
- •Введение
- •1 Интегральные микросхемы и их элементы
- •1.1 Общие сведения о микроэлектронике
- •1.2 Классификация интегральных микросхем (имс)
- •1.3 Плёночные, гибридные и совмещенные ис
- •1.3.1 Плёночные ис
- •1.3.2 Технология изготовления плёночных имс
- •1.3.3 Изготовление маски (трафарета)
- •1.3.4 Гибридные имс
- •1.3.5 Совмещённые имс
- •1.4 Полупроводниковые имс
- •1.4.1 Транзисторы биполярные
- •1.4.2 Планарная технология изготовления имс
- •1.4.3 Планарно-эпитаксиальная технология изготовления имс
- •1.4.4 Диоды
- •1.4.5 Резисторы
- •1.4.6 Конденсаторы
- •1.4.7 Индуктивности
- •1.4.8 Изоляция элементов имс.
- •1.4.9 Корпуса для имс
- •1.4.11 Внутрисхемные соединения
- •1.5 Разновидности транзисторов
- •1.5.1 Транзистор с барьером Шоттки.
- •1.5.2 Многоэмиттерный транзистор
- •1 .5.3 Составные транзисторы
- •1.5.4 Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •1.5.5 Приборы с зарядовой связью
- •1.5.6 Монокристалл
- •1.6 Функциональные устройства
- •2 Цифровые интегральные схемы
- •2.1 Основные логические операции и логические элементы.
- •2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
- •2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
- •2.2 Логические интегральные схемы
- •2.2.1 Схема ртл ‑ резисторно-транзисторной логики
- •2.2.2 Схема дтл ‑ диодно-транзисторной логики
- •2.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •2.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •2.2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •2.2.3.3 Схема ттл с расширителем по или
- •2.2.3.4 Схема ттл с коррекцией передаточной характеристики
- •2.2.3.5 Разновидности схем ттл
- •2.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •2.2.4.1 Особенности эсл
- •2.2.4.2 Переключатель тока.
- •2.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •2.2.4.4 Разновидности схем эсл
- •2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •2.2.5.1 Логические элементы на мдп
- •2.2.6 Логические элементы интегрально-инжекционной логики (иил)
- •3 Аналоговые интегральные схемы
- •3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
- •3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •3.2 Интегральные операционные усилители
- •3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •4 Цифровые запоминающие устройства
- •4.1. Оперативные запоминающие устройства
- •4.2. Динамические озу
- •4.3 Постоянные запоминающие устройства
- •Список литературы
2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
2.2.5.1 Логические элементы на мдп
Р
ассмотрим
логические элементы НЕ, ИЛИ-НЕ, И-НЕ.
а) Схема инвертора на МДП приведена на рисунке 2.31.
Транзистор VT1
работает в ключевом режиме, VT2
– всегда в активном. VT2
является нелинейной нагрузкой. При
запертом VT1
транзистор VT2
‑ в активном режиме, ближе к насыщению,
при насыщенном VT1
транзистор VT2
‑ в активном, ближе к отсечке. При
подаче на вход х
низкого уровня напряжения VT1
запирается, VT2
близок к насыщению, на выходе ключа
высокий уровень напряжения. При подаче
на вход х
высокого уровня напряжения VT1
отпирается, VT2
близок к отсечке, на выходе ключа низкий
уровень напряжения. Выполняется операция
.
б
)
В двухвходовой схеме ИЛИ-НЕ (рисунок
2.32) входные транзисторы VT1
и VT2 соединены
параллельно. Если хотя бы на один из
входов подан высокий уровень напряжения,
соответствующий транзистор отпирается,
и на выходе схемы будет низкий уровень.
И только при подаче на все входы схемы
низкого уровня транзисторы VT1
и VT2 запрутся,
и на выходе появится высокий уровень.
Выполняется операция
.
