1.2 Накопители информации
Количество накопителей: |
1 |
Производитель: |
Toshiba |
Модель: |
MQ01ABD075 |
Емкость (ГБ): |
750 |
Интерфейс: |
SATA II |
Характеристика:
SATA использует 7-контактный разъём вместо 40-контактного разъёма у PATA. SATA-кабель имеет меньшую площадь, за счёт чего уменьшается сопротивление воздуху, обдувающему комплектующие компьютера, упрощается разводка проводов внутри системного блока. SATA-кабель за счёт своей формы более устойчив к многократному подключению. Питающий шнур SATA также разработан с учётом многократных подключений. Разъём питания SATA подаёт 3 напряжения питания: +12 В, +5 В и +3,3 В; однако современные устройства могут работать без напряжения +3,3 В, что даёт возможность использовать пассивный переходник со стандартного разъёма питания IDE на SATA. Ряд SATA-устройств поставляется с двумя разъёмами питания: SATA и Molex.
Стандарт SATA II работает на частоте 3 ГГц, обеспечивает пропускную способность до 2,4 Гбит/с (300 МБ/с). Впервые был реализован в контроллере чипсета nForce 4 фирмы «NVIDIA». Стандарты SATA и SATA 2 совместимы между собой, однако для некоторых моделей необходимо вручную устанавливать режимы, переставляя джамперы.
1.3 Оперативная память
Количество занятых слотов: |
2 |
Частота системной шины: |
1600 MHz |
Тип памяти: |
DDR 3-1333 |
Емкость: |
8 GB |
Пропускная способность: |
PC3-12800 |
Характеристика:
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.
У DDR3 уменьшено на 30% (точный процент) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%.
В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.В таблице 1 представлены спецификации стандартов.
Спецификации стандартов
Стандартное название |
Частота памяти |
Время цикла |
Частота шины |
Эффективная(удвоенная) скорость |
Название модуля |
Пиковая скорость передачи данных при 64-битной адресации в одноканальном режиме |
DDR3-800 |
100 МГц |
10,00 нс |
400 МГц |
800 МТ |
PC3-6400 |
6400 МБ/с |
DDR3-1066 |
133 МГц |
7,50 нс |
533 МГц |
1066 МТ |
PC3-8500 |
8533 МБ/с |
DDR3-1333 |
166 МГц |
6,00 нс |
667 МГц |
1333 МТ |
PC3-10600 |
10667 МБ/с |
DDR3-1600 |
200 МГц |
5,00 нс |
800 МГц |
1600 МТ |
PC3-12800 |
12800 МБ/с |
DDR3-1866 |
233 МГц |
4,29 нс |
933 МГц |
1866 МТ |
PC3-14900 |
14933 МБ/с |
DDR3-2133 |
266 МГц |
3,75 нс |
1066 МГц |
2133 МТ |
PC3-17000 |
17066 МБ/с |