
- •5.Будова і основні особливості вимірювальних приладів магнітоелектричної системи.
- •6. Будова і основні особливості вимірювальних приладів електромагнітної системи.
- •7.Означення класу точності на шкалі приладів.
- •9.Класифікація твердих тіл: діелектрики,н/п,метали.
- •10. Сингонії і кристалографічні класи.
- •12.Гратки Браве.
- •13.П'єзоефекти в кристаллах.
- •14.Анізотропія і симетрія зовнішньої форми, фізичних властивостей та структури кристалів.
- •16.Диференціальне рівняння теплопровідності. Знаходження роз’язку рівняння класичним методом.
- •18.Каскадне охолодження.
- •§ 2. Нерівноважна кристалізація сплавів, що утворюють твердий розчин
- •24.Подвійні системи з простою евтетикою.
- •25. Методи вирівнювання концентрації домішок в монокристалах вирощених розплавів.
- •26. Контрольоване введення радіаційних порушень з допомогою іонної імплантації.
- •27. Лазерна технологія.Лазерний відпал,легування,руйнування.
- •28.Тигельні методи вирощування кристалів. Направлена кристалізація в тиглі або в човнику.
- •29. Теорема Блоха.
- •30.Зони Бріллюена.
- •31.Оператор Квазіімпульса.
- •32.Ефективна маса носіїв струму.
- •33.Рівняння Больцмана.
- •34.Наближення часу релаксації.
- •35.Рівняння Шредінгера для кристала. Адіабатичне наближення розв’язку рівняння Шредінгера.
31.Оператор Квазіімпульса.
Функції
і
періодичні з періодом ґратки, тому вираз
у фігурних дужках можна вважати значенням
функції
при іншому
,
а саме –
.
Отже, для довільного вектора трансляції
оберненої ґратки
виконується рівність
,
(3.50)
яка свідчить, що для електрона у кристалі стани, хвильові вектори яких відрізняються на довільний з векторів оберненої ґратки, – еквівалентні. Це означає, що хвильовий вектор, як характеристика стану, визначається неоднозначно – з точністю до :
,
(3.51)
а його енергія – періодична функція координат оберненого простору:
.
(3.52)
Аналогічний висновок отримується і у рамках моделі майже вільного електрона.
З сказаного випливає, що енергія – многозначна функція хвильового вектора (рис. 3.6 а), усі можливі значення якої (виділені жирними лініями на осі енергій) досягаються при зміні у межах першої зони Бріллюена. Саме ці значення хвильового вектора зазвичай використовуються для характеристики станів електрона у кристалі і, зокрема, його енергетичного спектра (рис. 3.6 б). Вектор називають у цьому випадку приведеним хвильовим вектором.
У межах кожної енергетичної зони енергія – однозначна функція хвильового вектора. Отже, кожна із зон дозволених значень енергії електрона у кристалі являє собою множину N енергетичних рівнів (рис. 3.7). Відповідно, кожній зоні відповідає N одноелектронних станів – хвиль типу (3.49), які відрізняються набором квантових чисел (k1, k2, k3).
Дійсно, внаслідок взаємодії електрона з періодичним кристалічним полем, характер залежності його енергії від хвильового вектора у реальному кристалі значно складніший, ніж у випадку вільного електрона. Особливо істотною ця відмінність стає при наближенні до поверхні зони Бріллюена, де енергія зазнає розриву. Крім того, на осях симетрії та у точках високої симетрії зони Бріллюена (її центрі, у центрах та вершинах многокутників, що утворюють її поверхню і т.п.) енергія, як функція хвильового вектора, досягає локального екстремуму або має точки перегину (рис. 3.8).
У
точках екстремуму групова швидкість
хвильового пакета дорівнює нулю, а це
приводить до того, що залежність
стає нелінійною (рис. 3.9 б).
Нехай електрон рухається у кристалі під дією зовнішньої сили F. Прискорення, якого він набуває у напрямку дії сили,
Оскільки
енергія – складна функція від часу,
тобто
то
,
так що
.
Проте,
тому
.
(3.54)
Коефіцієнт
пропорційності між силою і викликаним
нею прискоренням є величиною, оберненою
до маси. Тому можна стверджувати, що
електрон у кристалі (хвильовий пакет)
рухається так, як рухався би під дією
цієї ж сили вільний електрон, якби він
володів масою m
такою, що
(або, в більш загальному випадку,
).
Це дозволяє величину
(3.55)
вважати
масою електрона у періодичному
кристалічному полі. Проте, ця величина
дещо своєрідна, оскільки вона змінюється
при зміні
;
може бути як додатною, так і від’ємною
(залежно від напрямку опуклості графіка
функції
);
у точках перегину графіка
,
зазнає розриву (рис. 3.9 в).
З цієї причини величина m*
називається ефективною
масою
електрона у кристалі.
Відповідно до (3.48) ефективна маса електрона також залежить від того, до якої зони дозволених значень енергії належить його стан; значення її тим більше, чим менший кутовий коефіцієнт дотичної до дисперсійної кривої (рис. 3.9 в).
Відзначимо
також, що внаслідок неоднозначності
(3.51) величина
,
яка для вільного електрона у кристалі
має зміст імпульсу, також набуває
властивості
.
З цієї причини її називають квазіімпульсом
електрона.
Для електронів в зоні провідності в першому наближенні ці складнощі, пов'язані зі спін-орбітальним взаємодією, відсутні. В околиці Г-точки кінетична енергія електрона дається звичайним виразом
где
-
оператор проекции квазиимпульса на
одну из трех осей [100], [010] и [001], а
me-эффективная
масса электрона. По мере удаления от
центра зоны Бриллюэна дисперсия
электронных состоянийп
ерестает
описываться простой квадратичной
параболой. В рамках этого приближения
спин электрона невзаимодействует с
импульсом и спиновая релаксация
отсутствует.