
- •Введение
- •1 Интегральные микросхемы и их элементы
- •1.1 Общие сведения о микроэлектронике
- •1.2 Классификация интегральных микросхем (имс)
- •1.3 Плёночные, гибридные и совмещенные ис
- •1.3.1 Плёночные ис
- •1.3.2 Технология изготовления плёночных имс
- •1.3.3 Изготовление маски (трафарета)
- •1.3.4 Гибридные имс
- •1.3.5 Совмещённые имс
- •1.4 Полупроводниковые имс
- •1.4.1 Транзисторы биполярные
- •1.4.2 Планарная технология изготовления имс
- •1.4.3 Планарно-эпитаксиальная технология изготовления имс
- •1.4.4 Диоды
- •1.4.5 Резисторы
- •1.4.6 Конденсаторы
- •1.4.7 Индуктивности
- •1.4.8 Изоляция элементов имс.
- •1.4.9 Корпуса для имс
- •1.4.11 Внутрисхемные соединения
- •1.5 Разновидности транзисторов
- •1.5.1 Транзистор с барьером Шоттки.
- •1.5.2 Многоэмиттерный транзистор
- •1 .5.3 Составные транзисторы
- •1.5.4 Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •1.5.5 Приборы с зарядовой связью
- •1.5.6 Монокристалл
- •1.6 Функциональные устройства
- •2 Цифровые интегральные схемы
- •2.1 Основные логические операции и логические элементы.
- •2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
- •2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
- •2.2 Логические интегральные схемы
- •2.2.1 Схема ртл ‑ резисторно-транзисторной логики
- •2.2.2 Схема дтл ‑ диодно-транзисторной логики
- •2.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •2.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •2.2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •2.2.3.3 Схема ттл с расширителем по или
- •2.2.3.4 Схема ттл с коррекцией передаточной характеристики
- •2.2.3.5 Разновидности схем ттл
- •2.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •2.2.4.1 Особенности эсл
- •2.2.4.2 Переключатель тока.
- •2.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •2.2.4.4 Разновидности схем эсл
- •2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •2.2.5.1 Логические элементы на мдп
- •2.2.6 Логические элементы интегрально-инжекционной логики (иил)
- •3 Аналоговые интегральные схемы
- •3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
- •3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •3.2 Интегральные операционные усилители
- •3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •4 Цифровые запоминающие устройства
- •4.1. Оперативные запоминающие устройства
- •4.2. Динамические озу
- •4.3 Постоянные запоминающие устройства
- •Список литературы
3 Аналоговые интегральные схемы
3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
Дифференциальный усилитель (ДУ) усиливает разность входных сигналов (рисунок 3.1). Его можно строить на биполярных и униполярных транзисторах. Он представляет собой параллельно-балансный каскад или сбалансированный мост. Строится на двух усилителях постоянного тока с общим эмиттерным сопротивлением Rэ. Коллекторные нагрузки Rк1 = Rк2. Идентичные транзисторы VT1 и VT2 вместе с резисторами Rк1 и Rк2 представляют собой плечи моста, в одну диагональ которой включен источник питания Ек, в другую – нагрузка Rн.
П
итание
каскада осуществляется от двух источников
,
следовательно, суммарное напряжение
питания
.
С помощью
снижается потенциал эмиттеров относительно
общей точки, при этом отпадает необходимость
в дополнительном источнике компенсирующей
ЭДС.
Рассмотрим возможные режимы работы ДУ.
а) режим покоя. Оба входа закорочены на
землю, т.е.
;
Напряжения база-эмиттер покоя равны
минус Uэ
следовательно,
,
.
Оба транзистора открыты, работают в
активном режиме. Текут токи покоя
.
Они создают одинаковое падение напряжения
на Rк1
и Rк2.
Следовательно,
,
а
.
Токи эмиттеров
,
.
