
- •1. Основные этапы развития физики полупроводников.
- •Главные направления развития электроники
- •2. Классификация веществ по удельной электрической проводимости. Основные представления о свойствах полупроводников.
- •3.Химические связи
- •7.Обратная решетка
- •8.Кристаллические структуры материалов электроники.
- •9. Дефекты кристаллического строения.
- •10.Фонон
- •1.1. Выращивание кристаллов кремния.
- •II. Следствие фазовой диаграммы ( очистка кристалла ).
- •1.1 Фазовые диаграммы и твердые растворы.
- •13. Качественная модель зонной структуры твердого тела.
- •14. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •2.2 Уравнение Шредингера для кристалла
- •15.Адиабатическое приближение (приближение Борна - Оппенгеймера).
- •Первая зона Бриллюэна полупроводника типа алмаза
- •19.Зона Брюллеэна.
- •20. Эффективная масса носителей заряда.
- •21. Циклотронный (диамагнитный) резонанс.
- •22. Классификация материалов с позиции зонной теории.
- •23. Электронная теория примесных состояний.
- •24. Плотность квантовых состояний.
- •§ 28. Концентрация электронов и дырок
- •29. Закон действующих масс
- •30. Собственном полупроводнике
- •31. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры.
- •32. Дрейфовая и диффузная электропроводности.
- •33.Подвижность
- •34.Соотношение Эйнштейна
- •34.Эффект Холла р ассмотрим ток, протекающий в бруске из некоторого материала.
- •35,37. Механизмы рассеяния носителей тока. Зависимость подвижности от температуры.
- •38.Явление переноса в сильных электрических полях.
- •39.Электростатическая ионизация (эффект Зинера)
- •Термоэлектронная ионизация (эффект Френкеля)
- •Ударная ионизация.
- •Эффект Ганна.
- •40.Оптические свойства полупроводников.
- •42. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
- •49 Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
24. Плотность квантовых состояний.
Наиболее важной характеристикой электронного энергетического спектра является распределение электронных состояний по энергиям. Количественно описать это распределение можно, используя понятие "плотность состояний".
Пусть в кристалле единичного объема в интервале энергий от Е до Е+dE имеется dZ квантовых состояний (безучета спина). В выбранном интервале энергииdE=const при различных значениях величины энергии Е число состояний dZ может различаться. Поэтому будем считать, что
во-первых, dZ зависит от величины Е, то есть dZ = dZ (Е);
во-вторых, связь между dZ и dE задается соотношением
,
(2.1)
где коэффициентN, называемый плотностью состояний, также зависит от величины Е.
Физический смысл плотности состояний очевиден. Из соотношения (2.1) следует:
N(E)=
, (2.2)
следовательно, плотность состояний – это число состояний в единичном интервале энергий для единичного объема кристалла.
Расчет величины N(Е) является довольно сложной квантовомеханической задачей, так как ее значениетесным образом связано с формой изоэнергетических поверхностей. Действительно, построим в зоне Бриллюэна две изоэнергетические поверхности Е и Е+dE. Они выделяют некоторый слой в пространстве квазиимпульса (рис. 1). Пусть объем этого слоя dp, ему соответствует объем фазового пространства, то есть пространства координатx, y, z и импульсов px, py, pz
(2.3)
Согласно принципа
неопределенности Гейзенберга, минимальный
объем фазовой ячейки, в которой может
уместиться частица, равен h3.
.
Следовательно,
число фазовых ячеек в объеме фазового
пространства dГ
равно
,
а число состояний для единичного объема
.
(2.4)
Учитывая соотношения (2.1) и (2.3) следует
(2.5)
Входящую в выражение (2.5) величину объема слоя в пространстве квазимпульса dk(E,E+dE) можно найти, если известно уравнение изоэнергетических поверхностей.
Рассмотрим некоторые частные случаи.
1. Предположим, что изоэнергетические поверхности имеют форму сферы с минимальной энергией Emin в центре зоны Бриллюэна. Пусть
(2.6)
Две изоэнергетические поверхности Е и Е+dЕ выделяют сферический слой толщиной dkи объемом dk(Е, Е+dE) (рис. 1):
(2.7)
Воспользовавшись соотношением (2.6), выразим kчерезE :
(2.8)
Дифференцируя по k первое выражение в (2.9), получим
(2.9)
Учитывая соотношения (2.7), (2.8) и (2.9), можем записать
(2.10)
Для dZ из (2.5) и (2.10) получим
(2.11)
или
(2.12)
Таким образом,
если энергия носителей заряда является
квадратичной функцией квазимпульса,
то плотность состояний N(Е)
имеет зависимость от энергии вида
.
§ 26-27. Функция распределения Ферми-Дирака.
Функция распределения - это функция, которая в условиях термодинамического равновесия пропорциональна вероятности того, что некоторая частица занимает определённый энергетический уровень Е.
Для нашего случая задача сводится к нахождению наиболее вероятного распределения частиц по энергии с учётом принципа Паули.
Решая такую задачу по статистической физике, можно получить распределения Ферми-Дирака.
;
(8)
где ЕF –энергия Ферми.
F(E)
--T=0
T=1000K-
T=600K-----
E
EF=2.5eV
Основные свойства функции Ферми-Дирака:
]
E=EF =>F(E)=0.5 - т.е. уровень Ферми занят с вероятностью 0,5 (всегда);
T=0, тогда: F(E)=1 для E<EF
F(E)=0 для E>EF
т.е. при Т абсолютного нуля все разрешимые состояния ниже уровня Ферми заняты, а все выше него - свободны. Это отличается от случая классических частиц, когда при Т=0 все электроны имеют Е=0.
Если энергия электронов значительно выше энергии Ферми, т.е. E-EF>>kT, тогда
(9)
Формула (9) представляет собой классическое распределение Максвелла- Больцмана. Таким образом, функция Ферми-Дирака при больших энергиях переходит в распределение Максвелла-Больцмана.
Если энергия электрона ниже ЕF настолько, EF-E>>kT, тогда:
(10)
т.е. в области энергий, существенно меньших EF разрешённые состояния заняты с вероятностью, близкой к 1.
В области EEF функция F(E) изменяется очень быстро от значений, близких к 1, до нуля. Скорость изменения зависит от kT, и для температуры абсолютного нуля равна бесконечности.