- •Введение
- •1 Интегральные микросхемы и их элементы
- •1.1 Общие сведения о микроэлектронике
- •1.2 Классификация интегральных микросхем (имс)
- •1.3 Плёночные, гибридные и совмещенные ис
- •1.3.1 Плёночные ис
- •1.3.2 Технология изготовления плёночных имс
- •1.3.3 Изготовление маски (трафарета)
- •1.3.4 Гибридные имс
- •1.3.5 Совмещённые имс
- •1.4 Полупроводниковые имс
- •1.4.1 Транзисторы биполярные
- •1.4.2 Планарная технология изготовления имс
- •1.4.3 Планарно-эпитаксиальная технология изготовления имс
- •1.4.4 Диоды
- •1.4.5 Резисторы
- •1.4.6 Конденсаторы
- •1.4.7 Индуктивности
- •1.4.8 Изоляция элементов имс.
- •1.4.9 Корпуса для имс
- •1.4.11 Внутрисхемные соединения
- •1.5 Разновидности транзисторов
- •1.5.1 Транзистор с барьером Шоттки.
- •1.5.2 Многоэмиттерный транзистор
- •1 .5.3 Составные транзисторы
- •1.5.4 Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •1.5.5 Приборы с зарядовой связью
- •1.5.6 Монокристалл
- •1.6 Функциональные устройства
- •2 Цифровые интегральные схемы
- •2.1 Основные логические операции и логические элементы.
- •2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
- •2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
- •2.2 Логические интегральные схемы
- •2.2.1 Схема ртл ‑ резисторно-транзисторной логики
- •2.2.2 Схема дтл ‑ диодно-транзисторной логики
- •2.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •2.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •2.2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •2.2.3.3 Схема ттл с расширителем по или
- •2.2.3.4 Схема ттл с коррекцией передаточной характеристики
- •2.2.3.5 Разновидности схем ттл
- •2.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •2.2.4.1 Особенности эсл
- •2.2.4.2 Переключатель тока.
- •2.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •2.2.4.4 Разновидности схем эсл
- •2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •2.2.5.1 Логические элементы на мдп
- •2.2.6 Логические элементы интегрально-инжекционной логики (иил)
- •3 Аналоговые интегральные схемы
- •3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
- •3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •3.2 Интегральные операционные усилители
- •3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •4 Цифровые запоминающие устройства
- •4.1. Оперативные запоминающие устройства
- •4.2. Динамические озу
- •4.3 Постоянные запоминающие устройства
- •Список литературы
3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
Основными задачами разработки разновидностей схем ДУ является увеличение коэффициента усиления усилителя и увеличение входного сопротивления.
а) используется пара Дарлингтона, т.е. на входах ДУ ставятся составные транзисторы, у которых гораздо выше входное сопротивление и коэффициент передачи тока равен произведению коэффициентов передачи тока обоих транзисторов;
б) используются на входах ДУ эмиттерные повторители, у которых входное сопротивление сотни килоомов;
в) ставятся полевые транзисторы на входах ДУ;
г) используются ДУ с динамической нагрузкой.
3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
Для увеличения коэффициента усиления
необходимо увеличить коллекторную
нагрузку
,
но тогда потребуется увеличить напряжение
источника питания ЕК. В
интегральных схемах увеличение
ведет к увеличению площади и габаритов
микросхемы. Поэтому в ИС используется
динамическая нагрузка, т.е. вместо
резисторов
и
ставятся транзисторы VТ3
и VТ4,
которые имеют низкое сопротивление по
постоянному току и высокое ‑ по
переменному. Транзисторы VТ3
и VТ4
имеют полярность, противоположную к
основным (рисунок 3.4).
Т
ранзисторы
VT1 и VT2
(n-p-n-типа)–
основные, транзисторы VТ3
и VТ4
(p-n-p-типа)
– коллекторная нагрузка. Эти транзисторы
соединены коллекторами. VТ3
в диодном включении.В эмиттерной цепи
ставится генератор стабильного тока
(ГСТ) для уменьшения влияния синфазного
сигнала на схему.
На входе дифференциальный сигнал.. Выход ДУ однотактный.
