
- •5.Будова і основні особливості вимірювальних приладів магнітоелектричної системи.
- •6. Будова і основні особливості вимірювальних приладів електромагнітної системи.
- •7.Означення класу точності на шкалі приладів.
- •9.Класифікація твердих тіл: діелектрики,н/п,метали.
- •10. Сингонії і кристалографічні класи.
- •12.Гратки Браве.
- •13.П'єзоефекти в кристаллах.
- •14.Анізотропія і симетрія зовнішньої форми, фізичних властивостей та структури кристалів.
- •16.Диференціальне рівняння теплопровідності. Знаходження роз’язку рівняння класичним методом.
- •18.Каскадне охолодження.
- •§ 2. Нерівноважна кристалізація сплавів, що утворюють твердий розчин
- •24.Подвійні системи з простою евтетикою.
- •25. Методи вирівнювання концентрації домішок в монокристалах вирощених розплавів.
- •26. Контрольоване введення радіаційних порушень з допомогою іонної імплантації.
- •27. Лазерна технологія.Лазерний відпал,легування,руйнування.
- •28.Тигельні методи вирощування кристалів. Направлена кристалізація в тиглі або в човнику.
- •29. Теорема Блоха.
- •30.Зони Бріллюена.
- •31.Оператор Квазіімпульса.
- •32.Ефективна маса носіїв струму.
- •33.Рівняння Больцмана.
- •34.Наближення часу релаксації.
- •35.Рівняння Шредінгера для кристала. Адіабатичне наближення розв’язку рівняння Шредінгера.
9.Класифікація твердих тіл: діелектрики,н/п,метали.
Всі тверді тіла поділяють на 3 великі класи: діелектрики, напівпровідники, метали.
Діеле́ктрики – це матеріали, в яких заряди не можуть пересуватися з однієї частини тіла в іншу (зв'язані заряди). Зв'язаними зарядами є заряди що входять в склад атомів або молекул діелектрика, заряди іонів, в кристалах з іонною ґраткою.
На практиці абсолютних діелектриків немає. Розглядання певного тіла як діелектрика залежить від постановки експерименту — якщо заряд, що пройшов через певне тіло малий у порівнянні з зарядами, що пройшли через інше тіло в даному експерименті, то перше тіло можна вважати діелектриком.
Напруженість електричного поля в діелектрику є меншою ніж напруженість такого ж поля у вакуумі. Співвідношення
— визначає
діелектричну
проникність
.
Тут Е — напруженість поля, яка
створювалася б за одинакових умов у
вакуумі,
Е0 —
напруженість у діелектрику. Очевидно,
що у вакуумі
.
Напівпровідни́к – матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика.
Характерна риса напівпровідників – зростання електропровідності зі зростанням температури; при низьких температурах електропровідність мала. При температурі близькій до абсолютного нуля напівпровідники мають властивості ізоляторів. Кремній, наприклад, при низькій температурі погано проводить електричний струм, але під впливом світла, тепла чи напруги електропровідність зростає.
Метали – клас хімічних елементів і речовин з наступними хімічними і фізичними властивостями: добре проводять електрику і тепло, непрозорі, але можуть відбивати світло (мають металічний блиск); ковкі, що дозволяє надавати виробам з них потрібної форми і розвальцьовувати у плоскі пластинки, пластичні, що дає можливість витягати їх у тонкий дріт.
10. Сингонії і кристалографічні класи.
Синго́нія — група видів симетрії, що мають один або кілька однакових елементів симетрії та мають однакове розташування кристалографічних осей.
Групування базується на існуванні у кристалі певного мінерала осей симетрії - ліній, при обертанні навколо яких правильно повторюються однакові елементи обмеження та інші властивості кристалу.
Класи або категорії:
Найвища категорія
Кубічна
найбільш симетричні кристали
присутня більш ніж одна вісь симетрії вищого порядку (L3 або L4)
обов'язкова присутність чотирьох осей третього порядку і, окрім того, або три взаємноперпендикулярні осі четвертого порядку, або три осі другого
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою 3L44L36L29PC
приклади - кам'яна сіль (галіт), пірит, галеніт, флюорит тощо.
Середня категорія
Гексагональна
одна вісь симетрії шостого порядку (L6)
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою L66L27PC
приклади - апатит, нефелін, берил тощо
Тетрагональна
одна вісь симетрії четвертого порядку (L4)
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою L44L25PC
приклади - каситерит (олов'яний камінь), халькопірит (мідний колчедан), циркон тощо
Тригональна
одна вісь симетрії третього порядку (L3)
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою L33L23PC
приклади - кварц, кальцит, гематит, корунд тощо
Нижча категорія
Ромбічна
кілька осей другого порядку (L6) або кілька площин симетрії (Р)
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою 3L23PC
приклади - барит, топаз, марказит, антимоніт тощо
Моноклінна
одна вісь симетрії другого порядку (L2) або одна площина симетрії (Р)
максимальна кількість елементів симетрії може бути виражена формулою L2PC
приклади - ортоклаз, слюда, гіпс, піроксени тощо
Триклінна
найнесиметричніші кристали, які мають тільки центр симетрії (С)
приклади - плагіоклази, дистен, мідний купорос тощо.