Достоинства схемы:
а) не нужен источник компенсирующей ЭДС;
б) уменьшается дрейф от нестабильности
напряжения питания и от температурной
нестабильности. Например, при увеличении
Ек
или температуры окружающей среды
приращение напряжения на коллекторе
одинаковые
по величине и по знаку, следовательно
.
б) режим со входным сигналом. Рассмотрим три способа подачи сигнала
1) сигнал ес
подается между базами транзисторов
(рисунок 3.2,а).Тогда
,
.
Приращение коллекторных токов
,
приращение коллекторных напряжений
.
Выходное напряжение
.
Приращения токов эмиттеров
.Общий
эмиттерный ток
является постоянной величиной. На
эмиттере нет приращения напряжения,
также постоянно. Т.е. имеет место
стабилизация напряжения по постоянной
составляющей, отсутствует обратная
связь по переменной составляющей.
2
)
сигнал подается на одну из баз, а другая
база заземлена (рисунок 3.2,б) –
дифференциальный вход
,
увеличивается ток базы
.
Следовательно, увеличивается ток
коллектора
и ток эмиттера
.
Напряжение на коллекторе
уменьшается. Сумма эмиттерных токов
постоянна. Следовательно,
,
,
.
Выходное напряжение, как и в предыдущем
случае
.
3) сигналы поданы на обе базы
на базу первого транзистора,
‑ на базу второго. Здесь справедлив
принцип суперпозиции и
,
где к – коэффициент усиления
усилителя.
3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
Разность входных сигналов называется дифференциальным сигналом.
Синфазный сигнал – сигнал, действующий
одновременно на обоих входах усилителя
– помеха, влияние которой надо уменьшить.
Для уменьшения действия синфазного
сигнала необходимо стабилизировать
ток эмиттера. Например, допустим, что
на оба входа действует синфазное
напряжение, стремящееся увеличить токи
коллекторов Iк1
и Iк2,
а их сумма равна Iэ,
которая является постоянной величиной.
Т.е. ток коллектора не будет увеличиваться,
и напряжения коллекторов и выходное не
будет изменяться. Для стабилизации тока
эмиттера можно увеличить
.
Но тогда необходимо увеличить напряжение
питания, а его не нужно изменять. Поэтому
вместо эмиттерной нагрузки
целесообразно ставить источник тока
или генератор стабильного
тока (ГСТ). ГСТ – это
транзисторный каскад, у которого
небольшое сопротивление по постоянному
току, а по переменному – велико (рисунок
3.3).
В
схему ГСТ входят: транзистор VT3,
диод VD, резисторы
R1, R2,
R3 и источник
питания -Еэ.
Ток Iэ является сумой токов эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 дифференциального усилителя и задается он генератором стабильного тока на VT3. Схема ГСТ – это усилитель по схеме с общей базой. Его выходное сопротивление много больше RЭ в схеме на рисунке 3.1. Смещение на базу VT3 подается через делитель R1, VD, R2. Диод VD служит для термокомпенсации.
По первому закону Кирхгофа справедливо
.
Ток I1 является
постоянным, так как R1
большое (
)и
от температуры не зависит.
При повышении температуры входная характеристика VT3 смещается влево, т.е. увеличивается ток эмиттера Iэ3. Одновременно уменьшается сопротивление диода VD, увеличивается ток I2, следовательно, уменьшается ток Iб3, равный I1 ‑ I2. Ток Iк3 = Iб3 также уменьшится. Ток эмиттера ДУ Iэ поддерживается стабильным.
Определим Iэ аналитическим путем.
Так как Iб3 Iэ и можно считать Iэ3 Iк3 = Iэ, то
. (3.1)
Поскольку Iб3 I1, то I1 = I2. Из рисунка 3.3 находим
. (3.2)
Из (3.1), учитывая, что
находим Iэ
,
т.е. ток Iэ
зависит от температуры незначительно,
что и требуется от ГСТ.