;

б) для модели, имитирующей диод и содержащей один p-n-переход;

в) для модели, имитирующей транзистор (два p-n-перехода).

Таблица 2.6

Определение типа носителей с помощью термозонда

Условие эксперимента	Возможные результаты испытаний	Образцы
		№1	№2	№3	диод		транзистор
Термозонд касается электрода	Верхнего или нижнего	?	?	?	?	?	?	?	?
Термозонд связан с клеммой гальванометра	Связан с "+" или с ″–″ клеммой	Связан с "+" клеммой
Стрелка индикатора отклонилась	По часовой стрелке или против нее	?	?	?	?	?	?	?	?
На "+" клемму прибора подается потенциал	"" или "+"	?	?	?	?	?	?	?	?
Основные носители	Электроны или дырки	?	?	?	?	?	?	?	?
Неосновные носители	То же	?	?	?	?	?	?	?	?
Полупроводник	Донорный или акцепторный	?	?	?	?	?	?	?	?

1.4. Выключите установку.

1.5. Сделайте заключение о типе материала. Зарисуйте зонную диаграмму данных полупроводниковых структур, отметив примерное положение уровня Ферми Е_ф.

2. Исследования по методу Холла