
- •Тема 1. Напiвпровiдниковi прилади
- •1.2. Провiднiсть напiвпровiдникiв
- •1.3. Електронно-дірковий перехід
- •1.4. Напівпровідникові діоди
- •1.5. Біполярні транзнстори
- •Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.
- •1.6. Польові транзнстори
- •Тема 2. Інтегральні мікросхеми
- •1.1. Планарна технологія
- •2.2. Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •2.4. Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.5. Тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми
- •Тепер можна оцінити питому ємність діелектрика із виразів
- •Тема з. Оптоелектронні елементи tа системи
- •3.1. Особливості оптоелектроніки
- •3.2. Джерела (випромінювачі) світла
- •3.3. Фотоприймачі
- •Загальний колекторний струм фототранзистора
- •3.4. Оптичні лінії зв'язку
- •3.5. Оптоелектронні індикатори
- •3.6. Оптрони
- •Mіkросхеmоtехhіка
- •Тема 4. Електронні підсилювачі
- •4.1. Класифікація та структурні схеми підсилювачів
- •Розглядаючи вхідне коло підсилювача з джерелом напруги (рис. 4.1, а), можемо записати
- •4.2. Осhоbhі характеристики підсилювачів
- •Для багатокаскадного підсилювача
- •4.3. Режим роботи підсилювального каскаду
- •4.4. Зворотний зв'язок у підсилювачах
- •Тема 5. Базові елементи лінійних інтегральних підсилювачів.
- •5.1. Особливості аналогової інтегральної схемотехніки
- •5.2. Методи забезпечення і стабілізація режиму роботи транзисторного каскаду підсилення
- •5.3. Елементарні каскади підсилення
- •5.4. Складений транзистор
- •5.5 Диференційні каскади підсилення
- •5.6. Вибіркові каскади підсилення
- •Тема 6. Операційні підсилювачі
- •6.1. Призначення та основні властивості операційних підсилювачів
- •6.2. Передавальні характеристики операційних підсилювачів
- •6.3. Сtруktурhі схеми операційних підсилювачів
- •6.4. Операційні підсилювачі загального призначення
- •6.5. Операційні підсилювачі окремого застосування
- •6.6. Найважливіші показники операційних підсилювачів
- •6.7. Інвертуюче, неінвертуюче та диференційне ввімкнення операційних підсилювачів
- •Вхідний і вихідний опори такої моделі в першому на6лиженні визначаються рівняннями
- •6.8. Розв'язуючі пристрої на стандартних операційних підсилювачах
- •Якщо до входу оп прикласти напругу в вигляді стрибка із сталою амплітудою Uд, то
- •Тема 7. Генератори гармонічних kоливань
- •7.1. Класифікація та ііризначення генераторів гармонічних коливань
- •7.2. Умови самозбудження автогенераtорів
- •Таким чином, щоб одержати стійкий автоколивальний процес з частотою коливань
- •7.5. Стабілізація частоти вихідних коливань в автогенераторах
- •Тема 8. Імпульсні пристрої на інтегральних mікросхеmах
- •8.1. Особливості імпульсного режиму електронних пристроїв
- •8.2. Ключовий режим роботи біполярних транзисторів
- •При цьому струм колектора в режимі насичення
- •8.3. Імпульсний режим роботи операційних підсилювачів. Компаратори
- •Скориставшись рівністю (8.11) та (8.12) для напруги гістерезисну, отримаємо
- •8.4. Диференціюючі та інтегруючі ланцюжки
- •8.1. Електронні ключі
- •8.6. Автоколивні мультивібратори
- •Період коливань мультивібратора симетричної схеми
- •Тривалість зрізу залежить від часу заряджання конденсатора
- •Частота слідування імпульсів
- •8.7. Загальмовані мультивібратори
- •Має низький негативний рівень, а напруга , що збігається з напругою на відкритому діоді vd1, майже дорівнює нулю.
- •8.8. Генератори лінійно–змінної напруги
- •Тема. 9. Цифрові елементи та пристрої
- •9.1. Загальна характеристика цифрових логічних інтегральних мікросхеm
- •9.2. Схеми цифрових логічних елементів
- •9.3. Тригери
Тепер можна оцінити питому ємність діелектрика із виразів
С’0 = 0,0885 ε /d;
де ΔА - абсолютна похибка відтворення розмірів тонкоплівкового конденсатора, яка дорівнює для маскового методу ± 10-3 см; Кф = = А1/В1 - коефіцієнт форми прямокутного конденсатора.
Обравши кінцеве значення питомої ємності С0 з вимоги С’0 < С0 < С”0, уточнюють товщину діелектрика з виразу
d = 0,0885 ε/С0.
