
- •Введение
- •1 Интегральные микросхемы и их элементы
- •1.1 Общие сведения о микроэлектронике
- •1.2 Классификация интегральных микросхем (имс)
- •1.3 Плёночные, гибридные и совмещенные ис
- •1.3.1 Плёночные ис
- •1.3.2 Технология изготовления плёночных имс
- •1.3.3 Изготовление маски (трафарета)
- •1.3.4 Гибридные имс
- •1.3.5 Совмещённые имс
- •1.4 Полупроводниковые имс
- •1.4.1 Транзисторы биполярные
- •1.4.2 Планарная технология изготовления имс
- •1.4.3 Планарно-эпитаксиальная технология изготовления имс
- •1.4.4 Диоды
- •1.4.5 Резисторы
- •1.4.6 Конденсаторы
- •1.4.7 Индуктивности
- •1.4.8 Изоляция элементов имс.
- •1.4.9 Корпуса для имс
- •1.4.11 Внутрисхемные соединения
- •1.5 Разновидности транзисторов
- •1.5.1 Транзистор с барьером Шоттки.
- •1.5.2 Многоэмиттерный транзистор
- •1 .5.3 Составные транзисторы
- •1.5.4 Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •1.5.5 Приборы с зарядовой связью
- •1.5.6 Монокристалл
- •1.6 Функциональные устройства
- •2 Цифровые интегральные схемы
- •2.1 Основные логические операции и логические элементы.
- •2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
- •2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
- •2.2 Логические интегральные схемы
- •2.2.1 Схема ртл ‑ резисторно-транзисторной логики
- •2.2.2 Схема дтл ‑ диодно-транзисторной логики
- •2.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •2.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •2.2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •2.2.3.3 Схема ттл с расширителем по или
- •2.2.3.4 Схема ттл с коррекцией передаточной характеристики
- •2.2.3.5 Разновидности схем ттл
- •2.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •2.2.4.1 Особенности эсл
- •2.2.4.2 Переключатель тока.
- •2.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •2.2.4.4 Разновидности схем эсл
- •2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •2.2.5.1 Логические элементы на мдп
- •2.2.6 Логические элементы интегрально-инжекционной логики (иил)
- •3 Аналоговые интегральные схемы
- •3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
- •3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •3.2 Интегральные операционные усилители
- •3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •4 Цифровые запоминающие устройства
- •4.1. Оперативные запоминающие устройства
- •4.2. Динамические озу
- •4.3 Постоянные запоминающие устройства
- •Список литературы
4.1. Оперативные запоминающие устройства
По типу хранения информации все ОЗУ можно разделить на статические и динамические. Структура ИС статических ОЗУ (рисунок 4.1) включает матрицу накопителя, дешифраторы кода адреса строк и столбцов, устройство ввода-вывода (УВВ). Для управления ИС предназначены: адресные сигналы Аk-1, ..., А0, обеспечивающие обращение к заданному ЭП, сигнал «Запись— Считывание» (ЗС), определяющий режим ИС, сигнал «Выборка микросхемы» (ВМ), разрешающий доступ к накопителю по информационным входу D и выходу F.
Зачастую в статических ОЗУ в качестве элементов памяти используют триггеры, способные хранить одно из двух состояний (0 или 1) при условии постоянного действия напряжения. Накопитель или матрица памяти состоит из т строк. В состав каждой строки входят п запоминающих ячеек, образующих n-разрядное слово. Информационная емкость накопителя равна N = пm, где т — число строк (или слов), п — число столбцов (или разрядов). Соответствующие шины в накопителе управляются от дешифраторов адреса строк и столбцов, на входы которых поступают адресные сигналы А0, ..., A k-1. При записи и считывании осуществляется обращение (выборка) к одной или нескольким запоминающим ячейкам одновременно.
Элементарные
запоминающие ячейки (ЗЯ) можно построить
на основе всех рассмотренных в разделе
2 основных типов базовых логических
элементов, Статические элементарные
ЗЯ, использующие биполярные транзисторы,
это дорогостоящие устройства, выполненные
на основе различных триггерных элементов.
Но они обладают максимальным
быстродействием. Рассмотрим принципиальную
электрическую схему ЗЯ на двух биполярных
транзисторах (рисунок
4.2,а). Он
представляет схему
RS-триггера.
Его основу составляют два инвертора,
выполненные на двухэмиттерных транзисторах
VТ1
и VТ2.
Инверторы соединены последовательно
и охвачены глубокой положительной
обратной связью. Первая пара эмиттеров
обоих транзисторов соединена с адресной
шиной Xi,
потенциал которой Ua
в установившемся состоянии
должен быть самым низким. Вторые эмиттеры
этих транзисторов
присоединены к разрядным шинам Yi
и Yj.
