- •Кваліфікаційна робота бакалавра Край поглинання тонкоплівкових шарів AsXSe1-X
- •Ужгород 2014
- •Розділ 1. Одержання та структура тонкоплівкових шарів системи As-Se
- •1.1. Одержання плівок системи As-Se
- •1.2. Електронно-мікроскопічні дослідження структури шарів системи As-Se
- •Розділ 2. Оптичні властивості плівок системи As-Se
- •2.1. Визначення оптичних констант плівок на прозорій підкладці
- •2.1.1. Визначення показника заломлення із порядкових чисел m
- •2.1.2.Визначення показника заломлення із рівняння дисперсії
- •2.2. Експериментальна установка і методика дослідження оптичних констант плівок.
- •Експериментальні результати та методика їх обрахунку
- •Висновки
- •Список використаної літератури
Висновки
За результатами кваліфікаційної роботи бакалавра можна зробити наступні висновки:
Ознайомилася з методикою визначення оптичних констант тонких шарів на основі системи As-Se.
Досліджено край оптичного поглинання тонкошарових структур Asx Se1-x при Х ≥ 18 ат.% As.
Встановлено, що край власного поглинання для досліджуваних матеріалів добре узгоджується з відомим законом Тауца, по якому було розраховано значення ширини забороненої зони та константу с, що відображає ступінь зростання поглинання з енергією.
Показано, що із збільшенням концентрації миш’яку вздовж розрізу Asx Se1-x значення ширини забороненої зони зменшується (Еτ = 1.90еВ для х = 0.18 і Еτ = 1.76 еВ для х = 0.43), а в області концентрацій х = 0,40 та х = 0,50 спостерігаються особливості, які зв’язані з наявністю стехіометричних сполук As2Se3 та As4Se4.
Список використаної літератури
1. Порай - Кошиц Е.А. Дифракционные методы исследования стеклообразных веществ - // Стеклообразное состояние. Труды III Всесоюзного совещания. Л., 16-20 ноября 1960 г. - М - Л.: Изд. АН СССР. 1960.-С. 14-24.
2. Мальованик М.М. Оптико-рефрактометричні дослідження багатошарової структури a-Se/As2S3 // Фізика і хімія твердого тіла. - 2001. - Т.2, №2. - С. 207-212.
3. Минько В.І., Шепелявий П.С., Романенко П.Ф., Литвин О.С., Індутний 1.3. Зміна експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів під час зберігання // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - Т. 5. №3. - С. 589-593.
4. Корнева И.П., Синявский Н.Я., Ostafin М., Noqaj В. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. - 2006. -Т. 40, вып. 9.-С. 1120-1122.
5. Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів: Монографія. - Ужгород: Закарпаття, 1999. - 392 с.
6. Туряница И.И., Кикинеши A.A., Семак Д.Г. Эффект позитивной фотозаписи на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников // УФЖ. - 1979. - Т. 24, №4. - С. 534-537.
7. Палатник T.C., Быковский Ю.А, Панчеха П.Н.. Дудоладов А.Т. и др. О механизме вакуумной конденсации при высокоскоростных методах испарения // ДАН СССР. - 1980. - Т. 254, №3. - С. 645- 682.
8. Иваницкий В.П., Лукша O.B., Фенич П.А., Туряница И.И. Структурная модификация и свойства пленок сложных полупроводников // Тез. докл. IV Респ. Конференции. - Ужгород, 1981.-С. 16-17.
9. Черемухин Г.С. Расчет оптических характеристик пленок // Оптико-механическая промышленность. - 1976, №6. - С. 13-15.
10. Manifacier J.C., Gasion J. and Fillard J.P. A simple method for the determination of the optical constants n, k and the thickness of a wearly absorbing film // J.Plys.-1976.-V.E9.-P-1002-1004.
11.Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constant of amorphous silicon //J.Phys.- 1983. – V.E16.-P.1214-1222.
12. Swanepoel R. Determinning refractive mdex and thickness of thin films from wavelength measurements only // J. Opt. Am. A. – 1985.-V.2,No.8. - P. 1339-1343.
13. Ананичев В.А., Бликов Л.Н. Способ получения AsxS1-x (x=0,10-0,45), AsxSe1-x (x=0,0-0,6) //Патент Российской федерации. – 2000. - №2152364.
14. Попов А.И. Физика и технология неупорядочных полупроводников. – М.: Изд. дом МЭИ, 2008. – 272 с.
15. Козюхин С.А., Куприянова Т.А., Лямина О.И., Данбовський С.А. Изменения В ближнем порядке халькогенидных стекол при их переходе в кристаллическое состояние // Неорган. материалы. – 2004. – Т. 40, №6.-С.762-764.
16. Holomb R.M. Mitsa V.M. Simulation of Ramem spectra of AsxS100-x glasses by the results of ab initions calculation of AsnSm clusters vibration // J. Optoel. Adv. Mat. – 2004. – V.6, № 164. – P. 1177 – 1184.
17. Поп М.М., Когутич А.А., Перечинський С.І. та ін.. Релеївськемандельштам – бріллюенівське розсіювання в халькогенідних сплавах системи As-S-Se // Фіз. і хімія твердого тіла. – 2010. – Т. 11,№4. С.957-961.
18. Mitsa V., Holomb R., Veres M/? Marton O/? Rosola I., Fereshgasi I., Kos M. Non – linear optical properties and structure of wide band gap non – crystalline semiconductors // Phis. Stat. Sol. C. – 2011. – V.8, No.9. – P. 2696 – 2700.
19. Росола І.Й., Юркович Н.В., Горват Г.Т. Дисперсія в стеклах (GeS2)1-x (As2Se3)x // Фіз. і хімія твердого тіла. – 2011. – Т.12, №2. – С. 317 – 321.
20. Росола І.Й., Левко І.В. Дисперсійна властивості стекол AsxSe1-x // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2013. - № 33. – С. 7-14.
21. Техническое описание и инструкция по эксплуатации спектрофотометра СФ-46. - Л.: ЛОМО, 1989. – С. 31.
22. Tanc J. Absorption eade and internal filds in amorfhous semiconductors // Mat. Res.Bull. – 1970. – V.5, No.8. – P. 721-730.
23. Матт Н., Дэвие Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1982. – 662с.
24. Бонч –Бруевич В.Л., Вопросы электронной теории неупорядочных полупроводников // УФН. – 1983. – Т. 140, №4. – С. 583-589.
25. Борец А.Н. Оптические свойства полупроводников (курс лекций), ч.2. – Ужгород: Ужгородський ун-т, 1973. – С.112.
26. Мікла B.B., Сливка В.Ю., Михалько І.П., Надь Ю.Ю. Край оптичного поглинання некристалічних напівпровідників AsxSe1-x при Х=0÷0.15 // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика - 1999. - №4. – Випуск - С. 43-49.
27. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. -М.: Мир, 1986. – 369 с.
28. Вайнштайн И.А., Зацепин А.Ф., Кортов В.С. Особенности проявления правила Урбаха в стеклообразных материалах //ФХС. – 1999. – Т.25,№1. – С.85 – 95.