Транзисторы VТ3
и VТ4
включены по схеме токового зеркала ‑
отражателя токов. Ток IК1,
протекая через VТ3,
создает одинаковое смещение на базах
транзисторов
. Поэтому
,
а
является током
.
Следовательно
.
VТ4
повторяет изменения токов VT1,
т.е.
полностью
повторяет
,
поэтому VТ3
и VТ4
называется токовым зеркалом.
Найдем
,
Uвых
и Кu.Допустим
на вход подан сигнал
.
Приращение токов базы
и
.
Тогда токи коллекторов
и
.
Так как
,
то
.
Ток на выходе ДУ усилился в
раз и удвоился
Выходное напряжение ДУ
,
где
Коэффициент усиления ДУ
.
При
.
- входное сопротивление последующего
каскада и может быть обеспечено в
несколько сотен килом, т.е. коэффициент
усиления по напряжению может достигать
нескольких сотен и тысяч.
Таким образом, отражатель токов позволяет получить высокий коэффициент усиления по напряжению и удвоить сигнал на однотактном выходе.
3.2 Интегральные операционные усилители
3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
Операционный усилитель (ОУ) – универсальный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и однотактным выходом.
Идеальный ОУ имеет следующие свойства:
коэффициент усиления по напряжению
;входное сопротивление
;выходное сопротивление
.
Такие характеристики позволяют применять глубокую обратную связь (ОС), и свойства ОУ определяются только параметрами элементов цепи ОС. Используя различные ОС можно осуществлять различные математические операции. Поэтому усилители были названы операционными.
Условное обозначение ОУ приведено на рисунке 3.5. Здесь:
вход 1 ‑ неинвертирующий вход, т.е. выходной сигнал совпадает по фазе со входным;
вход 2 – инвертирующий вход, т.е. выходной сигнал в противофазе со входным;
выход – однотактный;
выводы двух источников питания Еп или двуполярного источника.
Реальные ОУ обычно имеют большое число выводов для подключения внешних цепей частотной коррекции, формирующих требуемый вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) усилителя.
Х
арактеристики
реальных ОУ отличаются от идеальных.
Основные параметры реальных ОУ:
а) коэффициент усиления дифференциального сигнала
;
б) коэффициент усиления синфазного
сигнала
;
в) коэффициент ослабления синфазного
сигнала
;
г) входное сопротивление Rвх обычно порядка 400 кОм (может достигать от десятков кОм до десятков МОм);
д) выходное сопротивление Rвых = 20 2000 Ом;
е
)
АЧХ –
‑ зависимость коэффициента усиления
от частоты (линеаризованная характеристика
в логарифмическом масштабе ‑ диаграмма
Боде) приведена на рисунке 3.6,а. АЧХ ОУ
представляет суммарную АЧХ отдельных
каскадов. Изменение частоты в десять
раз (на декаду) приводит к уменьшению
коэффициента усиления по напряжению в
10 раз, (т.е. на минус 20 дБ). Двухкаскадный
ОУ имеет два излома.
ж) на рисунке 3.6,б приведена фазочастотная
характеристика ФЧХ ОУ – зависимость
фазы сигнала от частоты
Каждый каскад на высоких частотах вносит
фазовый сдвиг. ФЧХ запаздывает на
,
где n – число каскадов
ОУ.
Для стабилизации работы ОУ требуется коррекция АЧХ и ФЧХ.
и
)
частота единичного усиления
,
т.е. частота, при которой коэффициент
усиления равен единице;
к) амплитудная характеристика или
характеристика передачи – зависимость
выходного напряжения от входного
приведена
на рисунке 3.7.
Обычно
.
л
)
если при Uвх
= 0 Uвых
= 0, имеет место баланс ОУ.
В реальных ОУ внутри схемы может
быть разбаланс, из-за которого появляется
при Uвх
= 0.
м) U вх смещ нуля или начальное смещение ‑ это постоянное напряжение, подаваемое на один из входов, чтобы выходное напряжение стало равным нулю, примерно равно 1...3 мВ.
н) разность входных токов
‑ 5…50 нА;
п) диапазон допустимых синфазных напряжений – это максимальное напряжение на обоих входах, чтобы ОУ не вошел в насыщение или отсечку – 3…13В;
р) скорость нарастания выходного напряжения при подаче на вход перепада – 0,1…10 В/мкс.
