Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
пособие 191006-рабочий-2 (izmenen).doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3.84 Mб
Скачать

3 Аналоговые интегральные схемы

3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы

Дифференциальный усилитель (ДУ) усиливает разность входных сигналов (рисунок 3.1). Его можно строить на биполярных и униполярных транзисторах. Он представляет собой параллельно-балансный каскад или сбалансированный мост. Строится на двух усилителях постоянного тока с общим эмиттерным сопротивлением Rэ. Коллекторные нагрузки Rк1 = Rк2. Идентичные транзисторы VT1 и VT2 вместе с резисторами Rк1 и Rк2 представляют собой плечи моста, в одну диагональ которой включен источник питания Ек, в другую – нагрузка Rн.

П итание каскада осуществляется от двух источников , следовательно, суммарное напряжение питания . С помощью снижается потенциал эмиттеров относительно общей точки, при этом отпадает необходимость в дополнительном источнике компенсирующей ЭДС.

Рассмотрим возможные режимы работы ДУ.

а) режим покоя. Оба входа закорочены на землю, т.е. ; Напряжения база-эмиттер покоя равны минус Uэ

следовательно,

,

.

Оба транзистора открыты, работают в активном режиме. Текут токи покоя . Они создают одинаковое падение напряжения на Rк1 и Rк2. Следовательно, , а

. Токи эмиттеров , .

Достоинства схемы:

а) не нужен источник компенсирующей ЭДС;

б) уменьшается дрейф от нестабильности напряжения питания и от температурной нестабильности. Например, при увеличении Ек или температуры окружающей среды приращение напряжения на коллекторе одинаковые по величине и по знаку, следовательно .

б) режим со входным сигналом. Рассмотрим три способа подачи сигнала

1) сигнал ес подается между базами транзисторов (рисунок 3.2,а).Тогда , . Приращение коллекторных токов , приращение коллекторных напряжений . Выходное напряжение .

Приращения токов эмиттеров .Общий эмиттерный ток является постоянной величиной. На эмиттере нет приращения напряжения, также постоянно. Т.е. имеет место стабилизация напряжения по постоянной составляющей, отсутствует обратная связь по переменной составляющей.

2 ) сигнал подается на одну из баз, а другая база заземлена (рисунок 3.2,б) – дифференциальный вход

, увеличивается ток базы . Следовательно, увеличивается ток коллектора и ток эмиттера . Напряжение на коллекторе уменьшается. Сумма эмиттерных токов постоянна. Следовательно, , , . Выходное напряжение, как и в предыдущем случае .

3) сигналы поданы на обе базы на базу первого транзистора, ‑ на базу второго. Здесь справедлив принцип суперпозиции и , где к – коэффициент усиления усилителя.

3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока

Разность входных сигналов называется дифференциальным сигналом.

Синфазный сигнал – сигнал, действующий одновременно на обоих входах усилителя – помеха, влияние которой надо уменьшить. Для уменьшения действия синфазного сигнала необходимо стабилизировать ток эмиттера. Например, допустим, что на оба входа действует синфазное напряжение, стремящееся увеличить токи коллекторов Iк1 и Iк2, а их сумма равна Iэ, которая является постоянной величиной. Т.е. ток коллектора не будет увеличиваться, и напряжения коллекторов и выходное не будет изменяться. Для стабилизации тока эмиттера можно увеличить . Но тогда необходимо увеличить напряжение питания, а его не нужно изменять. Поэтому вместо эмиттерной нагрузки целесообразно ставить источник тока или генератор стабильного тока (ГСТ). ГСТ – это транзисторный каскад, у которого небольшое сопротивление по постоянному току, а по переменному – велико (рисунок 3.3).

В схему ГСТ входят: транзистор VT3, диод VD, резисторы R1, R2, R3 и источник питания -Еэ.

Ток Iэ является сумой токов эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 дифференциального усилителя и задается он генератором стабильного тока на VT3. Схема ГСТ – это усилитель по схеме с общей базой. Его выходное сопротивление много больше RЭ в схеме на рисунке 3.1. Смещение на базу VT3 подается через делитель R1, VD, R2. Диод VD служит для термокомпенсации.

По первому закону Кирхгофа справедливо . Ток I1 является постоянным, так как R1 большое ( )и от температуры не зависит.

При повышении температуры входная характеристика VT3 смещается влево, т.е. увеличивается ток эмиттера Iэ3. Одновременно уменьшается сопротивление диода VD, увеличивается ток I2, следовательно, уменьшается ток Iб3, равный I1I2. Ток Iк3 =  Iб3 также уменьшится. Ток эмиттера ДУ Iэ поддерживается стабильным.

Определим Iэ аналитическим путем.

Так как Iб3  Iэ и можно считать Iэ3 Iк3 = Iэ, то

. (3.1)

Поскольку Iб3  I1, то I1 = I2. Из рисунка 3.3 находим

. (3.2)

Из (3.1), учитывая, что находим Iэ

, т.е. ток Iэ зависит от температуры незначительно, что и требуется от ГСТ.