
- •Введение
- •1 Интегральные микросхемы и их элементы
- •1.1 Общие сведения о микроэлектронике
- •1.2 Классификация интегральных микросхем (имс)
- •1.3 Плёночные, гибридные и совмещенные ис
- •1.3.1 Плёночные ис
- •1.3.2 Технология изготовления плёночных имс
- •1.3.3 Изготовление маски (трафарета)
- •1.3.4 Гибридные имс
- •1.3.5 Совмещённые имс
- •1.4 Полупроводниковые имс
- •1.4.1 Транзисторы биполярные
- •1.4.2 Планарная технология изготовления имс
- •1.4.3 Планарно-эпитаксиальная технология изготовления имс
- •1.4.4 Диоды
- •1.4.5 Резисторы
- •1.4.6 Конденсаторы
- •1.4.7 Индуктивности
- •1.4.8 Изоляция элементов имс.
- •1.4.9 Корпуса для имс
- •1.4.11 Внутрисхемные соединения
- •1.5 Разновидности транзисторов
- •1.5.1 Транзистор с барьером Шоттки.
- •1.5.2 Многоэмиттерный транзистор
- •1 .5.3 Составные транзисторы
- •1.5.4 Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •1.5.5 Приборы с зарядовой связью
- •1.5.6 Монокристалл
- •1.6 Функциональные устройства
- •2 Цифровые интегральные схемы
- •2.1 Основные логические операции и логические элементы.
- •2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
- •2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
- •2.2 Логические интегральные схемы
- •2.2.1 Схема ртл ‑ резисторно-транзисторной логики
- •2.2.2 Схема дтл ‑ диодно-транзисторной логики
- •2.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •2.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •2.2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •2.2.3.3 Схема ттл с расширителем по или
- •2.2.3.4 Схема ттл с коррекцией передаточной характеристики
- •2.2.3.5 Разновидности схем ттл
- •2.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •2.2.4.1 Особенности эсл
- •2.2.4.2 Переключатель тока.
- •2.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •2.2.4.4 Разновидности схем эсл
- •2.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •2.2.5.1 Логические элементы на мдп
- •2.2.6 Логические элементы интегрально-инжекционной логики (иил)
- •3 Аналоговые интегральные схемы
- •3.1 Дифференциальный усилитель. Режимы работы
- •3.1.1 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •3.1.2 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •3.1.3 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •3.2 Интегральные операционные усилители
- •3.2.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •4 Цифровые запоминающие устройства
- •4.1. Оперативные запоминающие устройства
- •4.2. Динамические озу
- •4.3 Постоянные запоминающие устройства
- •Список литературы
2.1.1 Основные аксиомы и теоремы алгебры логики
Алгебра логики является алгеброй состояний и позволяет:
а) описывать работу электронного устройства в виде логических функций;
б) от уравнений переходить к электронным схемам;
в) синтезировать оптимальные схемы.
Порядок выполнения операций: НЕ ‑ И – ИЛИ.
Операции деления и вычитания не используются, могут использоваться скобки.
Тождества алгебры логики приведены в таблице 2.8.
Таблица 2.8
-
Логическое сложение
Логическое умножение
А+0 =А
А 0=0
А+1=1
А 1=А
А+А=А
А А=А
А+ =1
А =0
Теоремы для двух и более переменных
а) переместительный закон
А+В=В+А;
б) сочетательный закон
А+В+С=(А+В)+С=А+(В+С)=В+(А+С);
АВС=(АВ)С=В(АС)=А(ВС);
в) распределительный закон
А(В+С)=АВ+АС;
А+(ВС)=(А+В)(А+С);
г) формулы де Моргана
;
.
На основе одного из логических элементов можно реализовать все другие логические функции. Например, в таблице 2.9 показана реализация логических функций на основе логических элементов И-НЕ.
Таблица 2.9
Логическая функция |
Условное обозначение |
Реализация схемы на И-НЕ |
НЕ |
|
|
И |
|
|
ИЛИ |
|
|
ИЛИ-НЕ |
|
|
Исключа-ющее ИЛИ |
|
|
Исключа-ющее ИЛИ-НЕ |
|
|
2.1.2 Основные параметры логических интегральных микросхем
входное U1вх и выходное U1вых напряжение логической единицы – значение высокого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы;
входное U0вх и выходное U0вых напряжение логического нуля – значение низкого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы;
входной I1вх и выходной I1вых токи логической единицы, входной I0вх и выходной I0вых токи логического нуля;
логический перепад сигнала
, пороговое напряжение Uпор вх – напряжение на входе, при котором состояние микросхемы изменяется на противоположное;
входное сопротивление логической ИМС – отношение приращения входного напряжения к приращению входного тока (различают R0вх и R1вх), выходное сопротивление – отношение приращения выходного напряжения к приращения выходного тока (различают R0вых и R1вых);
статическая помехоустойчивость – максимально допустимое напряжение статической помехи по высокому U1пом и низкому U0пом уровням входного напряжения, при котором еще не происходят изменения уровня выходного напряжения микросхемы;
средняя потребляемая мощность Pпотр ср = (P0потр + Р1потр)/2 , где P0потр и Р1потр – мощности, потребляемые микросхемой в состоянии соответственно логического нуля и единицы на выходе;
коэффициент объединения по входу Коб, показывающий, какое число аналогичных логических ИМС можно подключить к входу данной схемы, и определяющий максимальное число входов логической ИМС;
9 коэффициент разветвления по выходу Кразв, показывающий какое количество аналогичных нагрузочных микросхем можно подключить к выходу данной ИМС, и характеризующий нагрузочную способность логической ИМС.