
- •1. Основные этапы развития физики полупроводников.
- •Главные направления развития электроники
- •2. Классификация веществ по удельной электрической проводимости. Основные представления о свойствах полупроводников.
- •3.Химические связи
- •7.Обратная решетка
- •8.Кристаллические структуры материалов электроники.
- •9. Дефекты кристаллического строения.
- •10.Фонон
- •1.1. Выращивание кристаллов кремния.
- •II. Следствие фазовой диаграммы ( очистка кристалла ).
- •1.1 Фазовые диаграммы и твердые растворы.
- •13. Качественная модель зонной структуры твердого тела.
- •14. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •2.2 Уравнение Шредингера для кристалла
- •15.Адиабатическое приближение (приближение Борна - Оппенгеймера).
- •Первая зона Бриллюэна полупроводника типа алмаза
- •19.Зона Брюллеэна.
- •20. Эффективная масса носителей заряда.
- •21. Циклотронный (диамагнитный) резонанс.
- •22. Классификация материалов с позиции зонной теории.
- •23. Электронная теория примесных состояний.
- •24. Плотность квантовых состояний.
- •§ 28. Концентрация электронов и дырок
- •29. Закон действующих масс
- •30. Собственном полупроводнике
- •31. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры.
- •32. Дрейфовая и диффузная электропроводности.
- •33.Подвижность
- •34.Соотношение Эйнштейна
- •34.Эффект Холла р ассмотрим ток, протекающий в бруске из некоторого материала.
- •35,37. Механизмы рассеяния носителей тока. Зависимость подвижности от температуры.
- •38.Явление переноса в сильных электрических полях.
- •39.Электростатическая ионизация (эффект Зинера)
- •Термоэлектронная ионизация (эффект Френкеля)
- •Ударная ионизация.
- •Эффект Ганна.
- •40.Оптические свойства полупроводников.
- •42. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
- •49 Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
40.Оптические свойства полупроводников.
При облучении п/п-ков светом происходит взаимодействие фотонов (квантов света) с обоими подсистемами: ядерной (атомной) и электронной, составляющей кристалл.
Решеточное или фононное поглощение
.
Взаимодействие света с электронной подсистемой:
Собственное или фундаментальное поглощение (взаимодействие фотонов с валентными электронами с их отрывом от атомов и переводом в зону проводимости);
Поглощение на свободных носителях заряда (взаимодействие фотонов с электронами в зоне проводимости)
(с переводом электронов на более высокие возбужденные уровни).
Взаимодействие фотонов с примесными атомами
Ионизация примесных центров;
Возбуждение колебаний примесного атома.
Экситонное поглощение света: в кристалле образуется пара электрон-дырка, связанная кулоновским взаимодействием.
Наиболее важный вид поглощения света – фундаментальное поглощение света (или собственное), поскольку отражает основные свойства полупроводника, связано с шириной запрещенной зоны и структурой зонной диаграммы (прямозонный или непрямозонный п/п).
- коэффициент поглощения.
- расстояние, при котором интенсивность
света уменьшается в e
раз.
Коэффициент поглощения можно записать через след. выражение:
,
где
- количество поглощающих центров,
-
вероятность поглощения одного фотона
Тогда коэффициент поглощения - это вероятность поглощения фотона на расстоянии, равном единице длины.
О братная величина имеет смысл средней длины свободного пробега фотона в поглощающей среде (кристалле).
Для
объяснения зависимости
учтем строение зонной диаграммы:
Е
сли
начинается быстрый рост , что связано с переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости. Т.к. абсолютный минимум зоны проводимости смещен по оси
относительно валентной зоны, то переброс электрона происходит с изменением его первоначального значения импульса. Такое изменение требует участия в процессе переброса кроме фотона и электрона еще и какого-либо третьего тела, который забирает часть импульса себе. Таким третьим телом участником может быть фонон или ион примеси. Переходы с участием третьего тела называют непрямыми.
Дальнейшее увеличение энергии квантов света до
вызывает прямые переходы, т.е. непосредственный переброс электронов из верхней части валентной зоны на уровни в зоне проводимости, лежащие при том же значении квазиимпульса . На кривой
при этом наблюдается излом с дальнейшем ростом .
Если
, то при наличии примесных атомов возможно поглощение свободными носителями, т.е. при наличии носителей в зоне проводимости они могут поглощать кванты света с малой
и переходить на свободные энергетические уровни в зоне проводимости.
Если существуют донорные (или акцепторные) уровни, то возможны переходы между этими уровнями и зоной проводимости (валентной зоной), а также между отдельными уровнями. Как правило, потенциал ионизации донорного уровня ~0.02-0.05eV => в этой части зависимости будут видны пики. Поскольку переход уровень-зона характеризуется большим набором энергий (много свободных уровней в зоне проводимости), то переход уровень-уровень – это резонансный переход. В этом случае на спектре будет виден пик.
Поскольку
,
т.е. пропорционально количеству
поглощательных центров, то собственное
(фундаментальное) поглощение будет
превалирующим (по абсолютной величине)
над примесным.
Другие
виды поглощения [фононное (решеточное),
экситонное, свободными носителями,
примесное] или менее интенсивны, или
(и) располагаются в других энергетических
интервалах по сравнению с характерным
собственным поглощением (
).
В дополнение они не носят, как правило,
порогового характера, а проявляются в
виде фона.