әл-ФАРАБИ атындағы Қазақ Ұлттық университеті

Физика-техникалық факультеті Қатты дене және бейсызық физика кафедрасы Өндірістік практикадан өту нәтижелері туралы есеп беру

3 курс студенті к/о (р/о) «5В071900 - Радиотехника, электроника және телекоммуникация» мамандығы:

Мұратбекова Айжан

Кафедрадан практика жетекшісі: PhD Саймбетов Ахмет

Алматы, 2014 ж.

ПІКІР «5В5В071900 - Радиотехника, электроника және телекоммуникация» мамандығының 3 курс студенттерінің әл-Фараби атындағы ҚазҰУ, бейсызық физика бөліміндегі ДГП НИИЭТФ РГП өндірістік практикадан өтуі жайлы «26» мамырдан «12» маусым 2014ж.

1. Машықтанушы (астын сыз) ретінде немесе төлем төлену арқылы студент рәсімде болған лауазымның атауы.

2. Студент-практиканттың қызметтік міндеттерінің орындалу сапасы жайлы қысқаша пікір. Оның профессионалдық дайындығы жайлы.

3. Практика нәтижелері бойынша студент-практиканттың білімінде, практикалық және ұйымдастырушылық қабілеттерінде қандай кемшіліктерін атап өтесіз?

4. әл-Фараби атындағы ҚазҰУ-дағы мамандар даярлығының сапасын жақсарту үшін Сіздің ұсыныстарыңыз _____________________________________

5. Студент-практиканттың профессионалдық тәжірибесін қорытынды бағалау Кәсіпорындағы (ұйым) тәжірибе бастығы_____________ _____________________ (қол, мөр)

Мазмұны

1. КІРІСПЕ_____________________________________________________

2. Практика күнделігі_____________________________________________

3. Қорытынды___________________________________________________

4. Қолданылған мәліметтер________________________________________

5. Қосымша__________________________________________________

Кіріспе

Өндірістік практикадан өту кезеңінде студент келесі материалдармен танысты,берілген тапсырмаларды орындады:

• Күн элементтері туралы жалпы түсінік

• Қажетті материалдарды іздеу

• Эксперимент жүргізу және қорытынды есептеулерді шығару

Қосымша

1.p-n ауысудың фотоэлектрлік қасиеттері

Монохроматты жарықтандыру кезіндегі p-n ауысуда және оған жақын маңда өтетін процесстерді қарастырайық [1]. p-n ауысу шалаөткізгіштің беттік жағдайлардан бос жарық түсетін бетіне жақын орналассын делік (1.1 сурет).Фотондар шалаөткізгішке жұтылатындай сәуле квантының энергиясын таңдайық (мысалы, h=E_g), бұл жағдайда электронды-кемтіктік жұп p-n ауысудан электрондардың диффузиондық ұзындығынан кем емес қашықтықта р-облысында ғана пайда болар еді.

1. А сурет. Қысқа тұйықталу режиміндегі жарықтандыру кезіндегі p-n ауысудың зоналық энергетикалық диаграммасы.

Күн элементін электроэнергия көзі ретінде қолдану кезінде оның шығыстарына R_н жүктеме кедергісі жалғануы тиіс. Алдымен, екі шеткі жағдайды қарастырайық: R_н=0 (қысқа тұйықталу режимі) және R_н = (бос жүріс режимі). Бұл режимдердегі p-n ауысудың зоналық диаграммалары 1.1 а,б суреттерде көрсетілген. Бірінші жағдайдағы жарықтандырылған p-n ауысудың зоналық диаграммасы термодинамикалық тепе-теңдік кезіндегі зоналық диаграммаға ұқсайды (яғни, жарықтандырусыз және түсірілген ауысу кернеуінсіз (напряжение смещения)), себебі n- және p-облыстары арасындағы нөлдік потенциалдық айырымды сыртқы қысқарту қамтамасыз етеді. Алайда, сыртқы шалаөткізгіш пен p-n ауысу арқылы р-облыстағы электронды-кемтіктік жұптардың фотогенерациясы есебінен болатын ток өтеді. Көлемдік зарядтың тікелей аймағында пайда болған фотоэлектрондар p-n ауысудағы электрлік өрісінің әсерінен n-облысқа түседі. Ал қалған фотоэлектрондар p-n ауысуға диффузияланады, ондағы шығындардың орнын толтыра отырып, соңында олар да n-облысқа түседі.

n-облыста электрондардың сыртқы металл контактыға бағытталған қозғалысы пайда болады. Сонымен қатар, ішкі тізбекке және p-облыспен контактыға өтеді. p-облыспен контакты шегінде фотогенерацияланған кемтіктермен бірге жеткен электрондардың рекомбинациясы болады.