
- •5.Будова і основні особливості вимірювальних приладів магнітоелектричної системи.
- •6. Будова і основні особливості вимірювальних приладів електромагнітної системи.
- •7.Означення класу точності на шкалі приладів.
- •9.Класифікація твердих тіл: діелектрики,н/п,метали.
- •10. Сингонії і кристалографічні класи.
- •12.Гратки Браве.
- •13.П'єзоефекти в кристаллах.
- •14.Анізотропія і симетрія зовнішньої форми, фізичних властивостей та структури кристалів.
- •16.Диференціальне рівняння теплопровідності. Знаходження роз’язку рівняння класичним методом.
- •18.Каскадне охолодження.
- •§ 2. Нерівноважна кристалізація сплавів, що утворюють твердий розчин
- •24.Подвійні системи з простою евтетикою.
- •25. Методи вирівнювання концентрації домішок в монокристалах вирощених розплавів.
- •26. Контрольоване введення радіаційних порушень з допомогою іонної імплантації.
- •27. Лазерна технологія.Лазерний відпал,легування,руйнування.
- •28.Тигельні методи вирощування кристалів. Направлена кристалізація в тиглі або в човнику.
- •29. Теорема Блоха.
- •30.Зони Бріллюена.
- •31.Оператор Квазіімпульса.
- •32.Ефективна маса носіїв струму.
- •33.Рівняння Больцмана.
- •34.Наближення часу релаксації.
- •35.Рівняння Шредінгера для кристала. Адіабатичне наближення розв’язку рівняння Шредінгера.
24.Подвійні системи з простою евтетикою.
Стан подвійної системи визначається тьрома незалежними параметрами – Т, р и содержанием х одногоз компонентів, тому діаграма стану такої системи трьохмірна Зазвичай приймають постійними Т чи р і розглядають відповідні плоскі перетини діаграми стану, котрі називаються відповідно ізотермічними (р — х) чи ізобарними (Т — х) діаграмами стану.
Мал. 2. Діаграма плавкості подвійної системи, компоненти якої А і В не утворюють твердих розчинів. L - область існування рідини (розплаву), (L + SA) і (L + SB) області співіснування рідкої фази і твердих А і У відповідно; (SA + SB) область існування механічної суміші твердих А і В. ТАETВ і MEN - лінії ліквідуса і солідусу відповідно, E - евтектична точка. С, D, F, G, Про і Q - фігуративні точки (пояснення в тексті).
На діаграмі стану (рис. 2) лінія, що зображує залежність від складу температури початку виділення із рідкої фази твердого компонента ( початку рівноважної кристалізації) називається лінією ліквідусу. Вона складається з двох віток ТАЕ і ТВЕ, що обмежують фазове поле рідини L від полів існування рідкої фази з твердими А і В власного (поля L + SA и L + SB). Лінія, що відображає залежність від складу температури закінчення рівноважної кристалізації при охолодженні (чи початку плавлення при нагрівання), називається лінією солідуса.Нижче неї розміщене фазове поле SA + SB твердого стану системи, що відповідає вимогам співіснування двох твердих фаз. Фазові зміни, що проходять в системі описуються наступним чином. При охолодженні рідкої фази із початкового стану С, фігуративна точка системи в цілому рухається вниз вздовж прямої CG. В точці її перетину з лінією ліквідуса починається кристалізація компонента В, система стає двохфазною і диваріантною або, оскільки тиск фіксований, моноваріантною. По мірі кристалізації В рідона збагачується компонентом А, її склад змінюється по вітці ліквідуса і по досягнені системою стану, що зображується фігуративною точкою D, рідкій і твердій яазі відповідають фігуративні точки О і Q. Прямі, що зєднують фігуративні точки двох фаз, що знаходяться в рівновазі називають нодами (аба коннодами); горизонтальні ноди, типу OQ, можна провести через будь які точки фазових полів, що відповідають гетерогенним постійним стану системи. При вираженні складу в масових (молярних) долях відношення відрізків OD і DQ пропорційно відношенню мас (числа молей) твердої і рідкої фази. Це дозволяє розрахувати по діаграмі станувідносні кількостіфаз при будь якій температурі, щоб, наприклад визначити повноту кристалізації чи степінь виділення даного компонента із рідкої фази в тверду. В точці F перетину прямої CG з лінією солідуса починається кристалізація компоненти А. Система стає трьохфазною ( рідина і дві тверді фази А і В) і моноваріантною, тобто при постійному тиску спільна кристалізація двох твердих фаз (так звана евтектична кристалізація) протікає при постійних температурі і складі рідкої фази, що відповідають координатам евтектичної точки Е.Після завершення евтектичної кристалізації система складається з двох твердих фаз і є дивариантной (умовно моноваріантною). У обговорюваному випадку система після твердіння складається з відносно великих кристалів В і мелкодисперсной суміші тих, що спільно виникли при евтектичній кристалізації кристалів А і В; таку суміш називають евтектикою. Якщо початкова рідина мала евтектичний склад, продукт її твердіння - мелкодисперсная евтектика без домішки великих кристалів якого-небудь з компонентів. При нагріванні суміші твердих А і В описані явища протікають в зворотній послідовності: ізотермічне утворення рідини евтектичного складу аж до вичерпання якого-небудь з твердих компонентів і розчинення в рідині твердого компонента, що залишився, при подальшому підвищенні температури, яке завершується після досягнення фігуративною точкою системи лінії ліквідуса.