- •Тема 1. Напiвпровiдниковi прилади
- •1.2. Провiднiсть напiвпровiдникiв
- •1.3. Електронно-дірковий перехід
- •1.4. Напівпровідникові діоди
- •1.5. Біполярні транзнстори
- •Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.
- •1.6. Польові транзнстори
- •Тема 2. Інтегральні мікросхеми
- •1.1. Планарна технологія
- •2.2. Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •2.4. Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.5. Тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми
- •Тепер можна оцінити питому ємність діелектрика із виразів
- •Тема з. Оптоелектронні елементи tа системи
- •3.1. Особливості оптоелектроніки
- •3.2. Джерела (випромінювачі) світла
- •3.3. Фотоприймачі
- •Загальний колекторний струм фототранзистора
- •3.4. Оптичні лінії зв'язку
- •3.5. Оптоелектронні індикатори
- •3.6. Оптрони
- •Mіkросхеmоtехhіка
- •Тема 4. Електронні підсилювачі
- •4.1. Класифікація та структурні схеми підсилювачів
- •Розглядаючи вхідне коло підсилювача з джерелом напруги (рис. 4.1, а), можемо записати
- •4.2. Осhоbhі характеристики підсилювачів
- •Для багатокаскадного підсилювача
- •4.3. Режим роботи підсилювального каскаду
- •4.4. Зворотний зв'язок у підсилювачах
- •Тема 5. Базові елементи лінійних інтегральних підсилювачів.
- •5.1. Особливості аналогової інтегральної схемотехніки
- •5.2. Методи забезпечення і стабілізація режиму роботи транзисторного каскаду підсилення
- •5.3. Елементарні каскади підсилення
- •5.4. Складений транзистор
- •5.5 Диференційні каскади підсилення
- •5.6. Вибіркові каскади підсилення
- •Тема 6. Операційні підсилювачі
- •6.1. Призначення та основні властивості операційних підсилювачів
- •6.2. Передавальні характеристики операційних підсилювачів
- •6.3. Сtруktурhі схеми операційних підсилювачів
- •6.4. Операційні підсилювачі загального призначення
- •6.5. Операційні підсилювачі окремого застосування
- •6.6. Найважливіші показники операційних підсилювачів
- •6.7. Інвертуюче, неінвертуюче та диференційне ввімкнення операційних підсилювачів
- •Вхідний і вихідний опори такої моделі в першому на6лиженні визначаються рівняннями
- •6.8. Розв'язуючі пристрої на стандартних операційних підсилювачах
- •Якщо до входу оп прикласти напругу в вигляді стрибка із сталою амплітудою Uд, то
- •Тема 7. Генератори гармонічних kоливань
- •7.1. Класифікація та ііризначення генераторів гармонічних коливань
- •7.2. Умови самозбудження автогенераtорів
- •Таким чином, щоб одержати стійкий автоколивальний процес з частотою коливань
- •7.5. Стабілізація частоти вихідних коливань в автогенераторах
- •Тема 8. Імпульсні пристрої на інтегральних mікросхеmах
- •8.1. Особливості імпульсного режиму електронних пристроїв
- •8.2. Ключовий режим роботи біполярних транзисторів
- •При цьому струм колектора в режимі насичення
- •8.3. Імпульсний режим роботи операційних підсилювачів. Компаратори
- •Скориставшись рівністю (8.11) та (8.12) для напруги гістерезисну, отримаємо
- •8.4. Диференціюючі та інтегруючі ланцюжки
- •8.1. Електронні ключі
- •8.6. Автоколивні мультивібратори
- •Період коливань мультивібратора симетричної схеми
- •Тривалість зрізу залежить від часу заряджання конденсатора
- •Частота слідування імпульсів
- •8.7. Загальмовані мультивібратори
- •Має низький негативний рівень, а напруга , що збігається з напругою на відкритому діоді vd1, майже дорівнює нулю.
- •8.8. Генератори лінійно–змінної напруги
- •Тема. 9. Цифрові елементи та пристрої
- •9.1. Загальна характеристика цифрових логічних інтегральних мікросхеm
- •9.2. Схеми цифрових логічних елементів
- •9.3. Тригери
Тема 5. Базові елементи лінійних інтегральних підсилювачів.
5.1. Особливості аналогової інтегральної схемотехніки
Аналогові інтегральні мікросхеми (ІМС) призначені для підсилення, обробки і перетворення електричних сигналів, параметри яких змінюються за законом неперервної функції. До таких аналогових ІMС належать операційні підсилювачі, інтегральні стабілізатори, компаратори та інші схеми, які складаються з базових схемотехнічних елементів, наприклад, елементарних підсилювальних каскадів, диференційних підсилювачів, каскадів зсуву потенціальних рівнів, генераторів стабільного струму, опорних елементів, кінцевих підсилювальних каскадів, Ці елементарні схеми широко використовують як при проектуванні відомих, так і при створенні нових лінійних ІMС. Аналогові ІMС універсальні і багатофункціональні. ці якості – закладають в мікросхеми при їх розробці. Багатофункціональні мікросхеми виготовляють в масовому виробництві. Вузькоспеціалізовані ІMС не користуються великим попитом, вони дорогі. Аналоговим ІMС, особливо операційним підсилювачам, властива функціональна перенасиченість за більшістю параметрів. Це дозволяє проектувати прилади промислової електроніки на базі ІMС з високими технічними і експлуатаційними показниками.
При розробці напівпровідникових аналогових ІMС велика увага приділяється підвищенню технологічності мікросхем, тобто зменшенню кількості технологічних операцій. Це досягається використанням транзисторних структур не тільки як елементів підсилення, а також для виконання функцій пасивних елементів, наприклад, як резисторів, конденсаторів і т. д. При цьому важливо, щоб у мікросхем була низька чутливість до розкиду параметрів, що збільшує процент виходу придатних ІMС.
Для аналогових мікросхем характерно використання зворотних зв'язків як з метою підвищення електричних характеристик, так і для розширення функціональних можливостей, наприклад, для вибіркового підсилення, корекції характеристик і т. п. Тому розробники радіоапаратури вводять зовнішні кола зворотних зв'язків. Необхідно відзначити, що в принципових схемах ІMС намагаються уникнути місцевих зворотних зв'язків. Наприклад, введення глибокого зворотного зв'язку для стабілізації режиму роботи підсилювальних каскадів за постійним струмом (режим спокою) приводить до помітного зменшення коефіцієнта підсилення (застосування блокуючих конденсаторів великої ємності – одиниці, десятки мікрофарад – принципово неможливе). Тому найчастіше режим стабілізують параметричними способами: колами транзисторної структури в діодному вмиканні, диференційним ввімкненням транзисторів за постійним струмом спокою і т. д. Зв'язок між окремими каскадами в схемі ІMС звичайно безпосередній. При цьому є проблема узгоджування як окремих каскадів у складі мікросхеми, так і окремих мікросхем між собою. Для такого узгодження необхідно, щоб потенціали вхідної і вихідної напруг були близькі до потенціалу загальної клеми джерела живлення. Цього досягають, застосовуючи каскади зсуву потенціального рівня.