- •1.Оперативна пам’ять:
- •Види зпдд (запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом) :
- •Основні характеристики оперативної пам'яті:
- •2. Постійна пам'ять:
- •За типом виконання:
- •За різновидами мікросхем пзп:
- •За видом доступу:
- •Застосування:
- •4. Зовнішня пам'ять:
- •1)Зовнішні жорсткі диски
- •2)Usb флеш–пам’ять
- •3)Пристрої читання компакт– і dvd–дисків
- •4)Карти пам’яті
- •Висновки:
- •Список використаної літератури:
За типом виконання:
Масив даних суміщений із пристроєм вибірки (зчитувальним пристроєм), у цьому випадку масив даних часто в розмові називається «прошивка» мікросхема ПЗП; один із внутрішніх ресурсів однокристальної мікроЕОМ (мікроконтролера), як правило FlashROM.
Масив даних існує самостійно:
1) компакт-диск;
2) перфокарта;
3) перфострічка;
4) монтажні «1» та монтажні «0».
За різновидами мікросхем пзп:
За технологією виготовлення кристалу:
ROM — (англ. read-only memory, постійний запам'ятовувальний пристрій), масочний ПЗП, виготовляється фабричним методом. У подальшому немає можливості змінити записані дані.
PROM — (англ. programmable read-only memory, програмований ПЗП (ППЗП)) — ПЗП, однократно «прошиване» користувачем.
EPROM — (англ. erasable programmable read-only memory, перепрограмовний/репрограмовний ПЗП (ПППЗП/РПЗП)). Наприклад, вміст мікросхеми К537РФ1 витиралося за допомогою ультрафіолетової лампи. Для проходження ультрафіолетових променів до кристалу в корпусі мікросхеми було передбачене віконце з кварцовим склом.
EEPROM — (англ. electrically erasable programmable read-only memory, перепрограмовний ПЗП з витиранням електричним способом). Пам'ять такого типу може витиратись і заповнюватись даними декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотільних накопичувачах. Одним із різновидів EEPROM є флеш-пам'ять (англ. flash memory).
ПЗП на магнітних доменах, наприклад, К1602РЦ5, мав складний пристрій вибірки і зберігав досить великий обсяг даних у вигляді намагнічених ділянок кристалу, при цьому не маючи рухомих частин (див. Комп'ютерна пам'ять). Забезпечувалась необмежена кількість циклів перезапису.
NVRAM, non-volatile memory — «пам'ять, що не руйнується», строго кажучи, не є ПЗП. Це ОЗП невеликого обсягу, конструктивно суміщений із батарейкою. В СРСР такі пристрої часто називались «Dallas» за іменем фірми, що випустила їх на ринок. В NVRAM сучасних ЕОМ батарейка вже конструктивно не пов'язана з ОЗП і може бути замінена.
За видом доступу:
З паралельним доступом (parallel mode або random access): такий ПЗП може бути доступний у системі в адресному просторі ОЗП. Наприклад, К573РФ5;
З послідовним доступом: такі ПЗП часто використовуються для однократного завантаження констант або прошивки в процесор або ПЛІС, використовуються для зберігання налаштувань каналів телевізора та ін. Наприклад, 93С46, AT17LV512A.
За способом програмування мікросхем (запису в них прошивки):
Непрограмовні ПЗП, інформація до яких записується на етапі виготовлення кристалу мікросхеми та не може бути змінена або стерта пізніше;
ПЗП, програмовні лише за допомогою спеціального пристрою — програматора ПЗП (як однократно, так і багатократно програмовані). Використання програматора необхідне, зокрема, для подачі нестандартних і відносно високих напруг (до +/- 27 В) на спеціальні виводи.
Внутрішньосхемно (пере)програмовні ПЗП (ISP, in-system programming) — такі мікросхеми мають всередині генератор усіх необхідних високих напруг, і можуть бути перепрошиті без програматора і навіть без випайки з друкованої плати, програмним способом.
