
- •Туннельдік диодтар
- •Оптоэлектрондық аспатар
- •1.Биполюсті транзисторлар
- •2.Светочувствительные устройства
- •3. Дк жұмыс істеу режимдері.
- •1 .Биполярлық транзистордың орталық база қосылу схемасы
- •2. Сәуле шығаратын
- •Ортақ эмиттерлі сұлба
- •1. Ортақ коллекторлы сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері
- •Жартылай өткізгіштік диодтардың жіктелуі және олардың ерекшеліктер.
- •2.Өрістік транзисторлар
- •3.Операциондық күшейткіш
- •2.Варикаптар Стабилитрондар
Жартылай өткізгіштік диодтардың жіктелуі және олардың ерекшеліктер.
Жартылай өткізгіш диод деп p-n өткелі және екі сыртқы қосылғыш сымы бар электрлік түрлендіргіш аспапты айтады. Диод p-n өткелі тікелей кернеуге қосылғанда бір жақты тоқты өткізеді де, p-n өткеліне кері кернеу қосқанда тоқты өткізбейді. Қолдану қажетіне қарай диодтар түзеткіш диодтарға, импульстік диодтарға, стабилитрондарға, туннельді диодтарға, шоттки диодына ж.т.б. бөлінеді.
Түзеткіш диодтар. Бұл диодтар төменгі жиіліктегі айнымалы тоқты түзетіп, тұрақты тоққа айналдыруға арналған. Түзеткіш диодтар ретінде балқыту және диффузиялық технологиясымен жасалған, симметриялық емес p-n өткелдері пайдаланылады.
Түрлері:
төменгі жиілікті түзеткіш диод - қорек көздері
ЖЖ және АЖЖ түзеткіш диодтар - детекторлар, өлшеу сұлбалар
түрлендіргіш диод - араластырғыштар, көбейткіштер, модуляторлар
импульстік диод - импульстік сұлбалар
туннельдік диод - күшейткіштер, генераторлар, ауыстырып қосқыштар
варикап - параметрлік сұлбалар, генераторлар
светодиод - индикаторлар, жарық көздері
фотодиод - фотогенераторлар, түрлендіргіштер
2.Өрістік транзисторлар
Өрістік транзистор дегеніміз жұмыс істеу принципі шала өткізгіштің кедергісін көлденең электр өрісімен модуляциялауға негізделген, :
а
)шала
өткізгішті аспап. Оның күшейткіштік
қасиеттері, өткізуші арнасы арқылы
өтетін бір таңбалы негізгі заряд
тасушылардың (униполюсті) ағынымен
анықталады.
Транзисторлар мына түрлерге бөлінеді:
а) Басқарушы p-n өткелі бар (ПТУП-АБӨТ);
б
)
оқшауланған тиегі бар (МДЖ, МОЖ);
в) диэлектрлік табандағы шел тәрізді өрістік (ҚӨТ).
Өрістік транзисторлар ортақ тиекті (ОТ), ортақ бастаулы (ОБ) және ортақ құймалы (ОҚ) сұлба бойынша қосылады. Өрістік транзисторлардың ерекше қасиеті, басқарушы сигнал ток емес, тиек – бастау тізбегіндегі кернеу болып табылады.Өрістік транзисторлар әртүрлі күшейткіш және ажыратып қосқыш құрылғыларда қоланылады, оларды биполюсты транзисторлармен бірге жиі пайдаланады.
3.Операциондық күшейткіш
Операциондық күшейткіштер – конструкциялық жағынан біртұтас жасалатын, өте кішкене көлемді, жоғары сапалы, жоғары стабильді, жиілік бойынша кең ауқымды, өте үлкен күшейту коэффициенті бар тұрақты тоқ күшейткіштері. Терістейтін күшейткіш. Шығыс сигналдың белгісін кіріс сигналға қарағанда өзгертетін күшейткіш – операциялық күшейткіштің терістейтін кірісіне резисторы арқылы кернеу бойынша параллель теріс кері байланыс жасау арқылы құрылады. Кіріс сигнал резисторы арқылы операциялық күшейткіштің терістейтін кірісіне беріледі. Схеманың көрсеткіштерін 1түйін үшін тоқтар теңдеуін қолдана отырып табуға болады. Егер де =∞ және кіріс тоқ десек, онда , осыдан
Терістейтін
күшейткіштің кернеу бойынша күшейту
коэффициенті схеманың сыртқы бөлігінің
пассивті элементтерімен анықталады:
Операциялық
күшейткіштің негізіндегі терістейтін
күшейткіш
№ 19 БИЛЕТ |
1 БТдың ОЭ қосылу схемасына h11 көрсеткішін анықтаңыз. |
2 Параметрлік тұрақтандырғыштар 3 Терістейтін қосындылауыш схемасы және көрсеткіштері. |
1.Биполюсті транзисторларға арналған анықтамалықтарда, әдетте, аз сигналды деп аталатын h-параметрлер келтіріледі. Бұл параметрлер қолдануға өте ыңғайлы, өйткені кез келген қосылу сұлбасында транзистор активті төрт полюстік түрінде келтіріле алады (5.14-сурет), оның кірісінде U1 кернеуі және I1 тогы ағады, ал шығысында – U2 кернеуі және I2 тогы болады. Теңдеулер жүйесі мынандай түрде жазылады
;
.
Теңдеулерге еселіктер ретінде кіретін, берілген h-параметрлер, мынадай физикалық мағына береді
–
шығыстағы
қысқа тұйықталу кезіндегі кіріс кедергі
(айнымалы ток бойынша);
h12
=
=0
– кірістегі бос жүріс кезіндегі кернеу
бойынша кері байланыс еселігі (айнымалы
ток бойынша), шамамен 10-5
төңірегінде, көптеген жағдайларда
есептеулерде аздығына байланысты
ескерілмейді;
ОЭ сұлба үшін h-параметрлердің физикалық параметрлермен байланысы мына түрде болады
h11 = r’Б + rЭ∙(1+); h12 = rЭ∙(1+)/rК; h21 =;