в
)
В двухвходовой схеме И-НЕ (рисунок
2.33) входные транзисторы VT1
и VT2 соединены
последовательно. Если хотя бы на один
из входов подан низкий уровень напряжения,
соответствующий транзистор запирается,
ток через входные транзисторы не течет,
и на выходе схемы будет высокий уровень.
И только при подаче на все входы схемы
высокого уровня транзисторы VT1
и VT2 откроются,
течет ток, и на выходе будет низкий
уровень. Выполняется операция
.
2.2.5.2 Логические элементы на КМДП
Основу микросхем
КМДП
составляет ключевой каскад на двух
соединенных
стоками МДП-транзисторах
VT1
и VT2
(рисунок 2.34)
с различными
типами проводимости.
Транзистор VT1
имеет канал
с п
роводимостью
n-типа;
VT2
— канал с
проводимостью р-типа.
На соединенные
вместе затворы подается входной сигнал
x.
Для КМДП
принято, чтобы единица отображалась
высоким уровнем, а ноль — низким.
Напряжение питания Е положительной полярности может составлять от 3 до 15 В. Напряжение низкого уровня для микросхем КМДП равно 0,001 В, а напряжение высокого уровня практически равно напряжению питания.
При подаче на вход
напряжения высокого уровня транзистор
VT1
открывается, а транзистор VT2
закрывается. На
выходе устанавливается
напряжение низкого уровня. При подаче
на вход напряжения низкого уровня
транзистор VT1
закрыт, а
транзистор VT2
открыт.
Напряжение
источника питания через открытый
транзистор VT2
подается на
выход каскада — это напряжение высокого
уровня. Таким образом, данный ключевой
каскад реализует логическую функцию
НЕ.
Следует отметить одну важную особенность КМДП-ключа и интегральных микросхем на его основе — в статическом режиме потребляемая от источника питания мощность меньше на несколько порядков по сравнению с мощностью самых маломощных логических элементов ТТЛ и ТТЛШ. Это объясняется тем, что в статическом режиме один из транзисторов закрыт и, следовательно, ток через ключ не проходит.
С
хема
логического элемента ИЛИ-НЕ
на основе КМДП-ключа
приведена на
рисунке 2.35. Если на оба входа поданы
сигналы низкого уровня, то транзисторы
VT3 и
VT4
будут открыты, так как имеют канал
с проводимостью р-типа, а транзисторы
VT1
и VT2
— закрыты,
так как имеют канал с проводимостью
n-типа.
Таким образом, на выходе установится
напряжение высокого уровня (логическая
единица). При подаче напряжения высокого
уровня хотя бы на
один из входов соответствующий транзистор
VT3
или VT4
закроется,
т.е. ток через них не течет, а транзистор
VT1
или VT2
соответственно
откроется. На выходе установится
напряжение низкого уровня (логический
ноль). Видно, что данная схема реализует
логическую функцию ИЛИ—НЕ.
Устройство базового элемента И—НЕ как бы обратно устройству элемента ИЛИ—НЕ: параллельно соединены транзисторы с каналами р-типа, а последовательно — с каналами п-типа (рисунок 2.36).Работа данной схемы абсолютно идентична работе элемента ИЛИ—НЕ с тем исключением, что напряжение низкого уровня на выходе устанавливается только при одновременной подаче на оба входа элемента напряжения высокого уровня, а во всех остальных случаях на выходе будет присутствовать напряжение высокого уровня. Действительно, при одновременной подаче на входы x1 и x2 напряжения высокого уровня транзисторы VT1 и VT2 открываются, а транзисторы VT3 и VT4 закрываются. На выходе устанавливается напряжение низкого уровня (логический ноль). При подаче хотя бы на один из входов напряжения низкого уровня один из параллельно включенных транзисторов VT3 или VT4 открывается, а соответствующий ему комплементарный транзистор (VT1 или VT2) закрывается. На выход в этом случае через соответствующий открытый транзистор передается напряжение источника питания. На выходе устанавливается напряжение высокого уровня (логическая единица).