3.2.2 Структурная схема трехкаскадного ОУ
Схема включает в себя входной, согласующий и выходной каскады усиления (рисунок 3.9).
Входной каскад ОУ состоит из дифференциального усилителя с дифференциальным входом и симметричным выходом. Имеет генератор стабильного тока. Служит для обеспечения входных характеристик:
минимальной величины дрейфа;
высокого коэффициента усиления по напряжению;
максимально высокого входного сопротивления;
подавления ,действующих на входе синфазных составляющих, обусловленных изменением температуры окружающей среды, напряжения питания и т.п.
Согласующий каскад состоит из дифференциального усилителя с симметричным входом и однотактным выходом и схемы сдвига уровня. Служит для обеспечения нужной величины коэффициента усиления, обеспечения перехода от симметричного выхода входного каскада к одиночному входу выходного каскада. Сдвиг уровня рабочей точки необходим, чтобы получить нулевой уровень на выходе ОУ при нулевом входном напряжении.
Выходной каскад является усилителем мощности и необходим для получения нужных выходных параметров – требуемое усиление сигнала по мощности и низкое выходное сопротивление.
В ранних разработках ОУ технология изготовления ИС не позволяла получать высокоомные резисторы и качественные транзисторы p-n-p-типа. С совершенствованием технологии стало возможным изготовление ОУ с использованием комплементарных пар транзисторов и динамических нагрузок вместо резистивных.
3.2.3 Схема двухкаскадного операционного усилителя
Схема-модель двухкаскадного операционного усилителя представлена на рисунке 3.10.
Входной дифференциальный усилитель
построен на транзисторах VT1
VT4.
Основные транзисторы VT1
и VT2
‑ p-n-p-типа,
динамическая нагрузка ‑ транзисторы
VT3 и VT4
‑ n-p-n-типа
представляет собой токовое зеркало или
отражатель токов (см. п. 3.1.3). ДУ с токовым
зеркалом имеет дифференциальный вхо
д
и однотактный выход. ГСТ1
в эмиттерной цепи служит для стабилизации
эмиттерного тока и уменьшения дрейфа
напряжения. Каскад обеспечивает требуемые
входные параметры ОУ.
Второй каскад, построенный на составном транзисторе VT5 и VT6 по схеме с общим эмиттером, является усилителем амплитуд. Обеспечивает необходимый коэффициент усиления по напряжению ОУ. В качестве нагрузочного сопротивления каскада служит источник тока ГСТ2. Емкость СК 30π ‑ для коррекции частотной характеристики. Диоды VD1 и VD2 для создания смещения рабочей точки в выходном каскаде.
В выходной каскад входят VT7
и VT8,
диоды VD1 и
VD2, ГСТ2,
VT6..Он
является двухтактным усилителем мощности
класса АВ. Делитель напряжения:
ГСТ2,
VD1 и VD2,
VT6 создает
смещение рабочей точки транзисторов
VT7 и VT8.
Причем
.
Необходимое начальное смещение задается
диодами VD1
и VD2. Эти же
диоды обеспечивают температурную
стабилизацию режима покоя выходного
усилителя.
Усилитель мощности построен на комплементарной паре VT7 (n-p-n-типа) и VT8 (p-n-p-типа). При отсутствии сигнала на входе ОУ UВХ = 0 ток через нагрузку IН = 0. Через транзисторы VT7 и VT8 течет небольшой начальный ток , обусловленный смещением плюс UVD1 на транзистор VT7 и минус UVD2 – на транзистор VT8. Диоды включены в прямом направлении и всегда открыты. Базы обоих транзисторов соединены по переменному току. Транзисторы VT7 и VT8 открыты поочередно. При подаче с коллектора VT6 положительного перепада напряжения транзистор VT8 запирается, а VT7 – отпирается. Ток течет по цепи: плюс Еп1, кэVT7, Rн, минус Еп1. При подаче с коллектора VT6 отрицательного перепада напряжения транзистор VT7 запирается, а VT8 – отпирается. Ток течет по цепи: плюс Еп2, Rн, кэ VT8, минус Еп2.