Визначивши з відношення S = С/С0 активну площу обкладок конденсатора, розраховують геометричні розміри конденсатора за мулами:
розміри верхньої обкладки
;
розміри нижньої обкладки
А2 = А1 + 2 (ΔА + ψ); В2 = В1 + 2 (ΔА + ψ);
розміри діелектричного шару
А3 = А2 + 2 (ΔА + ψ); В3 = В2 + 2 (ΔА + ψ);
де ψ - похибка установки і суміщення масок, см.
При конструктивному розрахунку тришарових плівкових конденсаторів з малою площею обкладок (менше 5 мм2) необхідно враховувати крайовий ефект, при наявності якого ємність конденсатора визначається формулою
С = 0,0885 εS/Kd,
де К - поправочний коефіцієнт, який враховує крайовий ефект і визначається з графіка. Далі методика розрахунку аналогічна поданій вище.
Технологічні методи нанесення на основу провідних і діелектричних плівок такі самі, що і при виготовленні плівкових резисторів.
Котушки індуктивності. Тонкоплівкові котушки індуктивності в гібридних ІМС виконують на підкладці у вигляді одновиткових або багатовиткових спіралей. Найпоширеніші котушки індуктивності у вигляді плоскої багатовиткової спіралі круглої (рис. 2.17, а) або прямокутної (рис. 2.17, б) форми.
Для розрахунку тонкоплівкової котушки індуктивності необхідно знати такі дані: індуктивність L, добротність Q і робочу частоту ƒ. В результаті конструктивного розрахунку повинні бути визначені внутрішній DBН і зовнішній DЗОВН діаметри спіралі, її крок t, товщина провідного шару h і число витків N.
На початку розрахунку вибирають форму спіралі. Якщо потрібно мати високу добротність котушки індуктивності. то спіраль беруть круглої форми, оскільки довжина її струмопроводу менша, ніж у прямокутної спіралі. Щоб забезпечити мінімальну площу, яку займає котушка індуктивності, спіраль вибирають прямокутної форми.
Рис. 2.17
Внутрішній діаметр DBН визначається розміром внутрішньої контактної площинки і, як правило, дорівнює 0,5 мм. зовнішній діаметр DЗОВН визначають з відношення (DBН / DЗОВН)орt = 0,4 для спіралі круглої форми і (DBН/DЗОВН) орt = 0,362 для спіралі квадратної форми.
Потім
за графіком (рис. 2.18) знаходять значення
коефіцієнта К,
після
чого обчислюють крок спіралі
Число витків N тонкоплівкової котушки індуктивності визначається за формулою N = (DЗОВН - DBН)2t.
Визначивши
товщину h
провідного
шару h
=
(2 ... 4)y,
де
y
відстань,
на яку поширюється електромагнітна
хвиля в матеріалі плівкового провідника:
(мкм);
К1
-
коефіцієнт, який залежить від
матеріалу плівкового шару (для Сu
К1
=
0,39, для Аg К1
=
0,37, для Аl К1
=
0,51); λ
-
довжина хвилі, см, розраховують ширину
провідної плівки b0
,
при
якій забезпечується задана добротність
Q без урахування скін-ефекту, тобто
де ρ - питомий опір матеріалу плівкового провідника, Ом·см.
Ширина провідної плівки з урахуванням скін-ефекту
b = (1,5...2) b0 (мм).
Матеріалом для плівкових котушок індуктивності найчастіше є алюміній, рідше - срібло, мідь, латунь, нікель. Максимальне значення індуктивності для плівкових схем не перевищує 10 мкГн при порівняно невеликій добротності (Q = 50), обумовленій втратами в омічному опорі котушок. Добротність тонкоплівкових котушок індуктивності суттєво залежить від матеріалу основи.
Рис. 2.18
Провідники і контактні площинки. Плівкові пасивні елементи і навісні компоненти гібридних ІMС з’єднують у відповідну схему за допомогою плівкових провідників і контактних площинок. Такі провідні елементи повинні мати хорошу електропровідність, не вносити спотворень в сигнали, які передаються, не створювати паразитних зворотних зв'язків і мати надійний, невипрямляючий малошумний контакт з елементами і компонентами схеми. Задовольнити одночасно всі ці, часто суперечливі, вимоги нелегко. Наприклад, зменшення ширини плівкового провідника приводить до зменшення паразитної ємності, однак при цьому збільшується його індуктивність, що, в свою чергу, може викликати спотворення сигналів, які передаються.
Матеріалами для нанесення плівкових провідників і контактних площинок найкращими є золото, срібло, мідь і алюміній. Недоліком волота і міді є погана адгезія до підкладки; срібла і міді - висока міграційна рухливість атомів. Тому вказані матеріали використовують у поєднанні з підшарами нікелю, хрому, ванадію.