
- •Тема 1. Напiвпровiдниковi прилади
- •1.2. Провiднiсть напiвпровiдникiв
- •1.3. Електронно-дірковий перехід
- •1.4. Напівпровідникові діоди
- •1.5. Біполярні транзнстори
- •Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.
- •1.6. Польові транзнстори
- •Тема 2. Інтегральні мікросхеми
- •1.1. Планарна технологія
- •2.2. Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •2.4. Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.5. Тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми
- •Тепер можна оцінити питому ємність діелектрика із виразів
- •Тема з. Оптоелектронні елементи tа системи
- •3.1. Особливості оптоелектроніки
- •3.2. Джерела (випромінювачі) світла
- •3.3. Фотоприймачі
- •Загальний колекторний струм фототранзистора
- •3.4. Оптичні лінії зв'язку
- •3.5. Оптоелектронні індикатори
- •3.6. Оптрони
- •Mіkросхеmоtехhіка
- •Тема 4. Електронні підсилювачі
- •4.1. Класифікація та структурні схеми підсилювачів
- •Розглядаючи вхідне коло підсилювача з джерелом напруги (рис. 4.1, а), можемо записати
- •4.2. Осhоbhі характеристики підсилювачів
- •Для багатокаскадного підсилювача
- •4.3. Режим роботи підсилювального каскаду
- •4.4. Зворотний зв'язок у підсилювачах
- •Тема 5. Базові елементи лінійних інтегральних підсилювачів.
- •5.1. Особливості аналогової інтегральної схемотехніки
- •5.2. Методи забезпечення і стабілізація режиму роботи транзисторного каскаду підсилення
- •5.3. Елементарні каскади підсилення
- •5.4. Складений транзистор
- •5.5 Диференційні каскади підсилення
- •5.6. Вибіркові каскади підсилення
- •Тема 6. Операційні підсилювачі
- •6.1. Призначення та основні властивості операційних підсилювачів
- •6.2. Передавальні характеристики операційних підсилювачів
- •6.3. Сtруktурhі схеми операційних підсилювачів
- •6.4. Операційні підсилювачі загального призначення
- •6.5. Операційні підсилювачі окремого застосування
- •6.6. Найважливіші показники операційних підсилювачів
- •6.7. Інвертуюче, неінвертуюче та диференційне ввімкнення операційних підсилювачів
- •Вхідний і вихідний опори такої моделі в першому на6лиженні визначаються рівняннями
- •6.8. Розв'язуючі пристрої на стандартних операційних підсилювачах
- •Якщо до входу оп прикласти напругу в вигляді стрибка із сталою амплітудою Uд, то
- •Тема 7. Генератори гармонічних kоливань
- •7.1. Класифікація та ііризначення генераторів гармонічних коливань
- •7.2. Умови самозбудження автогенераtорів
- •Таким чином, щоб одержати стійкий автоколивальний процес з частотою коливань
- •7.5. Стабілізація частоти вихідних коливань в автогенераторах
- •Тема 8. Імпульсні пристрої на інтегральних mікросхеmах
- •8.1. Особливості імпульсного режиму електронних пристроїв
- •8.2. Ключовий режим роботи біполярних транзисторів
- •При цьому струм колектора в режимі насичення
- •8.3. Імпульсний режим роботи операційних підсилювачів. Компаратори
- •Скориставшись рівністю (8.11) та (8.12) для напруги гістерезисну, отримаємо
- •8.4. Диференціюючі та інтегруючі ланцюжки
- •8.1. Електронні ключі
- •8.6. Автоколивні мультивібратори
- •Період коливань мультивібратора симетричної схеми
- •Тривалість зрізу залежить від часу заряджання конденсатора
- •Частота слідування імпульсів
- •8.7. Загальмовані мультивібратори
- •Має низький негативний рівень, а напруга , що збігається з напругою на відкритому діоді vd1, майже дорівнює нулю.
- •8.8. Генератори лінійно–змінної напруги
- •Тема. 9. Цифрові елементи та пристрої
- •9.1. Загальна характеристика цифрових логічних інтегральних мікросхеm
- •9.2. Схеми цифрових логічних елементів
- •9.3. Тригери
Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.