На разрядной
шине Yi
установлено опорное напряжение Uon,
а на шину Yj
подается
напряжение Up.
Режим работы
схемы зависит от соотношения
между напряжениями Ua,
Uoп
и
Up.
В режиме хранения информации выполняется условие Ua << Uon= Up. В этом случае схема находится в одном из устойчивых состояний, при котором открытым может быть транзистор VТ1 или VТ2. Ток протекает по первому эмиттеру открытого транзистора, а вторые эмиттеры обесточены. Например, если в триггер записан логический ноль, то транзистор VT2 закрыт, а транзистор VT1 открыт, в противном случае транзистор VТ2 открыт, а транзистор VТ1 закрыт. Тогда логично за логический ноль принять отсутствие тока в транзисторе VТ2, а за логическую единицу — его наличие.
В режиме считывания с помощью адресного сигнала X на шине устанавливается напряжение Ua > Uon = Up. Если в триггер записан логический ноль (VТ2 закрыт), то данное напряжение полностью запирает второй эмиттерный переход транзистора VТ2 и при этом через шину Yj никаких токов протекать не будет, что соответствует считыванию логического нуля. Если транзистор VТ2 открыт (логическая единица), то при считывании ток, ранее протекавший через открытый первый эмиттерный переход, после его закрытия будет протекать через второй переход, так как Up < Ua.
Условия режима записи зависят от состояния, в которое необходимо установить ЗЯ. Если триггер находился в состоянии единицы (транзистор VТ1 открыт, транзистор VТ2 закрыт), то для записи нуля необходимо по разрядной шине Yj подать напряжение Up > Uon, сохраняя условие Ua > Up. В этом случае транзистор VТ2 будет закрываться, при этом падение напряжения на этом транзисторе будет увеличиваться. Это же напряжение будет приложено к базе транзистора VТ1 и будет для него открывающим. Триггер переключится. Для записи в ячейку логической единицы на шину Yj следует подать напряжения Up > Uon и обеспечить условиеUa > Uon. Временные диаграммы работы ЗЯ в различных режимах представлены на рисунке 4.2,б.
О
писанное
построение элемента позволяет соединять
параллельно выходы любого числа элементов
и использовать для чтения-записи одни
и те же выводы.
Также можно строить ЗЯ на KМДП-структурах. Это позволяет получить более высокую степень упаковки элементов, уменьшить стоимость и потребляемую мощность. Схема такой ячейки приведена на рисунке 4.3.
Транзисторы VT1VТ4 составляют триггер, а транзисторы VТ5 и VТ6 являются ключами, через которые триггер подключается к информационным разрядным шинам РШo и РШ1. Состояние ключей определяется сигналом на шине строки X. Если на шине установлено напряжение высокого уровня, соответствующее сигналу логической единицы, то оба ключа открыты, так как имеют каналы n-типа. При этом информация из разрядных шин записывается в триггер или же считывается из него. Если же на шине установлен сигнал логического нуля, то ключи VТ4 и VТ5 закрыты, и ЗЯ находится в режиме хранения информации. За логическую единицу в данном триггере, как и в предыдущем, принимается наличие тока в разрядной шине РШ. Рассмотрим работу данной ЗЯ в режиме считывания и записи информации. Предположим, что в триггер записана единица. В этом случае транзистор VТ4 открыт, а транзистор VТ2 закрыт (как комплементарные). Тогда высокий потенциал с истока транзистора VТ2 будет приложен к обоим затворам транзисторов VТ1 и VTЗ. Транзистор VТЗ будет закрыт (как имеющий канал p-типа), а транзистор VТ1 открыт. В режиме считывания информации на адресную шину X подается сигнал логической единицы. Ключевые транзисторы VT5 и VТ6 откроются и от источника питания через транзисторы VТ4 и VТ6 в разрядную шину РШ1 потечет ток, соответствующий считыванию единицы из ЗЯ.
Для записи логического нуля на шину адреса и разрядную шину РШ0 подается сигнал логической единицы. В этом случае напряжение высокого уровня через открытый транзистор VТ5 поступит на затворы транзисторов VТ4 и VТ2. Данное напряжение закроет транзистор VТ4 и откроет VТ2. Теперь с истока транзистора VТ2 к затворам транзисторов VТЗ и VТ1 будет приложено напряжение низкого уровня, которое откроет VТЗ и закроет VТ1. Триггер переключится в противоположное состояние, таким образом, в ЗЯ будет записан ноль.
Для записи логической единицы в ЗЯ необходимо подать единицу на шину адреса и разрядную шину РШ1.