29)Механизм пробоя n-p перехода

3 механизма:1)тепловой2)Туннельный3)лавинный

1 )Тепловой пробой:N=IU-мощность,выдел.на n-p переходе.В рез-те увелич.напряжения темпер. n-p перехода увеличивается!

Тепловой пробой характерен для узкозонных полупроводников.Для германиевых диодов тепл.пробой возможен при комнатной темпер.2)Туннельный механизм пробоя характерен для сильнолегир.n-p переходов.Энергетич.диаграмма для сильнолегированного полупроводника.

С ильное легирование-легирование до концентрации,меньшей предела растворимости соотв.примеси.В сильнолегир.n-p переходах размер области простр.заряда уменьшается до порядка нанометров,поэтому возможен эффект туннелирования через n-p переход при отриц.электрич.смещении.Возникает

туннельный ток через n-p переход.3)Лавинный пробой наблюдается при обратном электрич.смещении.Возможен лавинный пробой на локальных участках,содерж.дефекты,тогда площадь пробоя увелич.с ростом модуля напряжения.Такой характер лав.пробоя назыв.микроплазменным

Т .о.ВАХ в области пробоя имеет характер плавного пробоя.

30)Вах освещенного p-n перехода

П риборы,преобр.энергию света в эл.энергию наз-ся фотоэлектрическими преобразователями(ФЭП).

Основн. параметры области ВАХ:

1 )Iк.з.-ток кор.замыкания; 2)Ux.x.-напряж.холостого хода; 3)P=IU-мощность,выделяемая на n-p переходе. 4)КПД.Основная тенденция ФЭП -это повышение их мощности. Для кремниевых ФЭП с одним n-p переходом,КПД сост.приблизительно 15%.Для совр.ФЭП ,содерж.неск.n-p переходов,КПД превышает 30%.