Біполярний транзистор в динамічному режимі. В практичних пристроях промислової електроніки найбільшого поширення набула схема ЗЕ, що має найбільше підсилення потужності. При цьому в коло вихідного електрода транзистора вмикається опір навантаження RС , а в коло вхідного електрода – джерело вхідного сигналу з електрорушійною силою ед (рис. 1.19, а). Лише при наявності опору навантаження можливий процес підсилення напруги і потужності вхідного сигналу.
Рис. 1.19
В схемі на рис. 1.19, а зміни колекторного струму транзистора залежать не лише від змін базового струму, а й від змін напруги на колекторі
UCЕ = ЕC - ІCRC , (1.23)
яка, в свою чергу, визначається змінами як базового, так і колекторного струмів. Таким чином, одночасно змінюються всі струми і напруги в транзисторі. Такий режим роботи транзистора називають динамічним, а характеристики, що визначають зв'язок між струмами і напругами транзистора при наявності опору навантаження, динамічними характеристиками.
Динамічні характеристики будують на сім’ї статичних характеристик за заданими значеннями напруги джерела живлення колекторного кола ЕС та опору навантаження RС . Для побудови вихідної динамічної характеристики (рис. 1.19, 6) використовують рівняння динамічного режиму (1.23), яке являє собою рівняння прямої, оскільки при змінній величині ІС стоїть сталий коефіцієнт, що дорівнює чисельно RС. Тому достатньо знайти відрізки, що відсікаються прямою на осях координатної системи (ІC , UСЕ).
Якщо ІC = 0, то UСЕ = ЕC і при UСЕ = 0 ІC = ЕC /RC . Відклавши на відповідних осях напругу, що дорівнює ЕC , і струм, що дорівнює ЕC /RC , через одержані точки проводять пряму АG, яку називають лінією навантаження. Вихідна динамічна характеристика є геометричним місцем точок перетину лінії навантаження зі статичними характеристиками. Використовуючи динамічну колекторну характеристику, можна для будь-якого значення колекторного струму знайти відповідні значення напруги на колекторі та струму у вхідному колі ІB . Лінію навантаження можна побудувати також, якщо з точки G провести пряму лінію під кутом ψ = arctg RC .
Для визначення напруги на базі транзистора UВЕ (вхідної напруги) будують вхідну динамічну характеристику простим перенесенням точок IВ , UСЕ з вихідної динамічної характеристики на сім'ю статичних вхідних характеристик (рис. 1.19, в). Значення відповідних базових напруг визначаються абсцисами цих точок (на рис. 1.19, в зображено лише ділянки С' D' вхідної динамічної характеристики).
Точку перетину лінії навантаження зі статичною характеристикою при заданому струмі IB2 = I0В , що визначається джерелом зміщення ЕB , називають робочою точкою, а її початкове положення на лінії навантаження (за відсутності вхідного змінного сигналу) - точкою спокою р. Точка спокою визначає струм спокою вихідного кола I0C та напругу спокою U0C . При цьому рівняння динамічного режиму має вигляд
U0C = ЕC - I0C RC .
Місцезнаходження точки спокою визначається призначенням схеми, в якій використовується транзистор, значенням та формою вхідного сигналу і т. д. Якщо, наприклад, вхідний сигнал симетричний (нарис. 1.19 показаний такий сигнал синусоїдальної форми) з амплітудою вхідної напруги UBт та амплітудою вхідного струму IBт , то точку спокою р вибирають приблизно посередині лінії навантаження. При цьому в колекторному колі протікає струм з амплітудою ICт , а на колекторі виділяється напруга з амплітудою UСт .
Якщо в вихідне коло транзистора ввімкнути зовнішнє навантаження (на рис. 1.19. а це коло показане пунктирною лінією), то, очевидно, що загальним опором колекторного навантаження змінному струмові буде опір R’H = RC RH /(RC + RН), і динамічну характеристику змінного струму слід провести через точку спокою під кутом ψ’ = arctg R’H (пунктирна лінія на рис. 1.19, 6).
Режим роботи транзистора, за якого робоча точка не виходить за межі ділянки ВF лінії навантаження, називають лінійним, або підсилювальним режимом. При цьому зі зміною вхідного (базового) струму пропорційно змінюється вихідний (колекторний) струм.
Біполярні транзистори широко використовують у пристроях підсилення, генерації та перетворення електричних сигналів як безперервної, так і імпульсної дії. Вони є також основою інтегральних мікросхем.